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公开(公告)号:CN201084710Y
公开(公告)日:2008-07-09
申请号:CN200720064502.6
申请日:2007-09-20
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/306 , C23F1/02
Abstract: 半导体器件芯片台面喷腐磁力吸附局部防护装置,包括一个保护罩,在芯片台面喷腐处理时,保护罩正好盖在芯片中心需要保护的部位,保护罩与芯片一起形成一个密封面,以保证芯片上需要保护的表面部分在喷腐处理时不会受到酸液溅浸。所述的保护罩是通过磁力吸附方式吸附在芯片表面上的,保护罩的主体为导磁材料制作的盘形结构导磁体,在芯片放置的芯片座上设有磁力发生装置,在芯片台面喷射腐蚀处理加工时,保护罩受磁力发生装置的磁力吸附固定在芯片上,并遮盖在芯片中心需要保护的部位上,以防止芯片台面喷射腐蚀处理时不会有酸液溅浸到芯片中心需要保护的部位。所述的磁力吸附方式可以是永磁吸附方式或电磁吸附方式。
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公开(公告)号:CN200962427Y
公开(公告)日:2007-10-17
申请号:CN200620052555.1
申请日:2006-10-20
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种异径分叉式半导体器件,它包括壳体、阳极、阴极、门电极以及阴电极,所述阳极和阴极分别位于壳体的两端,所述门电极包括呈环形排列的两个或两个以上的门电极片,所述阴电极包括呈环形排列的两个或两个以上的阴电极片,门电极片和阴电极片的一端位于壳体内阳极和阴极之间,另一端从壳体内引出后布置于壳体的外侧,每一个门电极片与一个阴电极片重叠布置在一起且呈环形排列的门电极片和阴电极片的半径不相等,门电极片和阴电极片上开设有安装孔。本实用新型是一种在保证低感连接的条件下,结构简单紧凑、接口简洁、装配方便的异径分叉式半导体器件。
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公开(公告)号:CN200962426Y
公开(公告)日:2007-10-17
申请号:CN200620052554.7
申请日:2006-10-20
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种圆盘式半导体器件,它包括壳体、阳极、阴极、门电极以及阴电极,所述阳极和阴极分别位于壳体的两端,所述门电极和阴电极的一端位于壳体内阳极和阴极之间,另一端从壳体内引出后呈圆环状环绕于壳体的外侧,门电极和阴电极叠设在一起,门电极和阴电极之间设有绝缘垫,门电极和阴电极上开设有安装孔。本实用新型是一种在保证低感连接的条件下,结构简单紧凑、接口简洁、装配方便的圆盘式半导体器件。
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公开(公告)号:CN200962425Y
公开(公告)日:2007-10-17
申请号:CN200620052553.2
申请日:2006-10-20
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种重叠分叉式半导体器件,它包括壳体、阳极、阴极、门电极以及阴电极,所述阳极和阴极分别位于壳体的两端,门电极包括呈环形排列的两个或两个以上的门电极片,所述阴电极包括呈环形排列的两个或两个以上的阴电极片,门电极片和阴电极片的一端位于壳体内阳极和阴极之间,另一端从壳体内引出后布置于壳体的外侧,每一个门电极片与一个阴电极片重叠布置在一起且呈环形排列的门电极片和阴电极片的半径相等,门电极片和阴电极片之间设有绝缘垫,门电极片和阴电极片上开设有安装孔。本实用新型是一种在保证低感连接的条件下,结构简单紧凑、接口简洁、装配方便的重叠分叉式半导体器件。
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公开(公告)号:CN300907361D
公开(公告)日:2009-04-15
申请号:CN200730071037.4
申请日:2007-09-20
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 1.俯视图、仰视图与主视图相同,省略俯视图、仰视图;
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