公开(公告)号：CN102628186B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201210131057.6

申请日：2012-04-28

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 郑立梅 ,  霍晓青 ,  王军军 ,  仪修杰 ,  张锐 ,  曹文武 ,  杨彬

IPC: C30B29/30 ,  C30B15/00

Abstract: 正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基无铅压电单晶的制备方法，它涉及一种功能性单晶材料的制备方法。本发明解决了铌酸钾钠基压电单晶生长困难、尺寸小、压电性能低的技术问题。本方法如下：一、制备料浆；二、合成多晶；三、化料；四、缩颈；五、放肩；六、等径；七、降温。本发明方法工艺简单，生长周期短，成本低廉。本生长工艺生长出的铌酸钾钠基压电单晶径向大小约8mm，长约20mm，尺寸较大，质量均匀，电学性能良好。本发明的正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基压电单晶为纯钙钛矿结构，无其它杂相。室温下锂钽掺杂铌酸钾钠基压电单晶为正交相结构。正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基压电单晶具有非常良好的压电性能。

公开(公告)号：CN103436963A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201310351426.7

申请日：2013-08-13

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 霍晓青 ,  郑立梅 ,  王军军 ,  张锐 ,  王锐 ,  桑士晶 ,  曹文武 ,  杨彬

IPC: C30B29/30 ,  C30B15/00 ,  C30B33/02 ,  H01L41/22

Abstract: 一种高机电耦合性能的钽掺杂铌酸钾钠无铅压电单晶的制备方法，它涉及一种铌酸钾钠基无铅压电单晶的制备方法。本发明要解决现有的铌酸钾钠基无铅压电单晶生长困难、单晶尺寸小和机电耦合系数低的问题。一种高机电耦合性能的钽掺杂铌酸钾钠无铅压电单晶的化学式为(K1-xNax)(Nb1-yTay)O3，其中0.4

公开(公告)号：CN103030386A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201310002886.9

申请日：2013-01-05

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 杨彬 ,  李彩霞 ,  张锐 ,  孙晔 ,  曹文武

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 室温高铁磁-铁电及高磁介电效应的多铁性陶瓷及其制备方法，涉及一种多铁性陶瓷及其制备方法。是要解决现有BiFeO3基固溶体多铁性陶瓷在室温下铁电性和铁磁性弱，磁介电效应较低的问题。多铁性陶瓷的化学式为(1-x)Ba0.70Ca0.30TiO3-xBiFeO3。方法：一、称取将原料；二、将原料混合，球磨，烘干，压块，得到待预烧压片；三、将待预烧压片预烧，得到预烧结压片；四、将预烧结压片粉碎，球磨，加入聚乙烯醇溶液粘合剂，研磨，过筛，压成待烧结薄片，排粘后，将薄片埋入相同组分的粉料中，烧结成瓷，将陶瓷块体打磨、抛光，即为室温高铁磁-铁电及高磁介电效应的多铁性陶瓷。本发明应用于多铁性材料领域。

公开(公告)号：CN102628186A

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201210131057.6

申请日：2012-04-28

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 郑立梅 ,  霍晓青 ,  王军军 ,  仪修杰 ,  张锐 ,  曹文武 ,  杨彬

IPC: C30B29/30 ,  C30B15/00

Abstract: 正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基无铅压电单晶及其制备方法，它涉及一种功能性单晶材料及其制备方法。本发明解决了铌酸钾钠基压电单晶生长困难、尺寸小、压电性能低的技术问题。本方法如下：一、制备料浆；二、合成多晶；三、化料；四、缩颈；五、放肩；六、等径；七、降温。本发明方法工艺简单，生长周期短，成本低廉。本生长工艺生长出的铌酸钾钠基压电单晶径向大小约8mm，长约20mm，尺寸较大，质量均匀，电学性能良好。本发明的正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基压电单晶为纯钙钛矿结构，无其它杂相。室温下锂钽掺杂铌酸钾钠基压电单晶为正交相结构。正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基压电单晶具有非常良好的压电性能。