一种具有体心立方结构四元高熵合金粉末及其制备方法

    公开(公告)号:CN114892058A

    公开(公告)日:2022-08-12

    申请号:CN202210382741.5

    申请日:2022-04-13

    Abstract: 本发明公开了一种具有体心立方结构四元高熵合金粉末及其制备方法,属于粉末冶金技术领域。本发明要解决现有的高能球磨制备的高熵合金粉末存在合金化程度低,匀质性较差以及低产量高成本的问题。本发明方法:将粒径分布均为10微米~100微米的铁粉末、铬粉末、钴粉末和铝粉末混合,然后以300rpm~800rpm的转速进行间歇式球磨至少30h;即得到低成本的元素匀质分布具有BCC的四元高熵合金粉末。本发明方法制备高熵合金粉末保持稳定的bcc结构,四种元素都均匀分布在高熵合金中。本发明应用于冶金领域,金属材料及其制备领域,以及合金加工领域。

    一种抗总剂量辐照的SOI器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN113990846B

    公开(公告)日:2022-07-12

    申请号:CN202111142394.0

    申请日:2021-09-28

    Abstract: 一种抗总剂量辐照的SOI器件及其制备方法,属于辐射防护材料领域。本发明解决目前的高低Z交替叠层的涂层工艺复杂,需要进行多次涂覆并干燥,耗时较长且防护能力有限的问题;也无法实现具有柔性的技术问题。本发明由MAX相陶瓷基体,经过刻蚀后,得到层状结构的Ti3C2Tx材料,然后通过原子层沉积技术将高Z金属沉积到Mxene层状结构中得到复合材料,再将复合材料与树脂基体进行混合后涂覆于SOI器件表面,即得到辐射防护涂层。本发明的材料可用于生活中的防辐射服、医疗方面及核反应中所需的和防护领域。

    用于空间高能质子辐射防护的双组份功能填料复合涂层的制备方法

    公开(公告)号:CN113845817B

    公开(公告)日:2022-07-12

    申请号:CN202111139045.3

    申请日:2021-09-27

    Abstract: 本发明公开了用于空间高能质子辐射防护的双组份功能填料复合涂层的制备方法,属于功能材料制备技术领域。本发明解决了现有屏蔽材料无法同时有效屏蔽中子和γ射线等空间高能质子辐射的问题。本发明通过球磨工艺将稀土金属氧化物与高Z金属材料进行复合,形成核壳结构,再将复合颗粒与树脂基体复合,制备成防辐射涂层。本发明制备的核壳结构复合颗粒在树脂基体中分散开后,会在微观结构上形成不同材料多层交替的结构,实现射线在材料中的交替穿透,使材料具备更好的空间高能质子辐射防护能力的同时,简化了多层交替材料的制备工艺。

    用于宇航级芯片总剂量效应防护的稀土-高Z-石墨烯-复合涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN113881312B

    公开(公告)日:2022-06-17

    申请号:CN202111162293.X

    申请日:2021-09-30

    Abstract: 用于宇航级芯片总剂量效应防护的稀土‑高Z‑石墨烯‑复合涂层及其制备方法,属于辐射防护技术领域。本发明为了解决现有空间抗总剂量效应防护材料性能单一的技术问题。本发明是由功能填料和树脂基体组成的。所述的功能填料是由表面定向排布有稀土金属氧化物与高Z材料的石墨烯纳米卷组成,然后将其与树脂基体混合,利用超声辅助热喷涂装置将其涂覆于宇航级芯片表面,分段固化成型。本发明可有效提高复合涂层整体的总剂量效应辐照性能,有效防止辐照对涂层及基底产生降解和性能退化作用。

    一种屏蔽中子和γ射线的纳米稀土氧化物复合粉体及其复合材料以及制备方法

    公开(公告)号:CN113667375B

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN202110876124.6

    申请日:2021-07-30

    Abstract: 一种屏蔽中子和γ射线的纳米稀土氧化物复合粉体及其复合材料以及制备方法;属于辐照屏蔽材料制备及其应用领域。本发明解决传统稀土金属氧化物受到辐照易产生二次辐射、易在有机树脂基体中团聚、浸润性差、对中子屏蔽性能差等缺点,与树脂基底形成复合涂层材料时强度差等缺点。本发明的纳米粉体材料呈核壳结构;稀土金属氧化物纳米颗粒为核,低Z金属氧化物包覆层为壳,由稀土金属氧化物纳米颗粒外表面均匀沉积低Z金属氧化物薄膜组成。将其与树脂混合,均匀的分散到有机树脂基体中,形成涂层或者块状结构。本发明可提高航天器集成电路封装的可靠性,免受γ射线、中子辐射的影响,还可应用于核辐射防护、医学X射线防护等领域。

    一种具有紫外波段高吸收的超黑涂层的制备方法

    公开(公告)号:CN113245161B

    公开(公告)日:2022-03-25

    申请号:CN202110401091.X

    申请日:2021-04-14

    Abstract: 本发明公开了一种具有紫外波段高吸收的超黑涂层的制备方法,属于空间光学系统杂散光抑制领域。本发明解决了现有的常规喷涂工艺制备超黑涂层普遍存在紫外波段吸收率较低的问题。本发明以炭黑作为黑色着色剂,通过调控多层喷涂工艺中炭黑着色剂质量分数构建具有浓度梯度过渡的可控结构膜层,并采用原子层沉积技术在超黑涂层表面沉积TiO2薄膜。本发明利用原子层沉积技术的高保形性特征在不影响超黑涂层表面杂散光抑制结构的基础上进一步提升超黑材料的紫外波段吸收率,扩展此种超黑涂层在空间光学领域的应用空间。

    一种对分子污染物吸附脱附性能分析测试的装置及方法

    公开(公告)号:CN114112774A

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN202111353337.7

    申请日:2021-11-16

    Abstract: 本发明提出了一种对分子污染物吸附脱附性能分析测试的装置及方法,属于污染物吸附领域。解决了吸附材料在不同真空度和宽温域条件下,对分子污染物进行分析测试的问题。装置包括冷辐射系统、热辐射系统、真空系统、天平传感器、吸附材料置物台、分子污染物加热台和真空罐。所述冷辐射和热辐射系统位置相对的设置在真空罐内,分别对真空罐进行制冷和制热,其可作为真空罐的热沉装置,以保证真空罐内温度均匀;天平传感器与吸附材料置物台相连,吸附材料置物台设置在冷辐射系统和热辐射系统之间,以达到任何位置都可收集污染物的目的;分子污染物加热台设置在真空罐底部,对真空罐进行加热。它主要用于分子污染物的分析和测试。

    一种抗重离子单粒子效应的flash器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN113990540A

    公开(公告)日:2022-01-28

    申请号:CN202111144096.5

    申请日:2021-09-28

    Abstract: 本发明公开了一种抗重离子单粒子效应的flash器件及其制备方法,属于防辐射技术领域。本发明要解决现有flash器件对空间辐射(尤其是单粒子效应)并不具有免疫性,而导致器件的性能下降、使用寿命短等问题。本发明由MAX制备Mxene,将重金属纳米颗粒填充于Mxene中,所制得的层状材料与树脂混合后涂覆于flash器件表面,所述防辐射材料为层状结构。本发明应用于航天器、核反应堆、核防护,医疗等领域,具有十分广泛的应用前景。

    一种硼基材料改性的稀土氧化物空间n-γ混合场辐射屏蔽的复合涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN113969078A

    公开(公告)日:2022-01-25

    申请号:CN202111139058.0

    申请日:2021-09-27

    Abstract: 本发明公开了一种硼基材料改性的稀土氧化物空间n‑γ混合场辐射屏蔽的复合涂层及其制备方法,属于功能材料制备技术领域。本发明解决了现有稀土金属氧化物受到辐射会产生二次辐射,以及稀土金属氧化物纳米颗粒易团聚,在树脂中浸润性差,与树脂基底形成复合涂层材料时强度差,对中子辐射屏蔽性能差等问题。本发明通过化学气相沉积法在稀土氧化物纳米颗粒外表面沉积一层致密且厚度可控的BN或BC膜层,形成核壳结构粉体,再将其与树脂基体复合,制备成防辐射涂层。本发明制备的核壳结构极大增强了稀土氧化物纳米粒子在树脂基体中的浸润性和分散均匀度,对树脂基体的强度起到增强作用的同时,有效屏蔽γ射线和中子,并减少二次辐射。

    用于宇航级芯片总剂量效应防护的稀土-高Z-石墨烯-复合涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN113881312A

    公开(公告)日:2022-01-04

    申请号:CN202111162293.X

    申请日:2021-09-30

    Abstract: 用于宇航级芯片总剂量效应防护的稀土‑高Z‑石墨烯‑复合涂层及其制备方法,属于辐射防护技术领域。本发明为了解决现有空间抗总剂量效应防护材料性能单一的技术问题。本发明是由功能填料和树脂基体组成的。所述的功能填料是由表面定向排布有稀土金属氧化物与高Z材料的石墨烯纳米卷组成,然后将其与树脂基体混合,利用超声辅助热喷涂装置将其涂覆于宇航级芯片表面,分段固化成型。本发明可有效提高复合涂层整体的总剂量效应辐照性能,有效防止辐照对涂层及基底产生降解和性能退化作用。

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