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公开(公告)号：CN114496691B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202011173116.7
申请日：2020-10-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种静电卡盘固定结构，涉及半导体制造技术领域，用于解决聚焦环可能会发生物理性偏移的问题。该静电卡盘固定结构由聚焦环和基底组成；所述基底工作侧上设置有第一连接部；所述聚焦环的环平面上设置第二连接部；所述聚焦环包覆静电卡盘的边缘；所述基底和所述聚焦环通过所述第一连接部与所述第二连接部卡合连接。本发明能够防止聚焦环在长时间工艺流片中发生物理性偏移，进而保证刻蚀后不会发生图形漂移，从而提高蚀刻过程中晶圆的良率。
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公开(公告)号：CN114964349B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202110188872.5
申请日：2021-02-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种腔室压力测量装置、测量方法及半导体制造设备，属于半导体制造技术领域，解决了现有技术中腔室内部压力测量不精确的问题。本发明腔室压力测量装置，包括压力计和温度调节单元；所述温度调节单元设置在所述压力计上，用于将所述压力计内的温度调节至与所述腔室内的温度一致；所述压力计设置在腔室壁上，且与腔室连通，用于测量腔室内部压力。本发明实现了腔室压力的精准测量。
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公开(公告)号：CN113948359B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202010695475.2
申请日：2020-07-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种静电吸盘，所述静电吸盘包括：一电介质层，该电介质层中设置有正电极和负电极，所述静电吸盘还包括供电系统，该供电系统包括基本电压源、基本电压控制器以及自偏压传感器，其中，基本电压源连接于正电极和负电极之间，用于供应正电极和负电极各自需要的电荷；自偏压传感器用于对自偏压进行检测，自偏压为静电吸盘所吸附的晶圆的表面在等离子体环境下形成的负的电压；基本电压控制器用于根据自偏压的值对基本电压源的输出电压进行控制，以使自偏压与静电吸盘的正电极电压之间的电压差无法形成电弧。本发明能够防止静电吸盘出现拉弧。
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公开(公告)号：CN117580359A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202210934850.3
申请日：2022-08-04
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H10B12/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，涉及半导体制造技术领域，用于在减少半导体器件工艺步骤的同时，提高半导体器件的制造效率。所述半导体器件的制造方法包括：提供一基底。基底包括衬底、以及形成在衬底上的第一掩膜图案。第一掩膜图案包括至少两个芯轴、以及位于相邻两个芯轴之间的芯轴槽。形成覆盖衬底和第一掩膜图案的侧墙层。侧墙层位于芯轴槽内的部分围成间隙。在间隙内形成多晶填充层。采用原位刻蚀工艺去除侧墙层位于芯轴的顶部和侧壁上的部分形成目标掩膜图案，以及在目标掩膜图案的掩膜下刻蚀衬底形成栅极沟槽。
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公开(公告)号：CN115332034A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202110507244.9
申请日：2021-05-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种刻蚀腔室清洁系统、清洁方法及半导体刻蚀设备，属于集成电路制造技术领域，解决了现有刻蚀腔室环境稳定性差导致的刻蚀工艺漂移的问题。本发明的刻蚀腔室清洁系统，包括用户操作单元、晶圆工艺采集单元和刻蚀腔室清洁单元，晶圆工艺采集单元与刻蚀设备连接，用于收集晶圆刻蚀过程中的工艺参数；用户操作单元能够根据晶圆工艺采集单元收集的数据，设定刻蚀腔室清洁参数；刻蚀腔室清洁单元与刻蚀设备连接，用于控制刻蚀设备执行腔室刻蚀清洁过程。本申请能够有效去除刻蚀腔室内部的颗粒物，维持刻蚀腔室的环境一致性，保证晶圆的刻蚀速率及刻蚀均匀性等工艺参数的稳定性，避免刻蚀工艺的漂移，有效提高了晶圆良率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115332033A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202110507228.X
申请日：2021-05-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明提供了一种刻蚀流程控制方法和装置，涉及蚀刻技术领域，用于解决由于固有误差以及等离子气体对阀门的腐蚀而引发的晶圆良率降低的问题。其中，所述方法包括：接收刻蚀启动指令；根据所述刻蚀启动指令，从终阀获取第一气流量数据，以及从预设的检测节点获取第二气流量数据；根据所述第一气流量数据和所述第二气流量数据，确定理论气流量与实际气流量的流量偏差；根据所述流量偏差与预设取值范围的关系，控制当前刻蚀流程。本发明提供的技术方案能够提高晶圆良率。
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公开(公告)号：CN115206827A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202110396417.4
申请日：2021-04-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开一种半导体处理系统，涉及半导体加工技术领域，用以提高晶圆边缘的平整度，进而提高晶圆产品的质量。该半导体处理系统包括：控制器，与所述控制器通信的旋转设备及至少一个激光设备；所述旋转设备用于承载所述晶圆；所述控制器用于控制所述旋转设备带动所述晶圆旋转，还用于在所述旋转设备带动所述晶圆旋转的过程中，控制所述激光设备对所述晶圆边缘区域的副产物进行刻蚀处理。
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公开(公告)号：CN114824078A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110113945.4
申请日：2021-01-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L49/02 , H01L27/108
Abstract: 本发明提供的一种半导体结构及其制作方法以及DRAM，涉及半导体技术领域，包括半导体衬底；多个下电极，下电极形成在半导体衬底的至少部分区域上；多个下电极分布为多排结构，且相邻排下电极相互交错排布；至少一层支撑件，所述支撑件包括多个支撑开口，每个所述支撑开口均经过可围成六棱形的多个相邻下电极，且该围成六棱形的相邻下电极属于相邻三排。在上述技术方案中，通过将单个支撑开口同时连接相邻近的更多数量下电极，此时便需要支撑开口具备相当的面积，即便整体半导体结构进行缩小化处理，下电极和相应的支撑开口均相应的缩小，由此单个支撑开口所连接的下电极数量维持在较多的水平。
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公开(公告)号：CN114695161A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011558371.3
申请日：2020-12-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体设备，包括半导体设备本体和设置在所述半导体设备本体中的排液管线，其中，所述排液管线包括第一管线和第二管线，其中，所述第一管线设置在所述第二管线中，且所述第一管线上设置有多个开孔；所述第一管线用于将疏通剂通过所述多个开孔喷射到所述第二管线中。本发明公开的半导体设备，解决了现有技术中管线堵塞导致半导体设备产能下降的问题，能够有效降低管线堵塞的概率和使得产能得以提高。
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公开(公告)号：CN114695050A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011628567.5
申请日：2020-12-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种等离子体刻蚀设备及陶瓷窗口的温控方法，属于半导体制造技术领域，解决了陶瓷窗口温度会随着工艺前后而变化，会产生工艺的再现性与重复性不良的问题。本发明等离子体刻蚀设备包括陶瓷窗口及用于维持陶瓷窗口温度稳定的加热装置和冷却装置；加热装置包括灯座和紫外线灯，紫外线灯设置有1个以上，且均匀设置在灯座上，灯座设置在陶瓷窗口上方；冷却装置包括多个冷却喷嘴，冷却喷嘴用于喷射冷却气体，多个冷却喷嘴均匀设置在陶瓷窗口的外围。
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