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公开(公告)号：CN103100977A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310032780.3
申请日：2013-01-29
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明公开了一种高强度的金刚石砂轮修整笔及其制备方法。特点是利用热压烧结技术，将聚晶金刚石与WC硬质合金烧结在一起作为修整笔的笔头。其具体步骤包括：清洗聚晶金刚石表面，按照一定的WC基硬质合金材料配方称量、处理粉末，将金刚石与硬质合金材料烧结好后得到的修整笔笔头钎焊至笔杆上得到高强度的金刚石砂轮修整笔。本发明制备得到的砂轮修整笔具有优良的耐热性和强度，可以达到精确加工的要求并延长使用寿命，降低综合成本的优点。其工艺可操作性强，重复性好。
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公开(公告)号：CN102994964A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210519914.X
申请日：2012-12-07
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 一种金属硫化物掺杂类金刚石复合薄膜的制备方法，特征是利用惰性气体离子束同时溅射含硫复合靶与石墨靶，同时离子束辅助轰击工件表面沉积制备金属硫化物掺杂类金刚石薄膜。具体实施步骤为：首先使用去离子水超声波清洗工件表面，利用惰性气体离子束对材料及靶材表面进行溅射清洗，然后利用溅射离子束溅射制备金属过渡层，再在过渡层上制备金属硫化物掺杂类金刚石复合薄膜。本发明制备的薄膜在力学与摩擦学性能上相对其他方法制备的薄膜有很大的提高，并且具有制备工艺简单，重复性好等优点。
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公开(公告)号：CN101839707B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201010166498.0
申请日：2010-05-10
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: G01B21/08
Abstract: 本发明提出一种测量固体薄膜厚度的新方法，属于分析仪器及其材料性能测试技术领域。所述方法采用纳米压痕仪，通过改进纳米压痕卸载曲线的分析方法从而测量薄膜的厚度。所述方法对所有薄膜厚度的测试均基于纳米压痕技术，通过分析卸载曲线的一个代表残余应力项的拟合参数和最大载荷的比值的极值确定出膜厚。所述方法可以在不露出基体表面的情况下进行，不需要对已有的设备进行改装，只需改变分析方法，适用范围广泛，任何膜厚小于纳米压痕仪最大压痕深度的薄膜材料都可以使用。
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公开(公告)号：CN101787521B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201010132916.4
申请日：2010-03-24
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 一种金属硫化物DLC复合薄膜的制备方法，特征是首先利用超声波清洗技术去除基体表面污染层，利用离子源产生的惰性气体离子束对基体表面进行离子束轰击清洗，然后在高工件负偏压下利用阴极电弧源产生的金属离子对基体表面进行金属离子轰击清洗，再利用阴极电弧沉积或离子束辅助磁控溅射制备梯度过渡层，在过渡层上利用离子束沉积+磁控溅射合成至少包含W、Mo、Fe中的一种金属元素掺杂DLC膜，离子束沉积通过向离子源中通入含碳气体实现，最后利用离子硫化获得高硫含量的金属硫化物/DLC复合薄膜，硫源采用含硫的气体。
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公开(公告)号：CN101640090B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200910089645.6
申请日：2009-07-28
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种高性能掺杂Ni-Zn系铁氧体软磁材料及制备方法，属于电子陶瓷制备及应用技术领域。所述材料主成分为Fe2O3 47.0～50.0mol％、ZnO 24.0～26.0mol％和NiO24.0～26.0mol％，外加副成分为Bi2O3 0.5～5.0wt％、MnCO3 0.5～5.0wt％，并至少含有一种以上如下掺杂成分：Al2O3 0～75mol％、Pr6O11 0.1～10mol％和WO3 0.2～10mol％。所述材料制备方法依次包括“配料→高能球磨→烘干→混合整粒→过筛→压制成型→烧结”工艺方法和步骤，仅需要一个铁氧体烧结合成步骤，经济、简单、可靠。用本发明提供的材料配方及制备方法所得Ni-Zn系铁氧体软磁材料的烧结体的平均晶粒尺寸为1～10μm，在频率1MHz时的起始磁导率μi至少为100，居里温度Tc至少为300℃，矫顽力小于4.5Oe；截止频率fr高于10MHz，1k-100MHz范围内磁损耗(μ″/μ′)小于2.00，介电损耗(ε″/ε′)小于0.03，综合性能优良，特别适合高频大磁场通讯器件应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101609735B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200910089459.2
申请日：2009-07-21
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种以Si3N4为内核、SiO2为外壳的Si3N4/SiO2同轴纳米电缆阵列的高纯度、高密度、高产率的制备方法，属于材料制备技术领域。本发明采用热解有机前驱体在镀有金属催化剂的基片上合成Si3N4/SiO2同轴纳米电缆阵列。含有步骤(1)高含氮量的聚硅氮烷在160-300℃下的低温交联固化，得到半透明的非晶SiCN固体；(2)交联固化后的非晶SiCN固体在高耐磨器具中的高能球磨、粉碎；(3)高能球磨后得到的前驱体粉末在含有一定量氧气的载气保护下的高温热解、蒸发，并在镀有金属催化剂薄膜的基片上沉积得到所述的结构。所述方法合成工艺和设备简单，工艺参数可控性强，成本低廉，所得Si3N4/SiO2同轴纳米电缆生长有序，产量大、密度高、纯度高且直径分布均匀。所合成的同轴纳米电缆结构在原子力显微镜、近场光学显微镜、纳米力学探针和新型纳米复合材料增强剂等方面有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN101806690B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010161619.2
申请日：2010-05-04
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种固体薄膜和膜基界面的物理性质测试方法，属于分析仪器及材料性能测试技术领域。所述方法基于纳米压痕连续刚度曲线，将膜基系统弹性模量平方比硬度作为纵坐标，压痕深度作为横坐标，按照迭代筛选最小二乘法拟合曲线，分析和标定各拟合参数，从而测量薄膜的物理性质，包括厚度、弹性模量平方与硬度的比值，并能表征与界面层厚度相关的参数、以及表征界面层弹性模量平方与硬度比值相关的参数等。所述方法对所有薄膜与膜基界面的物理性质的测试均基于纳米压痕技术，可以在不露出基体表面的情况下进行，不需要对已有的设备进行改装，只需改变分析方法，适用范围广泛，任何膜厚小于纳米压痕仪最大压痕深度的薄膜材料都可以使用。
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公开(公告)号：CN101787521A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010132916.4
申请日：2010-03-24
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 一种金属硫化物DLC复合薄膜的制备方法，特征是首先利用超声波清洗技术去除基体表面污染层，利用离子源产生的惰性气体离子束对基体表面进行离子束轰击清洗，然后在高工件负偏压下利用阴极电弧源产生的金属离子对基体表面进行金属离子轰击清洗，再利用阴极电弧沉积或离子束辅助磁控溅射制备梯度过渡层，在过渡层上利用离子束沉积+磁控溅射合成至少包含W、Mo、Fe中的一种金属元素掺杂DLC膜，离子束沉积通过向离子源中通入含碳气体实现，最后利用离子硫化获得高硫含量的金属硫化物/DLC复合薄膜，硫源采用含硫的气体。
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公开(公告)号：CN101367645A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810117838.3
申请日：2008-08-06
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种铁氧体陶瓷软磁材料制备方法，属于电子陶瓷制备及应用技术领域。所述陶瓷为纯相尖晶石相铁氧体。所述材料制备方法包括“配料→高能球磨→烘干→混合整粒→过筛→压制成型→烧结”等工艺步骤。与传统铁氧体材料制备方法相比，所述方法只需一次烧结，简称“一步合成法”；由于制备工艺更简单，降低了设备和工艺成本，提高了工艺可靠性和可控性；采用高纯高耐磨氧化锆磨介，可精确控制掺杂元素比例；采用特殊烧结助熔剂，烧结温度低。由于材料组成精确可控、晶粒大小均匀可控、缺陷少，所得铁氧体材料磁学性能优异，高频特性好，品质因素高，可广泛用于高质量高频器件制备和生产。本发明也可用于其他类型电子陶瓷材料等。
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公开(公告)号：CN213530850U
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202022342214.0
申请日：2020-10-20
Applicant: 中国地质大学(北京) , 中国地质大学(北京)郑州研究院
Abstract: 本实用新型公开了一种电池用外壳机械加工钻孔装置，属于机械加工技术领域，所述电池用外壳机械加工钻孔装置包括支架，所述支架内侧壁固定连接有工作台，所述工作台外侧壁镶嵌连接有测量尺，且工作台下端贯通连接有集尘管，所述集尘管左侧贯通连接有集尘箱，所述集尘箱与支架进行固定连接。本实用新型通过将用来装配电池的外壳放置在两夹块之间，在工作台两端转动摇把，摇把带动丝杆沿丝杆套内壁进行螺纹进给运动，继而带动夹块对电池装配工件进行夹持固定，在这一过程中通过测量尺对照工件与钻孔头之间的相对位置，并根据具体打孔位置对两面夹块位置进行左右调节，继而调节工件打孔位置，装置打孔精度高，适合被广泛推广和使用。
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