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公开(公告)号：CN101980024A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN201010501561.1
申请日：2010-09-29
Applicant: 东南大学
Inventor： 李伟华
Abstract: 矩形铂金薄膜二维风速风向传感器的最下层是半导体硅衬底(101)，在硅衬底(101)上制作发热电阻(102)，在具有发热电阻(102)的硅衬底(101)之上是二氧化硅绝缘层(103)，二氧化硅绝缘层(103)之上采用矩形的铂金薄膜(104)作为传感面，铂金电极(105)位于矩形的铂金薄膜(104)外；由发热电阻产生的热量形成矩形的铂金薄膜电阻率的初始分布，流动的空气移动了热量并导致矩形的铂金薄膜电阻率分布发生变化，利用热分布变化引起铂金薄膜电阻率分布变化的原理测量风速和风向。
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公开(公告)号：CN101799630A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010106316.0
申请日：2010-02-02
Applicant: 东南大学
Abstract: 厚胶介质补偿紫外光斜入射光刻工艺的光强分布模拟方法提供了一种用于厚胶(SU-8胶)介质补偿紫外光斜入射光刻工艺的光强分布模拟方法，a、基于光学标量衍射理论的菲涅耳—基尔霍夫衍射积分方程，利用紫外光斜入射的旁轴近似技术来处理这个积分方程。同时，根据目前采用在掩模版和SU-8胶之间的空气间隙填充补偿介质来减小衍射问题的方法，推出了适合SU-8胶介质补偿紫外光斜入射光刻工艺的光强计算模型；b、斜入射紫外光的光强计算模型中，综合考虑了空气/补偿介质、补偿介质/SU-8胶界面的反射与折射，SU-8胶/衬底界面的反射，以及紫外光在SU-8胶内的衰减等因素，可以快速、精确地模拟SU-8胶内部斜入射紫外光的光强分布。
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公开(公告)号：CN100570616C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200810022645.X
申请日：2008-07-18
Applicant: 东南大学
Abstract: 微机电变截面固支梁系统级宏模型的建立方法涉及微机电系统(MEMS)器件系统级建模方法，在变截面固支梁一维信号流模型中引入弹性回复力修正项，将因宽梁部分的宽度方向弯曲所产生的两维效应转换为一维模型修正，使得模型精度远高于一维信号流图模型；借助此模型和方法可以方便地对不同尺寸双端固支变截面梁进行系统级模拟，分析变截面梁的静态行为和动态行为。
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公开(公告)号：CN100542947C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200710133887.1
申请日：2007-10-12
Applicant: 东南大学
Abstract: 微机电器件加工中不同导电层图形对准误差电学测试结构，以金属层为基本层，设计各导电层间对准误差的测试结构，该结构中半导体层为二块分离、同一材料但不同形状图形的半导体，一块为梯形，另一块为矩形，二者平行；与半导体层接触、形成连接的金属层为二根平行、有间距的金属条，其中一条垂直覆盖梯形的上、下底及矩形的二长边，另一条覆盖梯形的钝角部位且于二块半导体之间的分离区截断，两金属条和它们中间的半导体共同形成一个具有连接线的电阻，当金属与半导体导电层之间存在相对偏移时，测试电阻变化，可得到金属层图形相对于半导体导电材料层图形的对准误差。
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公开(公告)号：CN100489444C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200710135587.7
申请日：2007-11-13
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供了一种表面加工MEMS器件结构中绝缘层厚度的电学测试结构，其基本出发点是通过电学测量的方式得到绝缘层厚度值。在表面加工工艺中，MEMS器件结构绝缘层通常是二氧化硅、氮化硅或聚合物。本发明利用绝缘层材料上面具有导电性质的多晶硅和绝缘层上的沟槽，设计电学测试结构，通过测量多晶硅条的电阻并代入数学模型求得绝缘层的厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101144701A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710133888.6
申请日：2007-10-12
Applicant: 东南大学
IPC: G01B7/00 , B81C5/00 , H01L23/544 , H01L21/66
Abstract: 一种微机电系统器件加工中绝缘层与半导体导电层图形对准误差电学测试结构，以金属层为基本层，设计对准误差的测试结构，该结构中半导体层为二块分离、同一材料但不同形状图形的半导体，一块为梯形，另一块为矩形，二者平行；与半导体层接触、形成连接的金属层为二根平行、有间距的金属条，其中一条垂直覆盖梯形的上、下底及矩形的二长边，另一条覆盖梯形的钝角部位及矩形的二长边且于二块半导体之间的分离区截断，半导体层下面的绝缘层上分别对应于金属条的部位，相应开有条状引线孔，其尺寸小于相应部位的金属条但与金属条一样必须覆盖梯形及矩形半导体的相同部位，两金属条和它们中间的半导体共同形成一个具有连接线的电阻，当绝缘层图形与半导体导电层图形之间存在相对偏移时，测试R2变化，得到绝缘层与半导体导电层图形对准误差。
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公开(公告)号：CN101143704A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710133887.1
申请日：2007-10-12
Applicant: 东南大学
Abstract: 微机电系统器件加工中不同导电层图形间对准误差电学测试结构，以金属层为基本层，设计各导电层间对准误差的测试结构，该结构中半导体层为二块分离、同一材料但不同形状图形的半导体，一块为梯形，另一块为矩形，二者平行；与半导体层接触、形成连接的金属层为二根平行、有间距的金属条，其中一条垂直覆盖梯形的上、下底及矩形的二长边，另一条覆盖梯形的钝角部位且于二块半导体之间的分离区截断，两金属条和它们中间的半导体共同形成一个具有连接线的电阻，当金属与半导体导电层之间存在相对偏移时，测试电阻变化，可得到金属层图形相对于半导体导电材料层图形的对准误差。
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公开(公告)号：CN101143703A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710133886.7
申请日：2007-10-12
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种微机电系统器件加工中金属层与绝缘层图形对准误差电学测试结构，以金属层为基本层，设计准误差测试结构，该结构中半导体层为二块分离、平行设置、同一材料、同为矩形的半导体；下面的绝缘层上分别对应于二块半导体的部位，相应开有一个梯形及一个矩形窗口，与半导体层接触、形成连接的金属层为二根平行、有间距的金属条，其中一条垂直覆盖梯形窗口的上、下底及矩形窗口的二长边，另一条覆盖梯形窗口的钝角部位及矩形窗口的二长边且于二块半导体之间的分离区截断，两金属条和它们中间的半导体共同形成一个具有连接线的电阻，当金属层图形与绝缘层图形之间存在相对偏移时，测试电阻变化，可得到当金属层图形与绝缘层图形之间对准偏移的误差值。
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公开(公告)号：CN100368795C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200410065842.1
申请日：2004-12-22
Applicant: 东南大学
Abstract: 测量多晶硅薄膜热膨胀系数的测量结构及其测量方法是基于表面加工工艺的多晶硅薄膜热膨胀系数的在线检测结构，该结构由一个多晶硅双直梁结构以及两个多晶硅弯梁结构构成，在直梁的中间部分镀有铝膜，多晶硅弯梁结构由两个相同的弯梁组成，弯梁中间的顶端设有尖端，其尖端对着铝膜；测量方法为：制备测量梁结构；在室温时对直梁分别通入一微小电流I1和I0，测量其两端的电压V1和V0，得出电阻率ρ1和ρ0；选择两弯梁结构组中的任一个弯梁，总长为L2，对其通入电流I2，测量其两端的电压V2，测量出电阻率ρ2，对弯梁的两端分别通入缓慢增加的电流，观察连接弯梁与直梁锚区的欧姆表的读数是否有一个从无穷大到有限值的跳变；就可以得出热膨胀系数α。
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公开(公告)号：CN1837779A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200610039511.X
申请日：2006-04-13
Applicant: 东南大学
IPC: G01N17/00
Abstract: 硅各向异性腐蚀过程模拟的元胞自动机方法是硅各向异性腐蚀过程模拟技术，该方法采用硅的晶格结构作为元胞自动机的晶格结构，根据一个表面元胞与其一级相邻元胞的连接状态及这些一级相邻元胞相对于腐蚀界面的位置，这些一级相邻元胞与二级相邻元胞的连接状态及这些二级相邻元胞相对于腐蚀界面的位置，来确定该表面元胞所在晶面；本发明可以有效地引入硅各向异性腐蚀过程中出现的高密勒指数晶面，具有精度高的优点。这对于有效地实现硅各向异性腐蚀过程精确模拟具有实用意义。
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