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公开(公告)号：CN111019658A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201811173681.6
申请日：2018-10-09
申请人： TCL集团股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种核壳结构纳米晶的制备方法，包括以下步骤：提供量子点核，将所述量子点核分散在含有有机胺的溶液中进行加热处理；在所述量子点核表面进行N次壳层生长，制备N层壳层，得到核壳结构纳米晶，用于所述壳生长的壳源阳离子前驱体为金属有机羧酸盐；在不同次序的M次相邻壳层生长步骤之间，向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入有机胺进行混合和加热后，再进行后一壳层的生长；其中，N为大于等于2的正整数；M为正整数，且M的取值满足：N/3≤M≤N-1；将所述核壳结构纳米晶分散在含有有机酸的溶液中进行加热处理。
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公开(公告)号：CN111019635A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201811173683.5
申请日：2018-10-09
申请人： TCL集团股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种核壳结构纳米晶的制备方法，包括以下步骤：提供量子点核，将所述量子点核分散在含有有机胺的溶液中进行加热处理；在所述量子点核表面进行N次壳层生长，制备N层壳层，得到核壳结构纳米晶，用于所述壳生长的壳源阳离子前驱体为金属有机羧酸盐；在不同次序的M次相邻壳层生长步骤之间，向已形成前一壳层的壳层生长反应体系中加入有机胺进行混合和加热后，再进行后一壳层的生长；其中，N为大于等于2的正整数；M为正整数，且M的取值满足：N/3≤M≤N-1；将所述核壳结构纳米晶分散在含有有机膦的溶液中进行加热处理。
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公开(公告)号：CN109449316B
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201811308855.5
申请日：2016-04-19
申请人： TCL集团股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种In掺杂MoO3薄膜的制备方法。所述In掺杂MoO3薄膜的制备方法，包括以下步骤：提供铟盐和MoO3，将所述铟盐和MoO3溶于有机溶剂中形成混合溶液，在所述混合溶液中加入无机酸后进行加热处理，得到前驱体溶液，其中，所述加热处理的温度为50‑80℃；提供基底，将所述前驱体溶液采用溶液加工方法沉积在所述基底上，然后进行退火处理，得到In掺杂MoO3薄膜，其中，所述退火温度为150‑350℃。
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公开(公告)号：CN109205553B
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201710534984.5
申请日：2017-07-03
申请人： TCL集团股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种改性介孔金属氧化物纳米颗粒，所述改性介孔金属氧化物纳米颗粒由介孔金属氧化物和与所述介孔金属氧化物表面的O2‑共价结合的卤素分子组成，且所述介孔金属氧化物与所述卤素分子的比例为100mg:(0.01‑0.1)mol，所述介孔金属氧化物的介孔大小为1‑10nm，所述介孔金属氧化物的比表面积为150‑300m2/g。
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公开(公告)号：CN106060959B
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201610687487.4
申请日：2016-08-18
申请人： TCL集团股份有限公司
摘要： 本发明适用于通信技术领域，提供了一种防止网络连接消息重发的方法及装置、android系统，该方法包括：接收到网络发生变化的广播；判断当前网络的连接状态；当判断网络正常连接时，判断是否已创建网络正常连接消息；当判断为否时，创建并发送网络正常连接消息。本发明中，实时侦测网络状况，当网络发生变化时，及时发出网络发生变化的广播，若判断当前网络正常连接时，确认未发送网络正常连接消息时，才发送网络正常连接消息，可防止网络连接消息的重发。
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公开(公告)号：CN110970569A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201811150231.5
申请日：2018-09-29
申请人： TCL集团股份有限公司
摘要： 本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管包括：阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点发光层、设置在所述阳极和量子点发光层之间的空穴传输层，其中，所述空穴传输层包括金属氧化物纳米颗粒和黑磷纳米材料，所述黑磷纳米材料表面含有P-O-P键，所述黑磷纳米材料表面的P-O-P键中的氧元素与金属氧化物纳米颗粒中的金属元素配位结合。本发明空穴传输层中，通过在金属氧化物纳米颗粒之间分散黑磷纳米材料，可以明显改善金属氧化物纳米颗粒的空穴迁移率，从而提高空穴传输层的空穴传输效率，进而提高量子点发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN110970568A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201811150184.4
申请日：2018-09-29
申请人： TCL集团股份有限公司
摘要： 本发明公开一种量子点发光二极管，其包括设置在所述阳极与所述量子点发光层之间的空穴功能层，所述空穴功能层包括空穴传输层和空穴缓冲层，所述空穴传输层靠近所述阳极设置，所述空穴缓冲层靠近所述量子点发光层设置，所述空穴缓冲层包括一层与所述空穴传输层贴合设置的第一空穴缓冲子层，所述第一空穴缓冲子层的材料为第一空穴缓冲材料或者为由第一空穴缓冲材料和第一空穴传输材料组成的混合材料，其中所述第一空穴缓冲材料的电导率小于1×10-8Sm-1。所述空穴缓冲层可宽化空穴累积区域，并使空穴累积区与激子复合区分离，减小空间电场对量子点的荧光猝灭，既可以提高空穴传输层的耐电性，又可以提高QLED的发光效率、稳定性和寿命。
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公开(公告)号：CN110964506A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201811157040.1
申请日：2018-09-30
申请人： TCL集团股份有限公司
摘要： 本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种量子点的制备方法。所述制备方法包括如下步骤：提供III族阳离子前驱体和配体，所述III族阳离子前驱体包括一种或多种乙酰丙酮金属盐前驱体；将所述III族阳离子前驱体和配体溶于溶剂中，在第一温度条件下进行加热处理，得到混合溶液；将所述混合溶液继续升温至第二温度，然后向所述混合溶液中加入V族阴离子前驱体，进行成核反应，得到III-V族量子点核溶液。所述制备方法不仅技术稳定、工艺简单、成本低，有利于后期规模化制备，而且所制备的量子点具有很好的尺寸分散性，可显著收窄峰宽。
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公开(公告)号：CN110964505A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201811156612.4
申请日：2018-09-30
申请人： TCL集团股份有限公司
摘要： 本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种量子点及其制备方法。所述制备方法包括如下步骤：提供III族阳离子前驱体和配体，所述III族阳离子前驱体包括一种或多种乙酰丙酮金属盐前驱体和一种或多种金属卤化物前驱体；将所述III族阳离子前驱体和配体溶于溶剂中，在第一温度条件下进行加热处理，得到混合溶液；将所述混合溶液继续升温至第二温度，然后向所述混合溶液中加入V族阴离子前驱体，进行成核反应，得到III-V族量子点核溶液。所述制备方法不仅技术稳定、工艺简单、成本低，有利于后期规模化制备，而且所制备的量子点具有更高的发光效率和显著收窄峰宽。
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公开(公告)号：CN110964501A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201811156030.6
申请日：2018-09-30
申请人： TCL集团股份有限公司
摘要： 本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种量子点的制备方法。所述制备方法包括如下步骤：提供III族阳离子前驱体和配体，将所述III族阳离子前驱体和配体溶于溶剂中，在第一温度条件下进行加热处理，得到混合溶液；将所述混合溶液继续升温至第二温度，然后向所述混合溶液中加入V族阴离子前驱体，进行成核反应，得到III-V族量子点核溶液。所述制备方法技术稳定、工艺简单、成本低，非常有利于后期规模化制备。
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