一种适用于多母线电压可扩展微纳卫星电源控制器及方法

    公开(公告)号:CN110224390A

    公开(公告)日:2019-09-10

    申请号:CN201910502138.4

    申请日:2019-06-11

    Abstract: 本发明公开了一种适用于多母线电压可扩展微纳卫星电源控制器,包含一个功率调节模块或者相互并联的多个功率调节模块,用以输出设定大小的负载功率;每个所述功率调节模块包含若干个相互并联的功率输出单元,每个所述功率输出单元包含一条太阳电池DC/DC电路或者相互串联的多条太阳电池DC/DC电路,每条太阳电池DC/DC电路中设置有一太阳电池单元以及与太阳电池单元相连的DC/DC电路,所述DC/DC电路连接一MPPT控制模块,MPPT控制模块用于控制对应的DC/DC电路工作于MPPT模式。其优点是:本发明的适用于多母线电压可扩展微纳卫星电源控制器,通过并联+串联的方式来实现输出电压提升输出功率扩展,解决了输入太阳电池串联数过多而带来的一致性问题,是一种母线功率扩展可行途径。

    一种有效分离深能级瞬态谱测试信号的数值模拟方法

    公开(公告)号:CN106528493B

    公开(公告)日:2019-06-25

    申请号:CN201610963954.1

    申请日:2016-10-28

    Abstract: 一种有效分离深能级瞬态谱测试信号的数值模拟方法,包含:S0、利用深能级瞬态谱测试仪器测试得到深能级缺陷谱信号ΔCexp(Ti);S1、对化合物半导体Schottky势垒的物理区域进行离散处理,生成网格单元;S2、求解热平衡Poisson方程获得网格的节点静电势,设置电子/空穴准Fermi势为0,设置电子/空穴系综温度为室温值,储存为全局初始值;S3、选取测试样品时的多个温度点{Ti},计算对应的DLTS数值计算信号ΔCsim(Ti);S4、将数值计算信号ΔCsim(Ti)与仪器测试信号ΔCexp(Ti)比较拟合,分析偏离情况;S5、调节深能级缺陷参数或数目,重复S2~S4,直至偏离情况满足需求。本发明对化合物半导体Schottky势垒的深能级瞬态谱信号进行数值模拟并有效分离数个相互耦合的深能级缺陷,提高器件设计与测试分析的准确性。

    复杂结构的化合物半导体器件的结构描述方法

    公开(公告)号:CN106503374B

    公开(公告)日:2018-06-29

    申请号:CN201610966723.6

    申请日:2016-10-28

    Abstract: 本发明公开复杂结构的化合物半导体器件的结构描述方法,包含:分析器件结构的几何特征、物理特征、数值特征参数表现形式生成五种典型数据类型;确定典型数据类型对应的成员赋值语法规则;化合物半导体器件结构分解成五种典型数据类型并写成结构描述文件;生成面向器件结构描述文件的动态指针,依据描述语法规则读取结构描述文件;确定数值计算专属文件的储存排列及数据格式;以实验数据和动态指针储存的器件结构转换成模型参数、位置和维数固定数组表达得数值计算专属文件。本发明使得输入含有多个内部异质结界面、多个内部面掺杂、多个量子限制区域、多个非局域量子隧穿区域的复杂结构化合物半导体器件的结构变得可能与方便。

    含有低光学折射率差的窗口层与发射区的多结太阳电池

    公开(公告)号:CN106206825B

    公开(公告)日:2017-08-25

    申请号:CN201610802693.5

    申请日:2016-09-05

    CPC classification number: Y02E10/544

    Abstract: 本发明公开了一种含有低光学折射率差的窗口层与发射区的多结太阳电池,该多结太阳电池由若干个宽禁带、中禁带、窄禁带子电池级联组成,每个子电池都具有窗口层、发射区、基区和背场层,所述的发射区采用n型子电池主体材料,窗口层采用n型材料,该窗口层材料禁带宽度大于发射区电池主体材料,该窗口层材料与发射区电池主体材料禁带宽度差不小于0.50eV,500‑900nm波长范围内光学折射率差不高于0.25。本发明提供的多结太阳电池,通过使用低光学折射率差窗口层与发射区组合,降低入射太阳光在各子电池窗口层的反射,提升各子电池的电流密度,从而显著改善多结太阳电池的性能。

    一种有效分离深能级瞬态谱测试信号的数值模拟方法

    公开(公告)号:CN106528493A

    公开(公告)日:2017-03-22

    申请号:CN201610963954.1

    申请日:2016-10-28

    CPC classification number: G06F17/11

    Abstract: 一种有效分离深能级瞬态谱测试信号的数值模拟方法,包含:S0、利用深能级瞬态谱测试仪器测试得到深能级缺陷谱信号ΔCexp(Ti);S1、对化合物半导体Schottky势垒的物理区域进行离散处理,生成网格单元;S2、求解热平衡Poisson方程获得网格的节点静电势,设置电子/空穴准Fermi势为0,设置电子/空穴系综温度为室温值,储存为全局初始值;S3、选取测试样品时的多个温度点{Ti},计算对应的DLTS数值计算信号ΔCsim(Ti);S4、将数值计算信号ΔCsim(Ti)与仪器测试信号ΔCexp(Ti)比较拟合,分析偏离情况;S5、调节深能级缺陷参数或数目,重复S2~S4,直至偏离情况满足需求。本发明对化合物半导体Schottky势垒的深能级瞬态谱信号进行数值模拟并有效分离数个相互耦合的深能级缺陷,提高器件设计与测试分析的准确性。

    一种多结太阳电池中各吸收层材料荧光寿命无损测量方法

    公开(公告)号:CN106248645A

    公开(公告)日:2016-12-21

    申请号:CN201610802581.X

    申请日:2016-09-05

    CPC classification number: G01N21/6428

    Abstract: 本发明公开了一种多结太阳电池中各吸收层材料荧光寿命无损测量方法,具体包含:步骤1:单色光源近边激发,获得发射光子数与计数时间关系数据;步骤2:将所得关系数据结合检测系统自身响应特性数据,进行数据单指数或多指数拟合,提取发射光子寿命数据;步骤3:调整单色光源功率密度,提取发射光子寿命数据;步骤4:获得最大发射光子寿命对应的光源功率密度;步骤5:减小照射光斑面积,提取发射光子寿命数据;步骤6:获得该吸收层材料荧光寿命;步骤7:重复上述步骤,获得多结太阳电池各吸收层材料荧光寿命。本发明的方法实现了无损地对太阳电池各吸收层材料质量衡量,对太阳电池吸收层材料质量优化与改进工作具有重要的指导意义。

    含有低光学折射率差的窗口层与发射区的多结太阳电池

    公开(公告)号:CN106206825A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201610802693.5

    申请日:2016-09-05

    CPC classification number: Y02E10/544 H01L31/0687

    Abstract: 本发明公开了一种含有低光学折射率差的窗口层与发射区的多结太阳电池,该多结太阳电池由若干个宽禁带、中禁带、窄禁带子电池级联组成,每个子电池都具有窗口层、发射区、基区和背场层,所述的发射区采用n型子电池主体材料,窗口层采用n型材料,该窗口层材料禁带宽度大于发射区电池主体材料,该窗口层材料与发射区电池主体材料禁带宽度差不小于0.50eV,500-900nm波长范围内光学折射率差不高于0.25。本发明提供的多结太阳电池,通过使用低光学折射率差窗口层与发射区组合,降低入射太阳光在各子电池窗口层的反射,提升各子电池的电流密度,从而显著改善多结太阳电池的性能。

    一种锂电池多级温度控制装置

    公开(公告)号:CN207664204U

    公开(公告)日:2018-07-27

    申请号:CN201721682253.7

    申请日:2017-12-06

    Inventor: 刘振平 那伟 杨丞

    Abstract: 本实用新型公开了一种锂电池多级温度控制装置,其包含:供冷媒流动的散热板,其连接在电池模块下方并设有气孔;箱体,其设有供空气流出流入的风口,箱体外设有压缩机、贯流风轮和通过控制冷媒流动方向进行切换冷却或加热模式的四通阀;辅助空气加热的电辅热,其设置在所述箱体内;控制该多级温度控制装置运行的控制系统,其设置在箱体内。本实用新型可依据锂电池在不同环境、不同温度下采取针对性的温控措施,有效地根据电池使用情况控制电池温度,提高电池使用效能。

Patent Agency Ranking