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公开(公告)号：CN1258496C
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200410009306.X
申请日：2004-07-07
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/30
Abstract: 一种Ni-Zn-O基热敏陶瓷材料及其制备方法，属于材料科学领域，主要原材料是Ni2O3和ZnO，将原料按照比例通过球磨湿法混合、洗涤、干燥得到陶瓷粉体，经将此粉体研磨、过筛、干压、高温烧结，就获得此Ni-Zn-O系热敏陶瓷材料。通过控制Ni/Zn摩尔比和烧结温度，可以调控该材料体系的热敏性能。本发明成份、工艺简单，原料价廉，材料应用面广；性能方面具有较高的敏感指数，阻温曲线线性度良好，具有较高的电阻温度系数；工艺成份简单、体系易烧结，过程易控制，有效降低生产成本，具有良好的实施前景。
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公开(公告)号：CN119263813A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411368529.9
申请日：2024-09-29
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/46 , C04B35/622 , H01G4/12
Abstract: 本发明提供了一种C0G型介质陶瓷材料及制备方法和应用。形成该C0G型介质陶瓷材料的各原料包括：15摩尔％～16摩尔％的BaCO3和/或BaO，5摩尔％～10摩尔％的Nd2O3，5摩尔％～10摩尔％的Bi2O3，55摩尔％～70摩尔％的TiO2和0.1摩尔％～5摩尔％的GeO2。该C0G型介质陶瓷材料具有中等的烧结温度、高的介电常数，低的介电损耗以及高绝缘电阻。同时，该方法在无添加传统玻璃料或助烧剂的情况下有效降低了具有钨青铜结构的BLT体系材料的烧结温度，同时优化了陶瓷材料的整体介电性能。
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公开(公告)号：CN119038984A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411249674.5
申请日：2024-09-06
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622
Abstract: 本发明提出了一种C0G温度稳定型陶瓷介质材料及其制备方法，具体地，本发明提出了一种陶瓷介质材料，其包含BaCO3和/或BaO、Nd2O3、Bi2O3、TiO2以及Dy2O3或Ho2O3或Er2O3。该材料具有高的介电常数，低的介电损耗以及高绝缘电阻。
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公开(公告)号：CN116813331B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202310840763.6
申请日：2023-07-10
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/47 , C04B35/622 , C04B35/638
Abstract: 本发明公开了一种钛酸锶陶瓷及其制备方法和应用。钛酸锶陶瓷的化学式包括SrTiNbxO3，其中，0＜x≤0.012。该钛酸锶陶瓷具有高的介电常数，同时保持了极低的介电损耗，能够更大限度地满足使用需要，具体地，室温1kHz下，钛酸锶陶瓷的介电常数可为3.5×104‑6×104，介电损耗小于1％。
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公开(公告)号：CN118112056A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410525818.9
申请日：2024-04-29
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请公开了传感器及其制备方法和应用。传感器包括衬底，衬底包括间隔设置的第一衬底和第二衬底；位于第一衬底上的第一金属层，第一金属层包括源极、第一电极、第二电极和第一纳米线电极，第一电极和第二电极位于源极的两侧，第一纳米线电极连接第一电极和第二电极；位于第二衬底上的第二金属层，第二金属层包括漏极、第三电极、第四电极和第二纳米线电极，第三电极和第四电极位于漏极的两侧，第二纳米线电极连接第三电极和第四电极。由此，该传感器可以用于测量微纳尺寸的功能氧化物薄膜的多种物理性能，可以至少在一定程度上缓解甚至解决样品测试过程中由于样品生长基底的存在导致的功能氧化物薄膜物性检测结果不准确、不可靠的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117658624A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311540206.9
申请日：2023-11-17
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/468 , H01G4/12 , H01G4/008 , H01G4/30 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种X8R型陶瓷电介质材料及其制备方法和应用，本发明的制备方法，包括：(1)按照化学计量式BaTiO3‑x Bi4Ti3O12‑y Nb2O5‑z NiO‑w Mn3O4称取原料，得到介质材料混合粉；其中，x、y、z和w表示摩尔百分数，且以BaTiO3的摩尔量为基准，1％≤x≤2.5％，1％≤y≤2％，0≤z≤1％，0≤w≤1％，且z和w不同时为0；(2)将所述介质材料混合粉和粘结剂混合并研磨造粒，经陈化和过筛后，压片成型，得到陶瓷生坯；(3)将所述陶瓷生坯排胶后进行烧结，得到X8R型陶瓷电介质材料。本发明能够生成具有核壳结构的X8R型陶瓷电介质材料。
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公开(公告)号：CN117229052A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311044066.6
申请日：2023-08-18
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/46 , H01G4/30 , H01G4/12 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种C0G型介质陶瓷材料及其制备方法和应用。形成该C0G型介质陶瓷材料的各原料包括：15摩尔％～16摩尔％的BaCO3和/或BaO，5.5摩尔％～15摩尔％的Nd2O3，3摩尔％～15.5摩尔％的Bi2O3和67摩尔％～68摩尔％的TiO2。该C0G型介质陶瓷材料具有高的介电常数，低的介电损耗以及高绝缘电阻。具体地，C0G型介质陶瓷材料的介电常数不小于120，介电损耗不大于0.0004，介电常数温度系数为‑30ppm/℃～+30ppm/℃，介电常数温度系数满足C0G型介质陶瓷规格要求。
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公开(公告)号：CN116813331A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310840763.6
申请日：2023-07-10
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/47 , C04B35/622 , C04B35/638
Abstract: 本发明公开了一种钛酸锶陶瓷及其制备方法和应用。钛酸锶陶瓷的化学式包括SrTiNbxO3，其中，0＜x≤0.012。该钛酸锶陶瓷具有高的介电常数，同时保持了极低的介电损耗，能够更大限度地满足使用需要，具体地，室温1kHz下，钛酸锶陶瓷的介电常数可为3.5×104‑6×104，介电损耗小于1％。
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公开(公告)号：CN113648935A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110885512.0
申请日：2021-08-03
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种光热释电催化反应装置、系统及应用。反应装置包括：反应器，下部置于水冷槽中，上部设石英玻璃，上方设光源和遮挡组件；第一循环管路和第二循环管路，分别与水冷槽连通，用于调节水冷槽中水温以调节反应器内溶液温度；温度监测装置，与反应器连通用于监测反应器内的温度变化，包括第一检测仪和第二检测仪，第一检测仪检测反应器内溶液的温度，第二检测仪检测反应器内溶液表面温度。采用本发明可测定有或无光照下反应中溶液温度随时间变化情况下；可完成光化学与热释电效应作用下的催化性能的检测。
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公开(公告)号：CN110628152B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201810643172.9
申请日：2018-06-21
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种聚合物基复合电卡材料及其制备方法。所述聚合物基复合电卡材料包括无机纳米纤维和聚合物基体，所述无机纳米纤维的体积百分含量为1～30％；所述无机纳米纤维包括但不限于锆钛酸铅、锆钛酸钡无机纳米纤维。本发明将无机纳米纤维与聚合物基体进行复合，由于无机纳米纤维可在聚合物基体内部引入强界面效应，可以在较低的添加量的情况下使聚合物基复合电卡材料得到较高的电卡效应，从而在满足聚合物基复合电卡材料高电卡性能的同时最大限度得维持聚合物基复合材料原有得机械柔性等相关性能。
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