公开(公告)号：CN1452216A

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN02105698.6

申请日：2002-04-18

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 周剑平 ,  陈诺夫 ,  张富强 ,  刘志凯 ,  杨少延 ,  柴春林

IPC: H01L21/20 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明一种磁性p－n结薄膜材料，磁性p－n结是在半导体衬底上制备磁性半导体材料，并且使其载流子和衬底属于不同的类型；包括：一半导体衬底；在该半导体衬底上直接生长磁性半导体材料，或根据需要在衬底上先外延一层或多层缓冲层后再生长磁性半导体材料。

公开(公告)号：CN1402305A

公开(公告)日：2003-03-12

申请号：CN01124213.2

申请日：2001-08-15

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨君玲 ,  陈诺夫 ,  何家宏 ,  钟兴儒 ,  吴金良 ,  林兰英 ,  刘志凯 ,  杨少延 ,  柴春林

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明一种半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法，包括两个半导体材料层和两个半导体材料层中夹的一薄的磁性材料层，其特征在于，选择半导体衬垫，然后在衬垫上直接生长磁性材料；或在衬垫上先外延一层或多层缓冲层后再生长磁性材料层；最后在磁性材料层上外延半导体层。

公开(公告)号：CN210104071U

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201920622058.8

申请日：2019-04-30

Applicant: 中国科学院半导体研究所 ,  南京佑天金属科技有限公司

Inventor： 魏鸿源 ,  杨少延 ,  陈怀浩 ,  魏洁

IPC: C23C16/455

Abstract: 本实用新型提供一种气相沉积设备的进气喷淋头，包括：气源腔，其内通入带有气相反应前驱体的载气气体；至少一个气体喷淋通道，其与气源腔连通，用于将气源腔内的气体喷出；隔离气体腔底板，其顶面与气源腔的底面之间形成隔离气体腔，该隔离气体腔内通入隔离气体；至少一个隔离气体导流通道，其形成于隔离气体腔底板上，并与隔离气体腔连通，用于将隔离气体腔内的隔离气体喷出；其中，每个气体喷淋通道均插入任意一个隔离气体导流通道中。本实用新型提供的气相沉积设备的进气喷淋头，气体喷淋通道插入隔离气体腔底板上的隔离气体导流通道中，避免反应物在喷淋头附近或者气体喷淋通道上发生预反应，导致预反应产物对喷淋头以及气体喷淋通道造成污染。

公开(公告)号：CN210897327U

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201922345475.5

申请日：2019-12-24

Applicant: 南京佑天金属科技有限公司 ,  中国科学院半导体研究所

Inventor： 魏洁 ,  魏鸿源 ,  陈怀浩 ,  杨少延 ,  杨瑞 ,  李成明 ,  李辉杰 ,  刘祥林 ,  汪连山

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01L33/42 ,  H01L33/00

Abstract: 本实用新型公开了一种硅基应力协变衬底及应用该硅基应力协变衬底的垂直结构氮化镓LED；其中硅基应力协变衬底包括：一双面抛光硅单晶基底；一薄氮化锆导电反光应力协变层，形成在所述双面抛光硅单晶基底上，所述薄氮化锆导电反光应力协变层的厚度为50nm～350nm；一薄氮化镓单晶薄膜模板层，形成在所述薄氮化锆导电反光应力协变层上，所述薄氮化镓单晶薄膜模板层的厚度不小于所述薄氮化锆导电反光应力协变层的厚度。该硅基应力协变衬底能够在GaN材料和LED器件的高质量制备生长时克服和缓解大失配应力问题。