-
公开(公告)号：CN118562389A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202310173849.8
申请日：2023-02-28
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C09D187/00 , C09D1/00
Abstract: 本发明涉及一种抗原子氧金属有机框架涂层及其制备方法。所述抗原子氧微纳结构有机无机杂化涂层包括：原位形成在聚合物基体表面的金属有机框架晶种层、以及形成在金属有机框架晶种层表面的由金属有机框架纳米颗粒形成的微纳结构有机无机杂化涂层。
-
公开(公告)号：CN116726823A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310597910.1
申请日：2023-05-25
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明公开了一种硅烷化处理装置，包括壳体和至少两个导液管，其中壳体的内部开设有反应槽，反应槽用于放置待硅烷化处理样件和硅烷试剂，使待硅烷化处理样件浸泡于硅烷试剂内，壳体内还设置有若干加热板，加热板均对应分布于反应槽外的两侧，导液管均设置于反应槽内对应待硅烷化处理样件的两侧，导液管上均开设有若干导液孔，导液管通过软管连接，软管上还连通有动力泵，若干导液管、软管与反应槽形成闭环管路，使得硅烷试剂能够在动力泵的驱动下于闭环管路内以预定流速进行循环流动，本发明解决了现有技术中处理样品的硅烷化效果不佳的问题，有效提升了产品硅烷化的良品率，为后续的已硅烷化处理的产品的使用提供有效保障。
-
公开(公告)号：CN116604845A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310598123.9
申请日：2023-05-25
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: B29C71/04
Abstract: 本发明公开了一种紫外辐照表面改性装置，包括箱体，箱体内部开设有若干放置腔，放置腔内均设置有样品台和辐照灯阵，样品台用于承载待辐照基材，辐照灯阵均朝向样品台发射紫外光，且对应待辐照基材的不同辐照范围，另外放置腔内还设置有气氛调节装置和换热器，气氛调节装置用于控制放置腔内的臭氧或氧气等气氛浓度，换热器用于调整放置腔内的温度，使放置腔内的辐照环境气氛可根据待辐照基材进行调整。本发明能够适用不同辐照范围需求的待辐照基材，同时通过气氛调节装置和换热器对放置腔内的辐照环境气氛给予有效控制，从而为待辐照基材的紫外表面活化或稳定化等处理提供了稳定的环境，进而有效提高待辐照基材表面活化或稳定化等处理的稳定性和均匀性。
-
公开(公告)号：CN114018792A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111263287.3
申请日：2021-10-28
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: G01N17/00
Abstract: 本发明提供一种空间环境多因素协同试验装置，包括空间环境模拟系统(1)、真空辐照室(2)、紫外辐照强度测量系统(3)和控制系统(4)。本发明还提供一种如上所述的空间环境多因素协同试验装置的测试方法。本发明的空间环境多因素协同试验装置，集成度高，最多可进行原子氧辐照/近紫外辐照/远紫外辐照/温度循环/真空环境五种空间因素综合辐照协同试验，具有很好的灵活性；可实现对综合辐照试验中原子氧束流密度及均匀性、近紫外辐照强度及均匀性、温度循环温度和真空模拟系统的真空度进行测量，保障综合辐照试验数据的准确性。
-
公开(公告)号：CN113916931A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202010645849.X
申请日：2020-07-07
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明提供一种极低温度下材料半球发射率测试装置与方法，能测试深空探测、航天领域中的半球发射率。该装置包括热平衡绝热腔、真空制冷系统、样品稳态控制系统和数据采集系统；热平衡绝热腔包括腔体、回温加热器和多个腔体温度传感器，腔体包括真空外腔和绝热内腔，样品容纳于内腔中；真空制冷系统包括与绝热内腔相连通的低温制冷部分和与真空外腔和绝热内腔相连通的无油抽真空部分；样品稳态控制系统包括样品加热器以及样品温度传感器；数据采集系统包括与腔体温度传感器和回温加热器相连的温度控制器、与腔体温度传感器和样品温度传感器相连的温度监控器、与样品加热器相连的电流源表、与样品加热器相连的电压表以及与上述器件相连的计算机。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112940622A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201911269457.1
申请日：2019-12-11
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C09D183/08 , H01L31/0216
Abstract: 本发明涉及一种有机硅耐磨涂层及其制备方法和应用，所述有机硅耐磨涂层的制备方法包括：将含有多官能度有机硅的有机硅溶液涂覆在有机基材表面，然后在空气气氛中进行加热聚合反应，得到有机硅耐磨涂层；所述多官能度有机硅包含：三硅官能度有机硅和四硅官能度有机硅中的至少一种，以及二硅官能度有机硅。
-
公开(公告)号：CN112934638A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201911269437.4
申请日：2019-12-11
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: B05D5/00 , B05D7/24 , C09D183/08
Abstract: 本发明涉及一种有机材料表面原子氧防护层局部损伤后的修补方法，将硅烷溶液涂覆在有机材料表面原子氧防护层的表面的损伤位置，然后在25～300℃下进行高温热处理以实现原子氧防护层的修补，所述原子氧防护层为含硅膜层；所述硅烷的化学式为(YR)nSiX4‑n，1≤n≤3，其中Y为能和有机材料反应的碳官能团，优选为不饱和异氰酸酯、氨基、环氧和氰基中的至少一种；X为能够和原子氧防护层反应键合的硅官能团，优选为烷氧基、卤基、酰氧基、硅醇和硅氢中的至少一种。
-
公开(公告)号：CN108568295B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201710131496.X
申请日：2017-03-07
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: B01J23/06 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C02F1/30 , C02F101/30
Abstract: 本发明涉及一种砚状ZnO/石墨烯复合物光催化剂及其制备方法，所述砚状ZnO/石墨烯复合物光催化剂包括砚状ZnO、和覆盖所述砚状ZnO的石墨烯，所述砚状ZnO为六角砚状薄片结构，包括砚底和砚壁，所述砚底的厚度为10～40 nm，优选为20～40 nm，砚壁的厚度为150～250 nm。与现有技术相比，本发明的制备方法和实验设备简单，反应条件温和，产率高，便于大规模上产。
-
公开(公告)号：CN112558199A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201910854206.3
申请日：2019-09-10
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明公开一种可调控的近红外超薄宽带完美吸收器及其制备方法，所述吸收器包括衬底、位于衬底上的背反射层、位于背反射层上的介质层，以及位于介质层上的二氧化钒层；所述吸收器的膜层总厚度小于工作波长的四分之一。本发明的吸收器是超薄的多层薄膜结构，相比于传统的四分之一波长厚度吸收器以及近年提出的超材料吸收器，该吸收器可通过外场控制二氧化钒薄膜的介电函数，从而调控吸收器在近红外波段的吸收带宽及吸收效率，且结构厚度明显降低，避免使用复杂的光刻加工技术，使生产周期显著缩短，生产成本显著下降，便于大规模、批量化制备。
-
公开(公告)号：CN107459032B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201610387812.5
申请日：2016-06-02
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C01B32/184
Abstract: 本发明涉及一种多孔三维石墨烯材料的制备方法，包括：以鳞片石墨粉为原料，经微波处理后得到膨化的鳞片石墨粉；以所得膨化的鳞片石墨粉为前驱体，加入预先配置好的粘结‑有机溶剂溶液，插层剥离形成石墨烯溶胶；在所得石墨烯溶胶中加入干燥控制化学添加剂、固化得到三维石墨烯凝胶；将所得三维石墨烯凝胶在400～600℃下煅烧，得到所述多孔三维石墨烯材料。本发明的有益效果在于：本发明采用微波结合溶胶凝胶工艺制备石墨烯材料，工艺操作简便，所制备的多孔三维石墨烯材料具有连续相互连接的3D微孔结构。制备原料为廉价易得的鳞片石墨，节约生产成本。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
125
records
(took 0.051 seconds)
