公开(公告)号：CN101572291B

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN200910053039.9

申请日：2009-06-12

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴良才 ,  宋志棠

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提出一种实现多级存储的存储器单元结构及其制作方法。其特征在于所述的存储器单元结构由顶电极、多级存储介质(由相变材料和具有阻变特性的金属氧化物塞，如WOx塞形成的堆栈结构)、阻变氧化物塞、底电极、衬底、绝缘介质等组成。其中，相变材料是可以发生可逆相变的化合物材料，如Ge-Sb-Te等，WOx塞是通过钨塞的氧化形成，在电场作用下(电脉冲)可以发生阻值变化，通过Ge-Sb-Te和WOx塞的多级阻值变化实现多级存储，从而提高单个存储单元的容量。

公开(公告)号：CN101572291A

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200910053039.9

申请日：2009-06-12

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴良才 ,  宋志棠

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提出一种实现多级存储的存储器单元结构及其制作方法。其特征在于所述的存储器单元结构由顶电极、多级存储介质(由相变材料和具有阻变特性的金属氧化物塞，如WOx塞形成的堆栈结构)、阻变氧化物塞、底电极、衬底、绝缘介质等组成。其中，相变材料是可以发生可逆相变的化合物材料，如Ge－Sb－Te等，WOx塞是通过钨塞的氧化形成，在电场作用下(电脉冲)可以发生阻值变化，通过Ge－Sb－Te和WOx塞的多级阻值变化实现多级存储，从而提高单个存储单元的容量。

公开(公告)号：CN101335329A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810041394.X

申请日：2008-08-05

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴良才 ,  宋志棠 ,  饶峰 ,  封松林

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

Abstract: 本发明涉及一种提高相变存储器存储单元可靠性的结构及其制作方法，其特征在于在纳米加热电极和同一直径的柱状相变材料之间增加一薄层缓冲材料，以增强相变材料和加热电极之间的黏附性和界面匹配，同时可改善相变材料和加热电极之间的电学匹配，形成良好的欧姆接触。此外，在相变材料和顶电极之间增加一薄层热阻材料，改善器件擦写时的热平衡，减小上电极的散热，降低器件的功耗。该存储单元结构阻止相变材料与加热电极之间的扩散和反复擦写过程中的界面失效，增强器件的可靠性。加热电极、缓冲材料和相变区域限制在同一介质孔洞中形成自对准的柱状结构，不需要在相变材料周围制备保温层，减少了工艺步骤。