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公开(公告)号：CN104833446A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510233069.3
申请日：2015-05-08
Applicant: 福州大学
IPC: G01K15/00
Abstract: 本发明涉及一种CMOS温度传感芯片测试系统。包括温控温箱及置于所述温控温箱内的FPGA模块、用于搭载待测温度传感芯片的待测芯片搭载模块、LCD显示模块、DAC电路、低通滤波电路；所述温控温箱由所述FPGA模块控制进行待测温度传感芯片的测试温度的自动调整；FPGA模块通过所述待测芯片搭载模块为待测温度传感芯片提供测试时序，并通过DAC电路及低通滤波电路为待测温度传感芯片提供标准正弦信号，将待测温度传感芯片输出的信号与标准正弦信号比较，进而处理获取待测温度传感芯片的参数；LCD显示模块用于实现人机交互及测试时待测温度传感芯片的参数的显示。本发明投入设备少，搭建简单，可拓展性强，对于不同的待测芯片只需简单的硬件搭载平台的搭建就能完成测试。
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公开(公告)号：CN104795095A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510189983.2
申请日：2015-04-21
Applicant: 福州大学
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1693
Abstract: 本发明涉及一种基于折叠式比较器的STT-RAM读取电路及控制方法。所述读取电路，包括一折叠式共源共栅比较器及与该折叠式共源共栅比较器连接的并行磁隧道结、控制逻辑电路和反相器，所述反相器还连接有第一D触发器和第二D触发器，所述第一D触发器和第二D触发器的时钟控制输入端分别连接至时钟输出模块的第一时钟信号输出端和第二时钟信号输出端，所述第一D触发器和第二D触发器的反相输出端分别输出并行磁隧道结中存储的高位数据和低位数据。本发明提供的读取电路可以有效的提高读取速度，节省了功耗，增大了输出摆幅和增益，提高了与数字系统对接时整个读取电路的可靠性。
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公开(公告)号：CN102571064A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210001141.6
申请日：2012-01-05
Applicant: 福州大学
IPC: H03K19/0175
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，特别是一种基于SET/MOS混合结构的二进制码-格雷码转换器，其包括四信号输入端以及三个二输入SET/MOS混合电路，仅消耗3个PMOS管，3个NMOS管和3个SET。整个电路的平均功耗仅为19.9nW。输入输出电压具有较好的兼容性，具有较大的输出摆幅，有利于驱动下一级的电路，能够与其它电路进行集成设计。与传统基于CMOS器件的二进制码-格雷码转换器相比，电路功耗明显下降，管子数目得到了一定的减少，电路结构得到了进一步的简化。该二进制码-格雷码转换器能够作为接口电路，在有限状态机、存储器等电路中得到应用，有利于进一步降低电路功耗，节省芯片面积，提高电路的集成度。
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公开(公告)号：CN102545882A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210001142.0
申请日：2012-01-05
Applicant: 福州大学
IPC: H03K19/094
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，特别是一种由纳米器件组成的基于SET/MOS混合结构的可重构阈值逻辑单元。其由一个四输入的SET/MOS混合电路和第一、二反相器构成，所述的第一、二反相器的输出端各自与所述SET/MOS混合电路的一输入端连接；其通过对输入端的偏置，该逻辑单元就能够实现或、或非、与、与非逻辑功能，而不需要改变电路的器件参数。该可重构阈值逻辑单元结构简单、功耗低、集成度高，同时具有较高的可重构特性，能够有效地实现同一单元的不同逻辑功能。这些特点使得该可重构阈值逻辑单元能够应用于FPGA、人工神经网络等低功耗、高集成度超大规模集成电路中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115096459B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202210682897.5
申请日：2022-06-15
Applicant: 福州大学
IPC: G01K7/01
Abstract: 本发明涉及一种集成式温度传感器。包括用于温度信号感知的模拟前端电路、量化温度电压信号的增量式Σ∆ADC电路、数字处理与较准电路；所述模拟前端电路包括用于产生偏置的预偏置电路、用于产生温度测量信号VBE和ΔVBE的BJT管核心电路；所述增量式Σ∆ADC电路将温度测量信号VBE和ΔVBE量化为#imgabs0#输出；所述数字处理与较准电路对增量式Σ∆ADC电路的输出进行数字滤波和数值计算得到温度测量值。本发明可以达到15bit的有效精度。温度传感器的测量结果可以实现在‑55°C~125°C温度范围内，测量误差在单点较准后达到±0.5°C，温度分辨率为0.02°C。
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公开(公告)号：CN114942895B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202210714310.4
申请日：2022-06-22
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于强化学习的地址映射策略设计方法。将二进制可逆矩阵（Binary Invertible Matrix,BIM）用来表示主流的地址映射策略，并结合强化学习模型训练最佳行缓存命中率地址映射策略。二进制可逆矩阵BIM的可逆性使得物理地址与内存存储单元的地址能够有效映射，并且BIM具有灵活表达地址映射策略和低硬件开销等不可替代的优势。
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公开(公告)号：CN111669180B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202010702642.1
申请日：2020-07-18
Applicant: 福州大学
IPC: H03M1/46
Abstract: 本发明涉及一种基于Vcm的超低功耗SAR ADC开关切换结构及其开关切换方法。所述电路包括第一电容阵列、第二电容阵列、比较器、2个切换开关组、2个采样开关，第一、第二电容阵列的电容顶板DACP、DACN分别与比较器连接，DACP和DACN还分别经2个采样开关与共模电平Vcm连接，第一、第二电容阵列中电容的底板经第一、第二切换开关组与基准电平Vref、地电平Vss、共模电平Vcm、输入电平Vip或者Vin连接；比较器包括依次连接的动态预放大器、动态锁存器，动态预放大器的两输入端分别作为比较器的同相、反相输入端，动态锁存器输出端作为比较器的输出端。本发明相比于传统型电容阵列节省了最高位权重电容，且相比于顶板采样的电容阵列开关切换结构，可以实现更好的ADC精度。
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公开(公告)号：CN111669179B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202010702646.X
申请日：2020-07-18
Applicant: 福州大学
IPC: H03M1/38
Abstract: 本发明涉及一种用于SAR ADC电容阵列的新型单向开关切换电路及其控制方法。所述电路包括第一电容阵列、第二电容阵列、比较器、2个切换开关组、2个采样开关，第一电容阵列的电容顶板DACP、第二电容阵列的电容顶板DACN分别与比较器的同相输入端、反相输入端连接，DACP和DACN还分别经2个采样开关与地电平Vss连接，第一电容阵列中电容的底板、第二电容阵列中电容的底板分别经第一切换开关组、第二开关组与基准电平Vref、地电平Vss、共模电平Vcm、输入电平Vip或者输入电平Vin连接。本发明相比于顶板采样的电容阵列开关切换结构，可以实现更好的ADC精度，且本发明开关切换方法实现了一个极低的开关切换功耗，在低功耗传感器产品中有巨大的应用前景。
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