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公开(公告)号：CN107910364B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201711119005.6
申请日：2017-11-14
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/40 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/47 , H01L29/778
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，特别涉及一种逆阻型氮化镓器件。本发明提供了一种无欧姆接触的逆阻型氮化镓器件，避免了高温欧姆退火工艺带来的一系列负面影响。通过绝缘栅控制栅极下方沟道二维电子气的耗尽实现器件的开启和关断，以及基于低功函数金属与InAlN/GaN之间无需通过高温退火即可直接形成类似欧姆接触的原理，采用具有低功函数金属的肖特基源极接触，并通过高功函数金属形成肖特基漏极来实现器件的反向阻断能力。由于本发明中不存在欧姆接触，不需要利用重金属，该器件可以与传统的CMOS工艺兼容，同时可以在较低的温度条件制备该器件。
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公开(公告)号：CN105993076B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201480075122.5
申请日：2014-12-23
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种双向MOS型器件及其制造方法，属于功率半导体器件技术领域。所述器件在有源区上层两端具有对称的平面栅MOS结构，在对称的平面栅MOS结构之间具有U型复合漂移区，所述U型复合漂移区沿元胞中心左右对称。本发明通过形成的具有对称特性的U型复合漂移区，在一定的元胞宽度下可获得高的器件击穿电压和低的导通压降/电阻特性，是一种双向对称的电场截止型器件；在IGBT工作模式时，是一种具有载流子存储层和场截止层的IGBT器件，在MOS工作模式时，是一种具有减小漂移区电阻高掺杂层和场截止层的MOS器件；通过所述U型复合漂移区的复合作用，本发明结构不会发生器件的横向和纵向穿通击穿，具有高的单位漂移区长度耐压，并具有低的导通压降/电阻特性。
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公开(公告)号：CN106936304B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201710341490.5
申请日：2017-05-16
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
Abstract: 一种适用于推挽输出级LDO的电流限制电路，属于电子电路技术领域。第一采样管MNP1,SNS的栅极和源极与上功率管MNP1的栅极和源极相连，其漏极连接第一采样电阻RSNS1后再连接上功率管MNP1漏极；第二采样管MNP2,SNS的栅极和源极与下功率管MNP2的栅极和源极相连，其漏极连接第二采样电阻RSNS2后再连接下功率管MNP2漏极；第一采样管MNP1,SNS采样上功率管MNP1电流，流过第一采样电阻RSNS1产生压降；第二采样管MNP2,SNS采样下功率管MNP2电流，流过第二采样电阻RSNS2产生压降；产生上功率管过电流控制信号CL_T和下功率管控制信号CL_B返回推挽输出级LDO电路中与该LDO电路自身的负反馈环路共同作用，将输出电流稳定在设定的电流值，保护功率管不因电流过大而损坏；且不使用比较器，同时实现了电流的检测与保护作用。
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公开(公告)号：CN108336133A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810131088.9
申请日：2018-02-09
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/739 , H01L21/28 , H01L21/331
Abstract: 一种碳化硅绝缘栅双极型晶体管及其制作方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明提供的SiC IGBT器件包括自下而上依次层叠设置的金属集电极、衬底、缓冲层、漂移区、栅极结构、层间介质层和发射极金属，其中，漂移区的两端分别存在凹槽，两个凹槽相互独立并在其间形成一个高于凹槽底部平面的平台，本发明在凹槽底部顶层和平台顶层上集成了平面型和槽栅型IGBT，相比传统平面型IGBT增加了水平沟槽和垂直沟槽的数量，进而增强了正向电导调制效应，提升了器件正向导通能力；并且有利于屏蔽凹槽底部的电场集聚效应，提高了器件制造的可行性。此外，本发明提供的制作工艺与现有半导体制作工艺相兼容，无需增加额外的工艺步骤，节约了器件制造成本。
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公开(公告)号：CN107910364A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711119005.6
申请日：2017-11-14
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/40 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/47 , H01L29/778
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/402 , H01L29/41725 , H01L29/4236 , H01L29/42364 , H01L29/475
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，特别涉及一种逆阻型氮化镓器件。本发明提供了一种无欧姆接触的逆阻型氮化镓器件，避免了高温欧姆退火工艺带来的一系列负面影响。通过绝缘栅控制栅极下方沟道二维电子气的耗尽实现器件的开启和关断，以及基于低功函数金属与InAlN/GaN之间无需通过高温退火即可直接形成类似欧姆接触的原理，采用具有低功函数金属的肖特基源极接触，并通过高功函数金属形成肖特基漏极来实现器件的反向阻断能力。由于本发明中不存在欧姆接触，不需要利用重金属，该器件可以与传统的CMOS工艺兼容，同时可以在较低的温度条件制备该器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107092295A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710291748.5
申请日：2017-04-28
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: G05F1/56
CPC classification number: G05F1/561
Abstract: 一种高摆率快速瞬态响应LDO，属于电子电路技术领域。采用跨导线性环结构，包括第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6、第七NMOS管MN7、第八NMOS管MN8和第二功率管MNP2组成的NMOS跨导线性环，第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6和第七PMOS管MP7组成的PMOS跨导线性环，保证了输出发生负载跳变时，能快速响应，同时第一功率管MNP1和和第二功率管MNP2形成推挽输出结构保证了大的输出摆率；本发明可为DDR内存芯片提供一种新型的供电方法，还可以有效降低功耗。
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公开(公告)号：CN106952809A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710202896.5
申请日：2017-03-30
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L21/316 , H01L21/265 , H01L29/06 , H01L29/36
CPC classification number: H01L21/02238 , H01L21/26506 , H01L29/0607 , H01L29/0684 , H01L29/36
Abstract: 本发明提供一种SOI低阻横向高压器件及其制造方法，包括以下步骤：以SOI为衬底，形成N型线性变掺杂厚SOI层与薄硅层漂移区、形成薄硅层区即厚介质层、形成Pwell区；形成Nwell区、形成栅氧化层、形成多晶硅栅电极、形成N条、形成P条、进行第一P型重掺杂区、第一N型重掺杂区以及第二N型重掺杂区的注入，形成欧姆接触，引出电极第一层接触孔刻蚀，淀积铝金属，形成源极接触电极与漏极接触电极；该制造方法与传统工艺兼容性好，具有普适性，制造出的器件能够有效地减小器件面积、降低器件成本；利用本发明所述的方法制备的SOI低阻横向高压器件，可实现BV＝950V，Ron，sp＝153Ω·cm2。
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公开(公告)号：CN106936304A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710341490.5
申请日：2017-05-16
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
Abstract: 一种适用于推挽输出级LDO的电流限制电路，属于电子电路技术领域。第一采样管MNP1,SNS的栅极和源极与上功率管MNP1的栅极和源极相连，其漏极连接第一采样电阻RSNS1后再连接上功率管MNP1漏极；第二采样管MNP2,SNS的栅极和源极与下功率管MNP2的栅极和源极相连，其漏极连接第二采样电阻RSNS2后再连接下功率管MNP2漏极；第一采样管MNP1,SNS采样上功率管MNP1电流，流过第一采样电阻RSNS1产生压降；第二采样管MNP2,SNS采样下功率管MNP2电流，流过第二采样电阻RSNS2产生压降；产生上功率管过电流控制信号CL_T和下功率管控制信号CL_B返回推挽输出级LDO电路中与该LDO电路自身的负反馈环路共同作用，将输出电流稳定在设定的电流值，保护功率管不因电流过大而损坏；且不使用比较器，同时实现了电流的检测与保护作用。
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公开(公告)号：CN106933288A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710284463.9
申请日：2017-04-25
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: G05F1/56
CPC classification number: G05F1/56
Abstract: 一种低功耗无片外电容型低压差线性稳压器，属于电源管理技术领域。采用共栅极输入对和跨导增强的误差放大器电路通过对信号的两路放大，将跨导进行k1*k2倍的放大，没有引入低频的零级点，同步增大了增益和带宽，采用共栅极的输入对在保证低功耗的同时增强摆率，同时有利于将输出极点推到更高频，实现更高的带宽；高通检测网络提升瞬态响应，减小了瞬态变化时输出电压VOUT出现的下冲电压，进一步拓展带宽；瞬态增强电路提供一个更加快速的通路，在负载稳定的时候不工作，不影响主环路的调整，在瞬态的时候，用来提高更大的动态环路增益，增强低压差线性稳压器的瞬态响应速度。本发明具有瞬态响应速度快和低功耗的特点。
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公开(公告)号：CN106847885A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710110370.4
申请日：2017-02-28
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/0638 , H01L29/42304 , H01L29/7394
Abstract: 本发明提供一种低关断损耗槽栅SOI‑LIGBT器件结构，包括P型衬底、埋氧层二氧化硅、N型漂移区、P型阱区、N‑buffer层、氧化层、N型源端、P型接触区、N型阳极区；源端和P型阱区间的沟道右侧是栅氧层，栅氧层右边是多晶硅，多晶硅位于P型阱区右侧、N‑buffer层的左侧；本发明拥有双栅结构，在相同条件下有更大的电流能力，N型载流子存储层的引入减少了空穴直接向P型阱区的注入，使载流子分布更均匀，有利于关断时的载流子复合减少关断时间，同时槽介质二氧化硅使得N型漂移区的有效空间减少，也同时阻挡了右侧的载流子的注入，形成载流子积累层；基于这两个效应，本发明结构的关断损耗得到大幅度的降低。
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