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公开(公告)号：CN114710126A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210637625.3
申请日：2022-06-08
申请人： 成都嘉纳海威科技有限责任公司
摘要： 本发明公开了一种基于GaAs Bi‑HEMT工艺的可重构宽带放大器，属于集成电路技术领域，包括频段可选输入匹配网络、自适应偏置馈电网络、PD控制单元和新型分布式放大网络。本发明采用了Bi‑HEMT工艺，该工艺在单片内集成了HBT和pHEMT，从而实现了最优化的芯片性能；其次，本发明电路具有可重构特性，实现了多频段可选和可动态控制电路的电性能，并可同时实现超宽带、高增益、高线性、高输出功率、较低功耗和较低噪声的特性，且具有很好的电路可靠性；最后，本发明电路具有温度稳定和自适应线性化特性。
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公开(公告)号：CN114553155A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210424136.X
申请日：2022-04-22
申请人： 成都嘉纳海威科技有限责任公司
摘要： 本发明公开了一种覆盖基频的超宽带射频放大器，包括输入三工偏置网络、中频放大器、基频放大器、高频放大器和输出三工偏置网络。本发明基于自偏置共源共栅放大技术，结合RLC负反馈技术和同向行波高频放大技术，并利用三工合成结构，能够实现覆盖基频频段到毫米波频段的超宽带功率放大功能，具有较高的增益指标和增益平坦度，并且功耗较低。
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公开(公告)号：CN114172464B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210119727.6
申请日：2022-02-09
申请人： 成都嘉纳海威科技有限责任公司
摘要： 本发明公开了一种宽带谐波抑制放大器，属于集成电路技术领域，包括输入匹配网络、宽带电流复用放大网络、第一有源偏置网络、谐波抑制均衡匹配网络、宽带共源放大网络、第二有源偏置网络和输出匹配网络。本发明采用宽带电流复用和共源放大网络，配合栅源RLC并联负反馈电路，实现宽频带、高增益以及低功耗的特性，级间采用谐波抑制均衡匹配网络，提高了放大器谐波抑制度的同时还可以兼顾阻抗匹配和增益平坦度，具有工作频带宽、噪声系数低、增益高、谐波抑制度高以及功耗低等优点。
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公开(公告)号：CN114172476A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202210119733.1
申请日：2022-02-09
申请人： 成都嘉纳海威科技有限责任公司
摘要： 本发明公开了一种宽带负反馈放大器，包括输入匹配供电网络、驱动级高增益放大网络、级间匹配供电网络、功率级高增益放大网络、第一反馈网络和第二反馈网络。本发明采用共栅双反馈的双级堆叠放大结构，可以提高电路的可靠性，实现高增益和高线性度指标，同时具有较高的宽带特性。此外，本发明通过共栅双反馈作用，可以改善工艺波动以及温度波动对放大器射频性能的影响。
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公开(公告)号：CN114157321A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202210119778.9
申请日：2022-02-09
申请人： 成都嘉纳海威科技有限责任公司
摘要： 本发明公开了一种双通道收发多功能芯片，属于集成电路技术领域包括第一开关切换网络、发射共源共栅+共源放大网络、接收三级电流复用放大网络、第一偏置网络、第二偏置网络和第二开关切换网络；本发明接收通道采用三级电流复用放大网络，实现低噪声，高增益、低功耗的特性；本发明中发射通道采用一级共源共栅+一级共源放大网络，且第二级共源管采用功率合成网络，实现高增益、高功率、高效率的特性。本发明中接收通道和发射通道通过开关进行工作状态的切换，同时放大器通过漏压进行工作状态控制，共同实现不同状态工作时通道间的高隔离度特性。
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公开(公告)号：CN113690155B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111251383.6
申请日：2021-10-27
申请人： 成都嘉纳海威科技有限责任公司
IPC分类号： H01L21/66 , H01L23/552 , B07C5/344
摘要： 本发明公开了一种单片微波集成电路隔离环设计以及芯片筛测方法，为了使隔离环适用于毫米波芯片以及面积大于5mm2的芯片，达到不影响芯片内部电路的目的，使用多条隔离线围成一个隔离环，每条隔离线的一端接地，用于屏蔽芯片外的干扰信号，另一端设置PAD，用于对隔离环进行IV测试。本发明不仅保留了隔离环的常规功能，同时更好的适应了毫米波芯片的高频特性。本发明通过测试隔离环的IV值，计算各条隔离线的电阻R，通过电阻比较，隔离晶圆上的隐裂纹芯片，避免其流入下道工序，造成更大的损失。
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公开(公告)号：CN113690155A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202111251383.6
申请日：2021-10-27
申请人： 成都嘉纳海威科技有限责任公司
IPC分类号： H01L21/66 , H01L23/552 , B07C5/344
摘要： 本发明公开了一种单片微波集成电路隔离环设计以及芯片筛测方法，为了使隔离环适用于毫米波芯片以及面积大于5mm2的芯片，达到不影响芯片内部电路的目的，使用多条隔离线围成一个隔离环，每条隔离线的一端接地，用于屏蔽芯片外的干扰信号，另一端设置PAD，用于对隔离环进行IV测试。本发明不仅保留了隔离环的常规功能，同时更好的适应了毫米波芯片的高频特性。本发明通过测试隔离环的IV值，计算各条隔离线的电阻R，通过电阻比较，隔离晶圆上的隐裂纹芯片，避免其流入下道工序，造成更大的损失。
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公开(公告)号：CN111600553A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010468782.7
申请日：2020-05-28
申请人： 成都嘉纳海威科技有限责任公司
摘要： 本发明公开了一种微波单片集成超宽带功率放大器，包括共源共栅放大结构、行波放大结构和匹配网络；共源共栅放大结构包括若干组结构相同的共源共栅放大单元，每组共源共栅放大单元均与行波放大结构连接；匹配网络包括输入匹配网络和输出匹配网络，输入匹配网络通过行波放大结构及共源共栅放大单元与输出匹配网络连接。本发明采用共源共栅结构和行波放大结构相结合的技术，解决了多个放大管级联时功耗较大，且工作带宽有限、高频增益难提高等问题；其中的行波放大结构能在很宽的频带范围内提供较好的增益，同时兼顾噪声系数和输出功率；共源共栅放大结构通过两个晶体管的漏极与源极相连，使放大器具有高增益、高输出和高反向隔离等优点。
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公开(公告)号：CN107743021A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201710936666.1
申请日：2017-10-10
申请人： 成都嘉纳海威科技有限责任公司
CPC分类号： H03F3/213 , H03F1/0205 , H03F1/565
摘要： 本发明公开了一种基于晶体管堆叠技术的强抗失配高效功率放大器，包括-45°移相输入匹配网络、+45°移相输入匹配网络、双路平衡型三堆叠功率放大网络、+45°移相输出匹配网络、-45°移相输出匹配网络、第一供电偏置网络以及第二供电偏置网络。本发明采用三堆叠晶体管放大网络实现平衡型放大器的放大功能，提高了平衡型功率放大器的功率增益和功率容量，同时利用三级T型滤波型移相电路实现两路平衡信号的±45°移相控制以及输入和输出阻抗匹配，在保证低插损和高效率的前提下大大提升了放大器的抗失配特性，从而提高了电路的稳定性与可靠性。本发明所实现的强抗失配高效功率放大器芯片电路，输出功率高、功率增益高、面积小。
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公开(公告)号：CN106487342A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610935636.4
申请日：2016-10-24
申请人： 成都嘉纳海威科技有限责任公司
CPC分类号： H03F1/565 , H03F3/193 , H03F3/21 , H03F2200/451
摘要： 本发明公开了一种基于晶体管堆叠结构的矩阵功率放大器，包括依次连接的输入匹配网络、功率分配网络、堆叠矩阵放大网络、功率合成网络和输出匹配网络，以及分别与所述堆叠矩阵放大网络对称连接的第一偏置电路和第二偏置电路。本发明所实现的功率放大器芯片电路，带宽宽、输出功率高、功率增益高、面积小。
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