一种基区缓变掺杂碳化硅薄膜外延制备方法

    公开(公告)号:CN105369217A

    公开(公告)日:2016-03-02

    申请号:CN201510665217.9

    申请日:2015-10-15

    CPC classification number: C23C16/325 C23C16/44 C23C28/048

    Abstract: 本发明涉及一种基区缓变掺杂碳化硅薄膜外延制备方法,该方法包括:(1)将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中,将反应室抽成真空;(2)向反应室通入H2直至反应室气压到达100mbar,保持反应室气压恒定,将H2流量逐渐增至60L/min,继续向反应室通气;(3)打开高频线圈感应加热器RF,逐渐增大该加热器的功率,当反应室温度升高逐渐至1400℃进行原位刻蚀;(4)当反应室温度到达到1580℃-1600℃时,保持温度和压强恒定,设置Al源流量,向反应室通入C3H8和SiH4,通过渐变调节通入反应室中Al源的流量生长P型缓变掺杂碳化硅薄膜外延层。本发明的方法利用碳化硅的CVD设备,制备出纵向掺杂浓度梯度可控的碳化硅外延层,满足了制备梯度低掺杂外延层的要求。

    一种输变电设备大气腐蚀预测系统

    公开(公告)号:CN104331752A

    公开(公告)日:2015-02-04

    申请号:CN201410693962.X

    申请日:2014-11-26

    CPC classification number: G06Q10/04 G06Q50/06

    Abstract: 本发明提供一种输变电设备大气腐蚀预测系统,包括:数据库模块、基本功能模块、管理模块、腐蚀寿命预测模块、辅助模块和预留数据库模块;所述腐蚀寿命预测模块、所述数据库模块和所述基本功能模块依次连接;所述数据库模块用于输变电设备的腐蚀信息的动态管理;所述基本功能模块查询并提取所述数据库模块中的数据信息;所述腐蚀寿命预测模块根据所述数据库模块的数据信息进行估算和预测;所述管理模块管理所述数据库模块及用户信息,与所述辅助模块和所述预留数据库模块相互通信,以实现整个系统维护和更新;该系统针对输变电设备腐蚀数据的多样性及不同成因进行预测和管理,提高了运行维护效率,降低了建设成本,增强了输变电工程的可靠性。

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