一种基于储能电站的盈利方法和系统

    公开(公告)号:CN108879653A

    公开(公告)日:2018-11-23

    申请号:CN201810550062.8

    申请日:2018-05-31

    Abstract: 本发明提供一种基于储能电站的盈利方法和系统,所述储能电站包括分布式储能电站和集中式储能电站,所述方法包括:所述分布式储能电站将获得的电能进行储存;所述分布式储能电站对消费者进行供电以获取收益并在所述分布式储能电站储存的电能大于其荷电状态SOC的设置值时,将超过SOC设置值的剩余电能输送至集中式储能电站;所述集中式储能电站计算储存的电能是否能够完成电力交易,当所述储存的电能不能够完成电力交易时,所述集中式储能电站从电网购电以完成电力交易。本发明所述的方法结合分布式储能电站和集中式储能电站为用户提供储能设备,并结合充电桩为用户提供售电渠道,有效解决了不同的电能投资/运营主体的盈利模式的问题。

    一种场终止型IGBT器件的制造方法

    公开(公告)号:CN103594356B

    公开(公告)日:2017-10-17

    申请号:CN201310385233.3

    申请日:2013-08-30

    CPC classification number: H01L29/66333 H01L29/36 H01L29/7395

    Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域的制造方法,具体涉及一种场终止型IGBT器件的制造方法。该方法包括下述步骤:选择N型掺杂FZ单晶硅片,厚度根据电压等级确定;从硅片背面离子注入磷杂质并实施高温退火,形成厚度15~70um和掺杂浓度2×1013~2×1015/cm3的N型掺杂缓冲层;腐蚀掉背面保护层,采用腐蚀或喷砂方法将背面打毛,形成吸杂源;去除正面保护层,在硅片正面进行IGBT元胞区的制作;从硅片背面研磨5~30um厚度的硅衬底,背面再腐蚀~2um厚度,留下厚度10~65um的N型缓冲层作为场终止区;完成背面集电极区的制作。本发明不需要昂贵的高能离子注入设备或外延设备可形成10~65um的场终止区,适合1700~6500V场终止型IGBT器件制造。

    一种基于N型注入层的IGBT芯片及其制造方法

    公开(公告)号:CN103531620B

    公开(公告)日:2017-02-08

    申请号:CN201310527108.1

    申请日:2013-10-30

    Abstract: 本发明涉及半导体器件技术,具体涉及一种基于N型注入层的IGBT芯片及其制造方法。IGBT芯片包括有源区、终端区和栅极区,在所述有源区和所述终端区均设有N型注入层;所述N型注入层在有源区包括以下设置方式:所述N型注入层包围P-基区;所述N型注入层包围P-基区且延伸到栅氧化层的下方和所述N型注入层包围P-基区且未包围P-基区拐角处。还提供了一种IGBT芯片的制造方法,本发明中在IGBT设计时引入N型注入层,优化了终端区的设计,降低了终端区的尺寸。同时降低了有源区的饱和电压,提高了芯片的电流能力。本发明在不影响IGBT芯片其他性能的前提下,通过引入N型注入层,优化IGBT芯片各功能区域的比例,提高了IGBT芯片的电流能力。

Patent Agency Ranking