公开(公告)号：CN208986011U

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201821715757.9

申请日：2018-10-23

Applicant: 南昌大学 ,  南昌硅基半导体科技有限公司

Inventor： 陈芳 ,  王光绪 ,  刘军林 ,  李树强 ,  吴小明 ,  杨梦琳 ,  郭醒 ,  江风益

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/00

Abstract: 本实用新型公开了一种垂直结构LED芯片，所述芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、第一电极、发光层、粗化层、第二电极接触层、第二电极，第二电极与第一电极共同构成反射电极。本实用新型还公开了该LED芯片的反射电极。本实用新型有效减少了第二电极正下方区域的电流注入，减少第二电极对正下方区域发光的遮挡，且该反射电极结构可以同时兼顾高光反射率和低欧姆接触，最终提高了AlGaInP薄膜LED芯片的光提取效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN208538898U

公开(公告)日：2019-02-22

申请号：CN201821327985.9

申请日：2018-08-16

Applicant: 南昌大学 ,  南昌黄绿照明有限公司

Inventor： 郭醒 ,  王光绪 ,  刘军林 ,  李树强 ,  陈芳 ,  吴小明 ,  江风益

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/02 ,  H01L33/00

Abstract: 本实用新型涉及一种具有掩膜层的反极性LED芯片，包括基板层、键合层、粘结保护层、复合结构层、外延层、掩膜层、N电极和钝化层；基板层的上面依次从下至上为键合层、粘结保护层、复合结构层；外延层在复合结构层的上面，外延层依次从下至上为p型层、发光层、n型层、粗化层、欧姆接触层；在外延层上面设有掩膜层、N电极和钝化层，掩膜层在欧姆接触层之上，且与N电极图形对应，环绕在N电极周围。本实用新型可以解决粗化工艺中，欧姆接触层湿法腐蚀过程侧钻导致的N电极脱落问题，有效地提高了LED芯片的制备良率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN208315588U

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201820420507.6

申请日：2018-03-27

Applicant: 南昌大学 ,  南昌黄绿照明有限公司

Inventor： 方芳 ,  刘军林 ,  江风益

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/14

Abstract: 本实用新型提供了一种可增强空穴注入的发光二极管，包括衬底，依次层叠于衬底之上的缓冲层、N型半导体层、有源区准备层、发光有源层和P型半导体层，所述有源区准备层包含若干个分布密度为1e7～1e10cm-2的阱型结构，所述阱型结构为凹坑结构或凸起结构，所述发光有源层为与所述有源区准备层的阱型结构相匹配的阱型结构。本实用新型通过采用具有阱型结构的发光有源层，由于发光有源层中阱型结构的侧壁为非极性面或半极性面，其具有更小的压电效应，从而能够有效降低量子阱中的压电场，增强空穴的有效注入，降低电子的泄漏，进而能够提高发光二极管的发光效率。

公开(公告)号：CN208271889U

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201820473135.3

申请日：2018-03-30

Applicant: 南昌大学 ,  南昌黄绿照明有限公司

Inventor： 王光绪 ,  郭醒 ,  陈芳 ,  刘军林 ,  李树强 ,  江风益

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/58

Abstract: 本实用新型公开了一种LED芯片的封装模块，包括四颗LED芯片、基板、固晶层、引线和一次光学透镜；四颗LED芯片通过固晶层分别键合在基板上，四颗LED芯片的发光面均为1/4圆扇形，四颗LED芯片呈圆周分布键合到基板上，四颗LED芯片发光面组成圆形；一次光学透镜将四颗LED芯片、基板、固晶层、引线密封在基板上。二次光学系统直接安装在一次光学透镜上，四颗1/4圆扇形发光面的LED芯片组合得到圆形发光面，与二次光学系统完全匹配。本实用新型具有能实现LED芯片发光与光学系统的最大化耦合、提高光源模块的出光效率、结构简单、成本低廉的优点，解决了LED芯片封装模块与同轴光学系统之间的光耦合效率问题。

公开(公告)号：CN208142186U

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201820436749.4

申请日：2018-03-29

Applicant: 南昌大学 ,  南昌黄绿照明有限公司

Inventor： 江风益 ,  刘军林 ,  张建立 ,  全知觉 ,  莫春兰 ,  王小兰 ,  吴小明 ,  徐龙权 ,  丁杰

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778

Abstract: 本实用新型提供了一种高电子迁移率晶体管外延结构，包括硅衬底，在硅衬底上依次设有缓冲层、位错锐减结构、高阻层、沟道层、势垒层和盖层，所述位错锐减结构包括AlN应力层、GaN三维层和GaN合并层，所述GaN三维层为利用晶格常数差异在所述AlN应力层上形成的，所述GaN合并层为利用所述GaN三维层的侧向外延形成的。本实用新型在缓冲层和GaN高阻层之间引入一层位错锐减结构，即利用AlN与GaN之间的晶格常数差异形成的应力，在AlN应力层上直接生长GaN三维层，然后通过采用侧向外延技术在GaN三维层上形成GaN合并层，这样就无需二次外延，结构简单且实用性高，同时可以大幅地降低HEMT材料中的位错密度，提高晶体质量，从而提升HEMT器件的电子迁移率、击穿电压等特性。

公开(公告)号：CN206771046U

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201720553900.8

申请日：2017-05-18

Applicant: 南昌大学 ,  南昌黄绿照明有限公司

Inventor： 郭醒 ,  王光绪 ,  付江 ,  刘军林 ,  江风益

IPC: F21L4/00 ,  F21V19/00 ,  H01L33/48 ,  F21Y115/10

Abstract: 本实用新型公开了一种无荧光粉型黄绿光LED强光手电筒，包括外壳，在外壳内设有LED光源、基板、散热板、电源模块、开关、电池、电线和配光元件，特征是：LED光源由单一LED芯片组成，LED芯片为AlInGaN材料体系制备的高光效垂直结构黄光LED芯片、高光效垂直结构绿光LED芯片、高光效垂直结构黄绿光LED芯片。本实用新型采用LED芯片光源直接出光，避免了荧光粉的使用，提高了灯具亮度，降低了光型控制的难易程度，简化了灯具制作工艺，同时提高灯具模块的可靠性。

公开(公告)号：CN203300704U

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201320330460.1

申请日：2013-06-08

Applicant: 南昌黄绿照明有限公司 ,  南昌大学

Inventor： 王光绪 ,  刘军林 ,  江风益

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/22

Abstract: 本实用新型公开了一种LED薄膜芯片的半导体基板，包括半导体基板本体，特征是：在半导体基板本体的上表面加工有经过表面粗糙化处理形成凹凸状的上粗糙层，上粗糙层与键合金属进行结合，在半导体基板本体的下表面加工有经过表面粗糙化处理形成凹凸状的下粗糙层，下粗糙层与接触金属进行结合。上粗糙层的厚度≥0.3um，下粗糙层的厚度≥0.3um。这样可以有效提高半导体基板本体与键合金属以及接触金属的结合力，使半导体基板本体与键合金属和接触金属充分结合，牢固不动。本实用新型具有通过表面粗糙化处理形成具有凹凸状的粗糙层、使得半导体基板本体与键合金属以及接触金属都具有良好的结合力、能提高产品的成品率和可靠性的优点。