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公开(公告)号：CN102853917A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210315340.4
申请日：2012-08-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01J5/10
Abstract: 本发明公开了一种液晶基电调成像波谱面阵红外探测芯片，包括陶瓷外壳、谱红外成像探测架构以及金属散热板，谱红外成像探测架构设置在陶瓷外壳内，并包括驱控与图像预处理模块、面阵非制冷红外探测器、以及电调成像波谱液晶模块，三者同轴顺序设置，电调成像波谱液晶模块用于接收目标红外入射光，通过其内的多级次高反射干涉相干提取红外入射光中的谱红外光，并传送到面阵非制冷红外探测器，面阵非制冷红外探测器用于对谱红外光进行光电转换，以生成电响应信号。本发明具有结构紧凑，成像波谱响应迅速，可执行任意的波谱切入、凝视或跳转，谱成像探测效能高，易与其它光学/光电/机械结构耦合，以及环境适应性好等特点。
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公开(公告)号：CN101738619B
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200910272921.2
申请日：2009-11-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 双波段红外光学系统，属于红外遥感光学系统，解决现有图谱合一装置光路布局受到限制，整个设备体积大的问题。本发明包括扫描转镜、双波段红外光学镜头、光谱仪、红外焦平面探测器和信号处理器，双波段红外光学镜头由红外窗口、分光镜、中波镜头、长波镜头组成；扫描转镜位于红外窗口上方，红外光纤将中波镜头输出的红外光传输到光谱仪，红外焦平面探测器位于长波镜头输出光轴上，光谱仪和红外焦平面探测器输出信号通过传输电缆送至信号处理器。本发明体积小、集成度高、使用方便、灵活，对外部景物双波段观测，能够实现对目标的自动扫描、辨识和跟踪，可以有效地应用于导弹红外制导、大气污染及有毒气体遥测等军事或民用领域。
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公开(公告)号：CN112259633B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202011157075.2
申请日：2020-10-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/115 , H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L31/18 , H01Q15/00 , H01Q15/10
Abstract: 本发明公开了一种基于超表面光学天线的红外射频信号探测器及其制备方法，包括自下而上依次设置的衬底、掺杂层和二氧化硅层，制作于掺杂层之上与掺杂层形成肖特基接触的超表面光学天线层，制作于掺杂层之上与掺杂层形成欧姆接触的欧姆电极，以及位于二氧化硅层的上表面的肖特基电极和普通电极；超表面光学天线层是由多个彼此间隔的金属层组成的阵列结构，金属层包括第一金属层和第二金属层，第一金属层为宽度为0.5～5mm具有周期性纳尖结构的金属纳尖阵列，第二金属层为宽度为5～100mm的金属阵列，由周期性排列的微米基元构成；超表面光学天线层对入射的红外、射频S、C或X波段的信号具有局域表面等离激元效应，能够以较小的体积完成响应速度较快的信号探测。
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公开(公告)号：CN112216761B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202011155858.7
申请日：2020-10-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/115 , H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L31/18 , H01Q15/00 , H01Q15/10
Abstract: 本发明公开了一种基于超表面光学天线的红外太赫兹信号探测器及制备方法，探测器包括：衬底、掺杂层、二氧化硅层、超表面光学天线层、欧姆电极、肖特基电极和普通电极；超表面光学天线层宽度为0.5～10mm，并且包括分别用于探测红外信号的第一金属层和探测太赫兹信号的第二金属层，由于第一金属层和第二金属层分别对入射的红外信号和太赫兹信号波段电磁信号具有极强的局域表面等离激元感应能力，一旦与对应的信号产生局域表面等离激元振荡，其响应速度属于超高速响应，能够在极短时间内产生极强的响应信号，使得探测器能够更好地分辨红外太赫兹波段的电磁信号。此外，由于超表面光学天线的制作采用纳米工艺，使得红外太赫兹信号探测器体积很小、重量很轻。
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公开(公告)号：CN113873134B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202111280450.7
申请日：2021-10-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: H04N23/55 , H04N23/50 , H04N23/20 , G02F1/13 , G02F1/1343
Abstract: 本发明公开了一种中远红外层析化景深扩展成像系统，属于中远红外成像探测领域，包括：依次固定设置的红外成像物镜、液晶红外微光学结构和面阵红外光电探测器；液晶红外微光学结构的图案化电极层中，不同孔径的电极微孔交替分布，相同孔径的电极微孔周期分布；当施加在图案化电极层和公共电极层之间的信号电压的均方幅值高于均方幅值阈值时，液晶红外微光学结构具有多个焦距，用于对红外成像物镜传输的一次像进行第二次成像，并透射至面阵红外光电探测器；面阵红外光电探测器将接收到的入射光场的光信号转换为电信号，以得到层析化图像数据。可以扩展中远红外成像系统的景深范围，并实现层析化成像。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113873134A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111280450.7
申请日：2021-10-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: H04N5/225 , H04N5/33 , G02F1/13 , G02F1/1343
Abstract: 本发明公开了一种中远红外层析化景深扩展成像系统，属于中远红外成像探测领域，包括：依次固定设置的红外成像物镜、液晶红外微光学结构和面阵红外光电探测器；液晶红外微光学结构的图案化电极层中，不同孔径的电极微孔交替分布，相同孔径的电极微孔周期分布；当施加在图案化电极层和公共电极层之间的信号电压的均方幅值高于均方幅值阈值时，液晶红外微光学结构具有多个焦距，用于对红外成像物镜传输的一次像进行第二次成像，并透射至面阵红外光电探测器；面阵红外光电探测器将接收到的入射光场的光信号转换为电信号，以得到层析化图像数据。可以扩展中远红外成像系统的景深范围，并实现层析化成像。
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公开(公告)号：CN112216764A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202011155911.3
申请日：2020-10-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/115 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/18 , H01Q15/00 , H01Q15/10
Abstract: 本发明公开了一种基于超表面光学天线的超宽谱红外信号探测器及制备方法，属于信号探测技术领域，包括衬底、掺杂层、二氧化硅层、超表面光学天线层、欧姆电极、肖特基电极和普通电极；其中，超表面光学天线层由一个宽度为0.5～5mm的金属纳尖阵列构成，金属纳尖阵列为具有周期性纳尖结构的金属层，对入射的电磁波具有极强的局域表面等离激元感应能力，可以与对应的红外信号产生局域表面等离激元振荡，其响应速度较高，属于超高速响应，能够在极短时间内产生极强的响应信号，从而快速探测波段为1～70um的红外信号。另外，本发明所提供的探测器尺寸为毫米级或亚毫米级，具有高灵敏、高速和微型化特性，可以以较小的体积实现响应速度较快的超宽谱红外信号的探测。
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公开(公告)号：CN104298025B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201410577244.6
申请日：2014-10-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/1343 , G02F1/133 , G02F1/29 , G01J3/12
Abstract: 本发明公开了一种双模一体化红外面阵电控液晶微透镜芯片，包括双模一体化红外面阵电控液晶微透镜和驱控信号输入端口，双模一体化红外面阵电控液晶微透镜为m×n元，其中，m、n均为大于1的整数，双模一体化红外面阵电控液晶微透镜采用液晶夹层结构，且上下层之间顺次设置有第一基片、第一平板电极层、第一电隔离层、图案化电极层、第二电隔离层、第一液晶定向层、液晶层、第二液晶定向层、第三电隔离层、第二平板电极层、第二基片，第一平板电极层和第二平板电极层分别固定在第一基片和第二基片上。本发明结构紧凑，可执行微光点阵或微光孔阵红外波场的电控成形与调变，控制精度高，易与常规红外光学光电机械结构耦合，光场适应性好。
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公开(公告)号：CN104298024B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201410577153.2
申请日：2014-10-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/1343 , G02F1/133 , G01J3/12
Abstract: 本发明公开了一种液晶基红外波束偏振控制芯片，包括芯片壳体(4)以及位于该芯片壳体(4)内的阵列化液晶偏振控制结构(3)；芯片壳体(4)上设置有第一驱控信号输入端口(1)，第二驱控信号输入端口(2)，第三驱控信号输入端口(5)，第四驱控信号输入端口(6)。红外光波进入芯片的阵列化液晶偏振控制结构后，按照液晶偏振控制结构的阵列规模和排布情况被离散化为子波束阵。子波束与受控电场激励下的液晶分子相互作用，被执行水平、垂直、45°和135°等取向上的相位延迟操作再经合束得到特定偏振态的透射波束。本发明的液晶基红外波束偏振控制芯片结构紧凑，可进行红外波束偏振态的电控构建、凝固或调变。
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公开(公告)号：CN103955919B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201410141691.7
申请日：2014-04-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06T7/33
Abstract: 本发明公开了一种SIFT特征向量梯度直方图多通道更新电路，使用16个八维四更新的直方图组来取代1个128维16更新的直方图，每一个八维四更新的直方图代表同一空间位置的NBO方向维度的子特征值向量。所述电路包括：第一三线性插值模块、第二三线性插值模块、方向地址仲裁模块、第一至第十六四通道更新仲裁模块、第一至第十六八维四通道更新直方图模块。本发明的电路硬件面积开销仅占传统128维16更新的直方图电路面积开销的28%。从硬件开销方面，本电路优势明显；并且在SMIC0.18um的工艺下，本发明的最高工作频率为130MHz，传统128维16更新的直方图电路最高工作频率为100MHz。
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