公开(公告)号：CN101685776A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200810223613.6

申请日：2008-09-27

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张兴旺 ,  蔡培锋 ,  游经碧 ,  范亚明 ,  高云 ,  陈诺夫

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/461 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

Abstract: 本发明公开了一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法，该方法是在沉积金属电极之前，利用氢等离子体处理ZnO薄膜的电极接触区域，然后在经氢等离子体处理的ZnO薄膜电极接触区域沉积双层金属电极，形成欧姆接触。由于氢等离子体处理导致氢扩散进入ZnO薄膜，提高了接触区域ZnO薄膜的载流子浓度，减小了接触区域ZnO薄膜的电阻率，从而可以显著降低ZnO薄膜和金属的接触电阻，改善其欧姆接触特性。此外，在MS技术中，由于溅射出的粒子具有较高能量，使得ZnO/Ti界面原子能充分混合，可以提高Ti/Au接触在ZnO薄膜上的粘附性。利用该发明最终可以得到粘附良好、接触电阻低的欧姆接触，为实现ZnO薄膜电子器件奠定了基础。

公开(公告)号：CN101442089A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200710177789.8

申请日：2007-11-21

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张兴旺 ,  游经碧 ,  范亚明 ,  屈盛 ,  陈诺夫

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明一种增强氧化锌(ZnO)薄膜蓝光发射的方法，涉及半导体技术，该方法制备ZnO/Ag复合结构薄膜，利用Ag表面等离激元与ZnO带间发射间的共振耦合，使ZnO带间辐射复合速率加快；同时借助具有一定粗糙度的Ag薄膜表面将等离激元耦合成光，以达到增强ZnO薄膜蓝光发射的目的。通过ZnO/Ag复合结构薄膜和ZnO薄膜的光致发光性能对比，发现Ag表面等离激元的参与能将ZnO带间蓝光发射的强度提高约50倍，同时有效地抑制了ZnO薄膜中缺陷导致的绿光发射。该方法不仅实现了ZnO蓝光发射增强，而且也能广泛应用于其它半导体发光材料以及其它类型的发光体。

公开(公告)号：CN1917152A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200510090638.X

申请日：2005-08-18

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张兴旺 ,  陈诺夫

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/283 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别是一种在立方氮化硼薄膜上制备良好欧姆接触的方法。利用脉冲激光沉积(PLD)技术在c－BN薄膜上制备Ti/Au双层接触，在PLD技术中，由于激光溅射出的粒子具有较高能量(＞100eV)，使得c－BN/Ti界面原子能充分混合，从而大大提高了Ti/Au接触在c－BN薄膜上的粘附性。进一步的高温退火使Ti/c－BN薄膜界面合金化，最终得到粘附良好、接触电阻低的欧姆接触。该发明不仅为实现c－BN基电子器件奠定了基础，也能应用于其他半导体材料欧姆接触的制备。