公开(公告)号：CN2117380U

公开(公告)日：1992-09-30

申请号：CN91229537.6

申请日：1991-12-03

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陆大成 ,  汪度 ,  昝育德 ,  刘祥林

IPC: C23C16/00

Abstract: 本实用新型公开了一种用于半导工艺、具有全平滑侧壁的卧式矩形化学气相淀积反应管。这种反应管的扩展区两侧壁面与其矩形反应区两侧壁面之间有缓曲的界面。它可以避免在反应管内形成离壁返回涡流，为确保淀积层的质量控制创造了良好的条件。

公开(公告)号：CN210897327U

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201922345475.5

申请日：2019-12-24

Applicant: 南京佑天金属科技有限公司 ,  中国科学院半导体研究所

Inventor： 魏洁 ,  魏鸿源 ,  陈怀浩 ,  杨少延 ,  杨瑞 ,  李成明 ,  李辉杰 ,  刘祥林 ,  汪连山

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01L33/42 ,  H01L33/00

Abstract: 本实用新型公开了一种硅基应力协变衬底及应用该硅基应力协变衬底的垂直结构氮化镓LED；其中硅基应力协变衬底包括：一双面抛光硅单晶基底；一薄氮化锆导电反光应力协变层，形成在所述双面抛光硅单晶基底上，所述薄氮化锆导电反光应力协变层的厚度为50nm～350nm；一薄氮化镓单晶薄膜模板层，形成在所述薄氮化锆导电反光应力协变层上，所述薄氮化镓单晶薄膜模板层的厚度不小于所述薄氮化锆导电反光应力协变层的厚度。该硅基应力协变衬底能够在GaN材料和LED器件的高质量制备生长时克服和缓解大失配应力问题。