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公开(公告)号：CN103147046A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310073482.9
申请日：2013-03-08
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种激光技术制备二氧化锡半导体薄膜及其微结构缺陷湮灭的实验工艺，属于半导体薄膜制备工艺技术领域。二氧化锡是近年来引起广泛关注的一种n-型半导体功能材料，在微电子工业、光电子器件以及太阳能电池等领域具有广泛的应用前景。利用脉冲激光沉积方法，控制一定工艺参数，在室温下，将薄膜沉积在玻璃衬底上，制备出了二氧化锡半导体薄膜；该薄膜存在着若干微结构缺陷，使其应用受到限制，然而，采用在高分辨电子显微镜，将上述具有微结构缺陷的薄膜进行300℃原位退火2小时，简单地成功实施了二氧化锡半导体薄膜的微结构缺陷的湮灭技术，实现了薄膜微结构无缺陷的工艺，本方法在薄膜制备领域具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN103094553A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310010611.X
申请日：2013-01-12
Applicant: 上海大学
IPC: H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/62 , H01M4/131 , H01M4/1391
Abstract: 本发明涉及一种锂离子电池正极材料Li1+xM1-xO2(M可以是Ni、Co、Mn、Al中的一种或多种，0≤x≤1/3)及其表面包覆AlF3改性的方法。首先，按照化学计量比称取铝源和氟源（AlF3的包覆量相当于正极材料质量的0.5%~10%），分别加水溶解。然后在搅拌的铝源溶液中加入一定量的碱液，调节pH值为4~11，加入待包覆正极材料，持续搅拌0.5~10h，然后加入氟盐。干燥后将前驱体在惰性气体中200~700℃烧结1~10h，得到AlF3表面包覆改性的正极材料。本发明能够提高材料的首次充放电效率、倍率放电和循环稳定性能，而且工艺简单，成本低，操作方便，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN102962042A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210491754.2
申请日：2012-11-28
Applicant: 上海大学
IPC: B01J21/06 , B01J35/10 , C01G23/053
Abstract: 本发明涉及一种多孔TiO2光催化纳米材料的制备方法，属于材料合成和光催化技术领域。本发明以四丙基氢氧化铵（TPAOH）为模板剂，钛酸正丁酯（TBOT）为钛源，水为溶剂，采用简单的水热合成方法，即得具有多孔特征的小粒径的TiO2纳米材料。其中，原料的钛源也可为硫酸钛（Ti(SO4)2）、四氟化钛（TiF4）等，均可得到形貌均一的TiO2纳米材料，不同在于其粒径和多孔性有所差异。光催化试验结果表明，该法制备的多孔TiO2纳米材料具有优异的光催化性能，可有效解决环境污染等问题，且在能源及生物医学等领域也具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN102951638A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210499894.4
申请日：2012-11-30
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种中空碳纳米材料的水热合成方法，属于材料制备及电化学领域。本发明方法以葡萄糖为碳源，十二烷基苯磺酸钠（SDBS）为表面活性剂，水为溶剂，采用简单的水热合成方法，即得具有独特结构的中空碳纳米材料，如帽子状，瘪气球状等。其中，表面活性剂SDBS也可为非离子型三嵌段共聚物P123（(EO)20(PO)70(EO)20）、F127（(EO)106(PO)70(EO)106），均可得到形貌均一的碳纳米材料。本发明工艺简单，低能环保，重复性好。所得产物中空碳纳米材料的粒径在200nm或1μm左右，且单分散性好。本发明中空碳纳米材料具有潜在的优异的电化学性能。鉴于此，本发明中所提供的中空碳纳米材料，在催化、能源以及生物医学等领域具有潜在的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102677163A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210154266.2
申请日：2012-05-18
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及到一种制备技术简单、形貌可控、重复性良好的Al/Ge双层膜中Ge分形团簇的Al诱导合成方法，也即是一种具有锗晶分形团簇的Al/Ge双层膜的制备方法，属于半导体薄膜制备工艺技术领域。本发明方法的主要内容是：利用真空热蒸发技术，将一定质量的高纯Ge(纯度99.9999wt.%)和高纯Al(纯度99.9wt.%)分别放置于真空热蒸发装置中的钼舟上。衬底选择单晶Si(100)晶面，在室温下当真空度优于2.67×10-3Pa时，通过调节电流和电压的大小，控制Ge和Al的蒸发沉积速率即可得到室温下的Al/Ge双层膜。将室温条件下制备的Al/Ge双层膜置于管式炉中，在氮气氛围保护下，将薄膜样品在300℃~500℃时退火60分钟，其中最佳温度为400℃，能成功获得分形维数为1.82和1.88的Ge分形团簇纳米薄膜。本发明的特点是通过控制真空热蒸发技术参数和退火条件，采用Al诱导成核的方法在Al/Ge双层膜中成功制备出Ge分形团簇纳米薄膜。本发明产品在半导体工业，如：微电子器件和光电子元件等领域具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN102627904A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201210101949.1
申请日：2012-04-10
Applicant: 上海大学
IPC: C09D163/00 , C09D161/06 , C09D5/25 , C09D7/12
CPC classification number: Y02P20/544
Abstract: 本发明涉及一种铝基覆铜箔板间的高导热绝缘涂层的制备方法，以麦秆为原料，在亚/超临界水中制备高热值生物油的方法。其特征在于在氮气气氛下，将麦秆与水的质量按一定比例（1:40~5:40）在亚/超临界水中（300~375℃、13~27MPa）反应1~20min，液化产物自然冷却至室温，有机溶剂萃取分离，最后旋蒸去除有机溶剂得到生物油。该生物油热值高，氧含量低，几乎不含水分，具有良好的潜在应用前景，可缓解对化石能源的依赖，且原料（麦秆和水）资源丰富，廉价易得，绿色环保，具有良好的经济效益。
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公开(公告)号：CN101974326A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010291074.7
申请日：2010-09-21
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种荧光二氧化硅纳米球的制备方法，属无机化学和材料合成技术领域。本发明方法主要过程是：(1)按已有技术，将一定量的乙二胺四乙酸二钠(EDTA-2Na)在管式炉中N2保护下250～400℃下煅烧，制得荧光碳量子点；(2)将上述荧光碳量子点、去离子水、十八胺、甲苯相混合，且在160～180℃下反应12小时；然后离心分离，取其上清液，经烘干后得到十八胺修饰的荧光碳量子点；(3)将上述十八胺修饰的荧光碳量子点与水、乙醇、氨水、正硅酸乙酯混合，在40℃反应1～12小时；然后再加入正硅酸乙酯、十六烷基三甲基溴化铵反应1～12小时；然后经乙醇清洗，再经离心、烘干，300℃下煅烧3小时即得荧光二氧化硅纳米球。
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公开(公告)号：CN101969113A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN201010291060.5
申请日：2010-09-21
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯基二氧化锡复合锂离子电池负极材料的制备方法，属于材料科学和电化学技术领域。本发明方法制备石墨烯基二氧化锡的过程如下：1.将制得的氧化石墨纳米片分散于乙醇(C2H5OH)溶液中；2.向上述悬浮液中加入一定量的模板剂十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)，剧烈搅拌下加入一定量的结晶四氯化锡(SnCl4·5H2O)和氢氧化钠(NaOH)，继续搅拌30min；3.搅拌后悬浮液转入高压反应釜，于160℃烘箱中反应20h，反应后产物经乙醇和去离子水多次洗涤；4.将产物在60℃下真空干燥8h；最终得到石墨烯基二氧化锡复合材料。
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公开(公告)号：CN101948139A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010291070.9
申请日：2010-09-21
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种新型介孔二氧化硅纳米球的制备方法，属于无机化学和材料合成技术领域。本发明方法的主要过程如下：将一定量的乙醚、去离子水、氨水、正硅酸乙酯混合反应，再加入一定量的正硅酸乙酯和十六烷基三甲基溴化铵(作为模板剂)，然后装入高压反应釜中，在120℃下反应12～24小时；然后用去离子水和乙醇溶液清洗，经离心分离，将沉淀烘干，最终得到介孔二氧化硅纳米球。该材料化学稳定性高、无毒；有望应用于生物医药方面，如药物的可控释放、生物传感器以及细胞标记的领域。
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