磁阻效应元件
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108695432B

    公开(公告)日:2022-03-29

    申请号:CN201810223951.3

    申请日:2018-03-19

    Abstract: 本发明的磁阻效应元件具备:磁化自由层,沿着第一面延伸;介入层,沿着第一面延伸,并且层叠在磁化自由层上;以及磁化固定层,沿着第一面延伸,并且隔着介入层设置在磁化自由层的相反侧。磁化自由层包括对第一面的最大倾斜角度小于等于42°的端面。

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