公开(公告)号：CN105073684B

公开(公告)日：2018-03-02

申请号：CN201480017478.3

申请日：2014-02-04

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 井村友哉 ,  田内刚士 ,  古川正仁

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/468 ,  C04B35/475 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/1227 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/475 ,  C04B35/495 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3298 ,  H01B3/12 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明的目的在于提供一种5V/μm的DC偏置变化率非常小以至小到‑15％以内，并且具有1000以上的比较高的相对介电常数的介电陶瓷组合物以及使用了该介电陶瓷组合物的介电元件。本发明所涉及的介电陶瓷组合物为由下述通式(1)所表示的复合氧化物，{[(BisNat)a(BiuKv)bBac]1‑dAd}xTi1‑dNbdO3(1)[在通式(1)中，A表示选自Li、Na、K中的至少一种元素。a、b、c、d、s、t、u、v以及x分别是满足下述关系式的数字。]0.10≤a＜0.950.00＜b≤0.850.05≤c≤0.70a+b+c＝10.10≤d≤0.500.90≤s+u≤1.000.45≤t≤0.500.45≤v≤0.500.95≤x≤1.05。

公开(公告)号：CN105073684A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201480017478.3

申请日：2014-02-04

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 井村友哉 ,  田内刚士 ,  古川正仁

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/475 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/1227 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/475 ,  C04B35/495 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3298 ,  H01B3/12 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明的目的在于提供一种5V/μm的DC偏置变化率非常小以至小到-15％以内，并且具有1000以上的比较高的相对介电常数的介电陶瓷组合物以及使用了该介电陶瓷组合物的介电元件。本发明所涉及的介电陶瓷组合物为由下述通式(1)所表示的复合氧化物，{[(BisNat)a(BiuKv)bBac]1-dAd}xTi1-dNbdO3 (1)[在通式(1)中，A表示选自Li、Na、K中的至少一种元素。a、b、c、d、s、t、u、v以及x分别是满足下述关系式的数字。]0.10≤a＜0.950.00＜b≤0.850.05≤c≤0.70a+b+c＝10.10≤d≤0.500.90≤s+u≤1.000.45≤t≤0.500.45≤v≤0.500.95≤x≤1.05。

公开(公告)号：CN101712557A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910174153.7

申请日：2009-09-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 黄锦涛 ,  井村友哉 ,  中畑功 ,  增泽清幸

IPC: C04B35/626 ,  C04B35/468 ,  H01G4/12 ,  B82B3/00

CPC classification number: Y02P20/544

Abstract: 本发明提供一种粉体的合成方法，其可以减少对反应容器等的腐蚀、减少由腐蚀导致的产物中杂质的混入，或者可以扩大反应容器等的材质的选择范围。通过使用水和在比仅有水时更低温度和更低压力下处于超临界状态的溶剂的混合溶剂，通过加热和加压中的至少一者生成亚临界或者超临界状态的反应环境，并将生成的亚临界或者超临界状态的反应环境作为反应场，使粉体原料在该反应场中停留预定时间，生成粉体微粒，与仅有水时相比，可以缓和用于形成亚临界或者超临界状态的临界条件。