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公开(公告)号：CN101933123A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200980104030.4
申请日：2009-02-18
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L31/0236 , H01L31/02363 , Y02E10/50
Abstract: 根据本发明，可以通过交叠两个晶片并对它们执行单面刻蚀或非对称刻蚀，来同时获得用于太阳能电池的两个晶片，其中，所述两个晶片的受光表面被选择性地刻蚀。本发明提供了一种刻蚀晶片的方法，该方法包括对所述晶片执行单面刻蚀或非对称刻蚀的步骤，其中，所述执行单面刻蚀或非对称刻蚀的步骤包括：将两个晶片以各自的一面彼此面对的方式交叠；和对交叠的两个晶片进行刻蚀，并且，本发明还提供了包括所刻蚀的晶片的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN101405873A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200780009938.8
申请日：2007-09-03
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L27/142 , H01L31/046 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种具有旁路二极管的光电转换设备及其制造方法。本发明的光电转换设备包括：由至少一个单元太阳能电池构成的至少一个单元太阳能电池模块；以及旁路太阳能电池模块，其包括电连接至该单元太阳能电池以旁通电流的至少一个太阳能电池。根据本发明，可以制造具有高光电转换效率的光电转换设备。该光电转换设备作为下一代清洁能源将有助于地球的环境保护，并且可以直接应用于民用设施、公共设施和军事设施等，以创造巨大的经济价值。
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公开(公告)号：CN101405873B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200780009938.8
申请日：2007-09-03
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L27/142 , H01L31/046 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种具有旁路二极管的光电转换设备及其制造方法。本发明的光电转换设备包括：由至少一个单元太阳能电池构成的至少一个单元太阳能电池模块；以及旁路太阳能电池模块，其包括电连接至该单元太阳能电池以旁通电流的至少一个太阳能电池。根据本发明，可以制造具有高光电转换效率的光电转换设备。该光电转换设备作为下一代清洁能源将有助于地球的环境保护，并且可以直接应用于民用设施、公共设施和军事设施等以创造巨大的经济价值。
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公开(公告)号：CN101933156A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200980103725.0
申请日：2009-02-23
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L31/02168 , H01L31/068 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及太阳能电池和制造该太阳能电池的方法。更具体地，本发明提供一种通过去除由用于隔离硅衬底的激光边缘隔离处理所形成的受损层并在其表面上覆盖保护层，能够将缺陷和电子-空穴复合减小到最少的硅太阳能电池和制造该硅太阳能电池的方法。
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