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公开(公告)号：CN115380390A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202080099559.8
申请日：2020-11-27
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0368 , H01L31/0224 , H01L31/02 , H01L31/0328 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本实施例的太阳能电池可以通过在由多晶半导体层构成的导电型区域形成包括金属和粘合物质的电极，提高太阳能电池的电特性，简化制造工艺。更具体地，太阳能电池包括半导体基板，由多晶半导体层构成的导电型区域位于半导体基板的一面上。
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