公开(公告)号：CN112106210B

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN201880093147.6

申请日：2018-09-10

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 崔峯硕 ,  姜敏求 ,  宋厚永

IPC: H01L33/58 ,  H01L27/15 ,  H01L33/36 ,  H01L33/62 ,  H01L33/44 ,  H01L33/00 ,  F21S41/141 ,  F21S43/14

Abstract: 本发明涉及一种灯，尤其涉及一种使用半导体发光元件的灯及其制造方法。本发明提供一种灯，其特征在于，包括：基板；多个半导体发光元件，其配置在所述基板上；平坦层，其形成在多个所述半导体发光元件之间；以及撑挡，其配置在所述基板和所述平坦层之间，在每个所述半导体发光元件和所述撑挡之间形成有气隙。

公开(公告)号：CN112106210A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN201880093147.6

申请日：2018-09-10

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 崔峯硕 ,  姜敏求 ,  宋厚永

IPC: H01L33/58 ,  H01L27/15 ,  H01L33/36 ,  H01L33/62 ,  H01L33/44 ,  H01L33/00 ,  F21S41/141 ,  F21S43/14

Abstract: 本发明涉及一种灯，尤其涉及一种使用半导体发光元件的灯及其制造方法。本发明提供一种灯，其特征在于，包括：基板；多个半导体发光元件，其配置在所述基板上；平坦层，其形成在多个所述半导体发光元件之间；以及撑挡，其配置在所述基板和所述平坦层之间，在每个所述半导体发光元件和所述撑挡之间形成有气隙。

公开(公告)号：CN106067462B

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201510666224.0

申请日：2015-10-15

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李银娥 ,  姜敏求

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/00 ,  H01L33/46

Abstract: 本发明涉及使用半导体发光器件的显示装置及其制造方法。一种半导体发光器件包括：第一导电型半导体层；布置在第一导电型半导体层上的第一导电型电极；与第一导电型半导体层重叠的第二导电型半导体层；布置在第二导电型半导体层上的第二导电型电极；以及包括覆盖第一和第二导电型半导体层的侧表面的具有不同折射率多个层的钝化层以反射发射到半导体发光器件的侧表面的光。

公开(公告)号：CN106067462A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201510666224.0

申请日：2015-10-15

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李银娥 ,  姜敏求

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/00 ,  H01L33/46

Abstract: 本发明涉及使用半导体发光器件的显示装置及其制造方法。一种半导体发光器件包括：第一导电型半导体层；布置在第一导电型半导体层上的第一导电型电极；与第一导电型半导体层重叠的第二导电型半导体层；布置在第二导电型半导体层上的第二导电型电极；以及包括覆盖第一和第二导电型半导体层的侧表面的具有不同折射率多个层的钝化层以反射发射到半导体发光器件的侧表面的光。