公开(公告)号：CN1697865A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200480000330.5

申请日：2004-03-31

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 文明善 ,  高敏镇 ,  南惠映 ,  姜晶元 ,  崔笵圭 ,  金秉鲁 ,  姜贵权 ,  金永得 ,  朴相敃

IPC: C09D183/04

CPC classification number: C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明涉及一种生产绝缘膜的涂料组合物，一种使用该涂料组合物制备低电介绝缘膜的方法，由其得到的用于半导体器件的低电介绝缘膜和包括该绝缘膜的半导体器件，更具体地说，本发明涉及一种生产具有低电介常数绝缘膜而且能够生产优异机械强度(弹性)绝缘膜的涂料组合物，使用该涂料组合物制备低电介绝缘膜的方法，由其得到的用于半导体器件的低电介绝缘膜，和包括该绝缘膜的半导体器件。本发明的涂料组合物包括小分子量的有机硅氧烷树脂和水，可显著改进绝缘膜的低介电性和机械强度。

公开(公告)号：CN100457844C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200480000330.5

申请日：2004-03-31

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 文明善 ,  高敏镇 ,  南惠映 ,  姜晶元 ,  崔笵圭 ,  金秉鲁 ,  姜贵权 ,  金永得 ,  朴相敃

IPC: C09D183/04

CPC classification number: C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明涉及一种生产绝缘膜的涂料组合物，一种使用该涂料组合物制备低电介绝缘膜的方法，由其得到的用于半导体器件的低电介绝缘膜和包括该绝缘膜的半导体器件，更具体地说，本发明涉及一种生产具有低电介常数绝缘膜而且能够生产优异机械强度(弹性)绝缘膜的涂料组合物，使用该涂料组合物制备低电介绝缘膜的方法，由其得到的用于半导体器件的低电介绝缘膜，和包括该绝缘膜的半导体器件。本发明的涂料组合物包括小分子量的有机硅氧烷树脂和水，可显著改进绝缘膜的低介电性和机械强度。