公开(公告)号：CN103173019A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201210477565.X

申请日：2012-11-21

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 野村博幸 ,  中西康二 ,  根本哲也 ,  后藤佑太 ,  玉木研太郎

IPC: C08L83/07 ,  C08L83/05 ,  C08K5/01 ,  H01L33/56

CPC classification number: H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的为提供一种硬化性组成物及其制造方法、硬化物及光学半导体装置。该硬化性组成物的特征在于含有：具有烯基的聚硅氧烷(A)、饱和烃化合物(B)及每1分子中具有至少2个与硅原子键结的氢原子的聚硅氧烷(D)。本发明的硬化性组成物可形成粘性充分减低的硬化物。包含由本发明的硬化性组成物所形成的硬化物作为密封材等的光学半导体装置在硬化物的表面附着尘埃等的可能性小，而且在产品的筛选中所使用的送料器中，产生封装体彼此粘着等问题的可能性小。

公开(公告)号：CN103834049A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201310585965.7

申请日：2013-11-19

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 玉木研太郎 ,  伊东宏和 ,  野村博幸 ,  长谷川公一

IPC: C08J5/18 ,  C08L83/07 ,  C08L83/05 ,  H01L33/56

Abstract: 本发明涉及一种保护膜的形成方法、保护膜、硬化性组合物以及积层体。本发明提供一种晶片级封装用保护膜的形成方法，其通过将硬化性组合物涂布于具有半导体元件的晶片上，使所得的涂膜硬化而形成保护膜，所述硬化性组合物含有：含烯基的聚硅氧烷(A)、氢化聚硅氧烷(B)以及硅氢化反应用催化剂(C)，并且满足特定的条件。依据本发明的钝化膜的形成方法，即便是于晶片级封装技术中遍及宽广面积而形成保护膜的情况，也可以抑制晶片的翘曲以及保护膜的龟裂的产生。

公开(公告)号：CN103173019B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210477565.X

申请日：2012-11-21

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 野村博幸 ,  中西康二 ,  根本哲也 ,  后藤佑太 ,  玉木研太郎

IPC: C08L83/07 ,  C08L83/05 ,  C08K5/01 ,  H01L33/56

CPC classification number: H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的为提供一种硬化性组成物及其制造方法、硬化物及光学半导体装置。该硬化性组成物的特征在于含有：具有烯基的聚硅氧烷(A)、饱和烃化合物(B)及每1分子中具有至少2个与硅原子键结的氢原子的聚硅氧烷(D)。本发明的硬化性组成物可形成粘性充分减低的硬化物。包含由本发明的硬化性组成物所形成的硬化物作为密封材等的光学半导体装置在硬化物的表面附着尘埃等的可能性小，而且在产品的筛选中所使用的送料器中，产生封装体彼此粘着等问题的可能性小。