-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105385456A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510458542.8
申请日：2015-07-30
Applicant: JSR株式会社
IPC: C09K19/56 , G02F1/1337
Abstract: 本发明提供一种液晶取向剂、液晶取向膜及其制造方法、液晶显示元件、以及相位差膜及其制造方法。本发明的液晶取向剂含有具有硅-硅键的化合物(X)。化合物(X)例如可举出具有下述式(1)所表示的部分结构的化合物等。式(1)中，R11及R12分别独立地为氢原子或一价有机基。“*”分别表示结合键。其中，两个“*”中的至少一个键结在硅原子上。本发明的液晶取向剂可使液晶显示元件的残像特性及可靠性良好。
-
公开(公告)号：CN102089357A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200980127026.X
申请日：2009-07-09
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人金泽大学 , JSR株式会社
CPC classification number: C08G77/60 , C07F7/0896
Abstract: 本发明涉及聚合物的制造方法，其特征在于，使下述式（1）所示的化合物在下述式（2）所示的双核金属络合物的存在下进行反应。R4-nMHn（1）（式（1）中，R为1价有机基团，M为硅原子或锗原子，n为2或3。) ［CpM（μ-CH2）］2 （2）（式（2）中，Cp为环戊二烯基系配位体，Ｍ为选自Rh及Ir的金属原子，Ｍ-Ｍ间为双键。)。
-
公开(公告)号：CN105385456B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201510458542.8
申请日：2015-07-30
Applicant: JSR株式会社
IPC: C09K19/56 , G02F1/1337
Abstract: 本发明提供一种液晶取向剂、液晶取向膜及其制造方法、液晶显示元件、以及相位差膜及其制造方法。本发明的液晶取向剂含有具有硅‑硅键的化合物(X)。化合物(X)例如可举出具有下述式(1)所表示的部分结构的化合物等。式(1)中，R11及R12分别独立地为氢原子或一价有机基。“*”分别表示结合键。其中，两个“*”中的至少一个键结在硅原子上。本发明的液晶取向剂可使液晶显示元件的残像特性及可靠性良好。
-
公开(公告)号：CN102656667A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201080059237.7
申请日：2010-12-22
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 , JSR株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/288
CPC classification number: H01L21/28518 , H01L21/28052 , H01L21/288 , H01L29/665
Abstract: 本发明涉及结晶性硅化钴膜的形成方法，其特征在于：经过在由硅构成的表面上涂布将下式(1A)或(1B)所示的化合物或其聚合物与0价钴络合物混合而得到的组合物形成涂膜，将该涂膜在550～900℃下加热的步骤，形成由第一层和第二层构成的双层膜，然后除去上述双层膜的上述第二层，其中，该第一层在由硅构成的表面上，由结晶性硅化钴构成；该第二层在该第一层上，含有硅原子、氧原子、碳原子和钴原子。式(1A)和(1B)中，X分别为氢原子或卤原子，n为1～10的整数，m为3～10的整数。
-
公开(公告)号：CN102089358A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200980127035.9
申请日：2009-07-09
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人金泽大学 , JSR株式会社
CPC classification number: C08G77/60
Abstract: 本发明涉及聚硅烷的制造方法，其特征在于，使以下述式（2）所示的环状硅烷化合物为代表的特定的硅烷化合物在下述式（4）所示的双核金属络合物的存在下进行反应。SijH2j（2）（式（2）中，j为3～10的整数。)［CpM（μ-CH2）］2（4）（式（4）中，Cp为环戊二烯基系配位体，M为选自Rh及Ir的金属原子，M-M间为双键。)。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.014 seconds)
