一种含硫氰酸根的金络合物及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN102976360B

    公开(公告)日:2014-12-10

    申请号:CN201210477237.X

    申请日:2012-11-22

    Abstract: 本发明涉及一种含硫氰酸根的金络合物及其制备方法和应用,该化合物的通式为Mr[AuLm]q·xH2O,L代表充当金配体的硫氰酸根,m代表其配位数,[AuLm]是该络合物的核心成份,q代表[AuLm]的数量,M代表与[AuLm]平衡的阳离子,r代表M的数目,x代表该金络合物分子中含有的结晶水的数量;Au的价态为正1价;[AuLm]整体价态为零价或负1价;其中,m、q均为正整数,r、x均为零或正整数。该类络合物可应用于电镀金、化学沉金、药物、陶瓷、催化剂及金纳米材料制造等领域;含硫氰酸根的金络合物也可作为中间体而进一步用于其它金化合物的合成。

    电解用半反应器及其应用

    公开(公告)号:CN101624709A

    公开(公告)日:2010-01-13

    申请号:CN200810031721.3

    申请日:2008-07-10

    Abstract: 本发明是一种电化学相关的半反应器的制作方法,这种半反应器是针对电化学反应中两个不同的半反应的特异性开发的,它由某类离子可通过的隔离物、电极和电解质溶液构成,以自成一个独立的工作单元为特点;可在该半反应器内完成特定的电化学半反应如氧化反应或还原反应,它可应用在电解和电解池相关的领域。

    一种类卤化合物的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN103030121A

    公开(公告)日:2013-04-10

    申请号:CN201210587894.X

    申请日:2012-12-31

    Inventor: 李德良 李乐 张闯

    Abstract: 本发明涉及一种类卤化合物(C2N2S2)的制备方法及其应用,该制备方法是将含有硫氰酸根的物质在氧化剂的作用下对硫氰酸根进行选择性氧化,使硫氰酸根阴离子失掉一个电子而成为单电子游离基、两个所述单电子游离基结合在一起形成硫氰;所述含有硫氰酸根的物质选自硫氰酸或一价的硫氰酸盐。所制备出的硫氰(C2N2S2)可应用在与金属溶浸及提取和回收相关的矿山和冶金厂、废印刷电路板、废旧家用电器、废五金、废电镀工件、废催化剂及矿渣中的过渡金属提取和回收等领域。

    一种制备亚铜化合物的方法

    公开(公告)号:CN102050480A

    公开(公告)日:2011-05-11

    申请号:CN200910044725.X

    申请日:2009-11-06

    Inventor: 李德良 张云亮

    Abstract: 本发明涉及一种制备一价铜化合物的方法,特别是从含二价的铜溶液中制备一价铜化合物的方法。它是在含二价铜离子的溶液中,含有可与一价铜离子形成络离子的配体存在的条件下,通过对二价铜离子进行电化学还原,使溶液中的二价铜仅转化为一价铜络离子,再由一价铜络离子制备一价铜盐或亚铜氧化物。本发明提供了一种简单易行的由二价铜离子制备一价铜离子的方法,并且用经该方法获得的一价铜离子溶液可以方便地制备一价铜化合物。所得到的化合物分离提纯简单。

    一种无氰镀金盐溶液
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101724872A

    公开(公告)日:2010-06-09

    申请号:CN200810143363.5

    申请日:2008-10-20

    Abstract: 本发明涉及一种无氰镀金盐溶液的制备方法,该无氰镀金盐溶液的金以水溶性离子状态存在,与金配位的配体(络合剂)为氨基酸类物质。采用IEMEC技术可制备该无氰镀金盐溶液,它可应用在PCB(印刷电路板)、五金电镀、催化剂制造、金属粉未及纳米材料等行业中。

    一种纳米金的制备方法
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103418800B

    公开(公告)日:2016-06-29

    申请号:CN201310304293.8

    申请日:2013-07-19

    Abstract: 本发明公开了一种纳米金的制备方法,该方法以一价金络合物为原料,以水和分子量小于100的亲水性有机溶剂中的一种或两种作为溶剂,将原料加入溶剂中得反应液,控制反应液中的一价金浓度为0.1克∕升~2克∕升,温度为80℃~95℃,pH值为0.3~1.5,反应3min~20min得纳米金产品,产品的粒径分布范围为5nm~15 nm。该方法的特点是:1)制备过程无需额外添加还原剂、节能降耗,2)所用原料中不含氯离子或其它卤素物质,减少了纳米金制备过程的废弃物排放、简化了纳米金产品的纯化过程,3)所得纳米金颗粒的粒径适中、分布较窄。

    一种类卤化合物的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN103030121B

    公开(公告)日:2015-10-28

    申请号:CN201210587894.X

    申请日:2012-12-31

    Inventor: 李德良 李乐 张闯

    Abstract: 本发明涉及一种类卤化合物(C2N2S2)的制备方法及其应用,该制备方法是将含有硫氰酸根的物质在氧化剂的作用下对硫氰酸根进行选择性氧化,使硫氰酸根阴离子失掉一个电子而成为单电子游离基、两个所述单电子游离基结合在一起形成硫氰;所述含有硫氰酸根的物质选自硫氰酸或一价的硫氰酸盐。所制备出的硫氰(C2N2S2)可应用在与金属溶浸及提取和回收相关的矿山和冶金厂、废印刷电路板、废旧家用电器、废五金、废电镀工件、废催化剂及矿渣中的过渡金属提取和回收等领域。

    一种纳米金的制备方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103418800A

    公开(公告)日:2013-12-04

    申请号:CN201310304293.8

    申请日:2013-07-19

    Abstract: 本发明公开了一种纳米金的制备方法,该方法以一价金络合物为原料,以水和分子量小于100的亲水性有机溶剂中的一种或两种作为溶剂,将原料加入溶剂中得反应液,控制反应液中的一价金浓度为0.1克∕升~2克∕升,温度为80℃~95℃,pH值为0.3~1.5,反应3min~20min得纳米金产品,产品的粒径分布范围为5nm~15nm。该方法的特点是:1)制备过程无需额外添加还原剂、节能降耗,2)所用原料中不含氯离子或其它卤素物质,减少了纳米金制备过程的废弃物排放、简化了纳米金产品的纯化过程,3)所得纳米金颗粒的粒径适中、分布较窄。

    通过对三价金选择性还原来制备一价金化合物的方法

    公开(公告)号:CN103253697A

    公开(公告)日:2013-08-21

    申请号:CN201210038125.4

    申请日:2012-02-20

    Abstract: 本发明涉及一种一价金化合物的制备方法,其特点是以三价金化合物、目标产品中所需的配体等为原料,通过电子转移数为2的选择性还原过程使三价金化合物中的金由三价变为一价、得到一价金化合物产品。本专利具有制备过程温和、反应产物中金价态专一性好、一价金产品的产率高等特点,可应用在一价金化合物的制备中,也可以该一价金化合物作为中间体而进一步制备出其它新的金化合物。

    一种类卤化合物的应用
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103103348A

    公开(公告)日:2013-05-15

    申请号:CN201310042975.6

    申请日:2012-12-31

    Inventor: 李德良 李乐 张闯

    CPC classification number: Y02P10/234

    Abstract: 本发明涉及一种类卤化合物(C2N2S2)应用,该硫氰(C2N2S2)可应用在与金属溶浸及提取和回收相关的矿山和冶金厂、废印刷电路板、废旧家用电器、废五金、废电镀工件、废催化剂及矿渣中的过渡金属提取和回收等领域。

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