公开(公告)号：CN102507704A

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201110316787.9

申请日：2011-10-18

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王巍 ,  代作海 ,  罗元 ,  王晓磊 ,  白晨旭 ,  唐政维 ,  李银国

IPC: G01N27/419 ,  H01L29/872 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明公开了一种基于碳化硅的肖特基势垒二极管氧传感器，包括SiC衬底层、TiO2氧气敏感层、金属铂电极I、n+高掺杂层和钛-铂金属复合层电极；SiC衬底层一侧溅射TiO2氧气敏感层，该氧气敏感层上溅射金属铂电极I，形成肖特基接触；SiC衬底层的另一侧依次设置有高掺杂n+层、钛-铂金属复合叠层，作为肖特基势垒二极管结构中的欧姆接触；本发明利用了碳化硅材料能满足传感器高温工作要求；由于金属铂电极的催化作用，TiO2氧气敏感层具有良好的氧敏特性，利用金属、半导体接触的氧传感器结构，检测氧气浓度的变化，该氧传感器具有很快的响应速度、极高的灵敏度、具有制作成本较低、制备工艺成熟、传感器重量较轻等优点。