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公开(公告)号：CN105975803B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201610605852.2
申请日：2016-07-27
Applicant: 重庆大学
IPC: G06F19/00
Abstract: 本发明公开了一种高精度硅太阳能电池的工程模型及计算方法，包括以下步骤：S1通过基本等效参数模型得到基本I‑V输出函数S2考虑辐照度与温度对等效参数的影响，尤其是对串联等效电阻的影响，从而对基本I‑V输出函数进行修正，并且合理简化修正后的结果；S3最后通过对实验数据拟合得到修正简化后的I‑V输出函数中难以通过理论计算得到的参数，从而得到太阳能电池的工程模型。本发明方法考虑了温度，以及辐照度对太阳能电池等效参数的影响，并且重点考虑了对串联等效电阻的影响，进而进一步修正了太阳能电池输出的工程数学模型。本发明对太阳能电池输出的精确表达式做了合理简化，并保证了精确性。
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公开(公告)号：CN105978486A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610599612.6
申请日：2016-07-27
Applicant: 重庆大学
IPC: H02S50/10
CPC classification number: H02S50/10
Abstract: 本发明公开了一种硅太阳能电池阵列的故障检测方法，具体包括以下步骤：S1采集太阳能电池阵列的温度以及辐照度，得到太阳能电池阵列在该条件下的I‑V输出特性关系；S2根据得到的I‑V输出特性关系式，利用基于I‑V输出特性的实际串联等效电阻计算式，计算出太阳能电池组件的实际串联等效电阻RS1，通过基于环境参数的参考串联等效电阻计算式，计算出太阳能电池组件的参考串联等效电阻RS；S3根据实际串联等效电阻RS1与参考串联等效电阻RS之间的比值得到K；S4根据K值大小判别太阳能电池阵列故障、电池组件老化或被遮挡的严重程度。本发明综合考虑了温度，辐照度，输出电压、电流参数，提高了判别的精确度，并且能定位故障点的位置。
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公开(公告)号：CN105978486B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201610599612.6
申请日：2016-07-27
Applicant: 重庆大学
IPC: H02S50/10
Abstract: 本发明公开了一种硅太阳能电池阵列的故障检测方法，具体包括以下步骤：S1采集太阳能电池阵列的温度以及辐照度，得到太阳能电池阵列在该条件下的I‑V输出特性关系；S2根据得到的I‑V输出特性关系式，利用基于I‑V输出特性的实际串联等效电阻计算式，计算出太阳能电池组件的实际串联等效电阻RS1，通过基于环境参数的参考串联等效电阻计算式，计算出太阳能电池组件的参考串联等效电阻RS；S3根据实际串联等效电阻RS1与参考串联等效电阻RS之间的比值得到K；S4根据K值大小判别太阳能电池阵列故障、电池组件老化或被遮挡的严重程度。本发明综合考虑了温度，辐照度，输出电压、电流参数，提高了判别的精确度，并且能定位故障点的位置。
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公开(公告)号：CN105975803A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610605852.2
申请日：2016-07-27
Applicant: 重庆大学
IPC: G06F19/00
CPC classification number: G06F19/00
Abstract: 本发明公开了一种高精度硅太阳能电池的工程模型及计算方法，包括以下步骤：S1通过基本等效参数模型得到基本I‑V输出函数S2考虑辐照度与温度对等效参数的影响，尤其是对串联等效电阻的影响，从而对基本I‑V输出函数进行修正，并且合理简化修正后的结果；S3最后通过对实验数据拟合得到修正简化后的I‑V输出函数中难以通过理论计算得到的参数，从而得到太阳能电池的工程模型。本发明方法考虑了温度，以及辐照度对太阳能电池等效参数的影响，并且重点考虑了对串联等效电阻的影响，进而进一步修正了太阳能电池输出的工程数学模型。本发明对太阳能电池输出的精确表达式做了合理简化，并保证了精确性。
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