公开(公告)号：CN112679232A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202011109826.3

申请日：2020-10-16

Applicant: 通用电气公司

Inventor： K·L·卢思拉 ,  G·H·柯比 ,  万菊林 ,  L·S·罗森斯维希

IPC: C04B41/89

Abstract: 提供了涂布的部件及其形成方法。所述涂布的部件包括具有表面的陶瓷基材；在所述陶瓷基材的所述表面上的中间层；和在所述中间层上的环境阻挡涂层。所述中间层包括抑制来自含碳物类的游离碳在所述中间层、所述陶瓷基材或两者内累积的碳汇材料。

公开(公告)号：CN105916830A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201480060109.2

申请日：2014-08-19

Applicant: 通用电气公司

Inventor： D·M·利普金 ,  C·A·约翰逊 ,  J·L·马戈利斯 ,  L·S·罗森斯维希 ,  J·万

IPC: C04B41/89 ,  F01D5/28

CPC classification number: C04B41/009 ,  B05D1/02 ,  B05D1/32 ,  B05D3/007 ,  B05D3/06 ,  B05D5/00 ,  C04B41/52 ,  C04B41/89 ,  F01D5/286 ,  F01D5/288 ,  F05D2300/2261 ,  F05D2300/2283 ,  Y10T428/24521 ,  Y10T428/24545 ,  C04B35/565 ,  C04B35/806 ,  C04B41/5096 ,  C04B41/5024 ,  C04B41/0036 ,  C04B41/53

Abstract: 一种形成制品的方法包括：在制品的基底表面的含硅区域上形成含硅层；在含硅层中形成多个沟道和隆起；和形成覆盖含硅区域的表面的至少一个外层。该多个沟道和隆起可通过对含硅层添加含硅材料而形成。该沟道和隆起可通过从含硅层去除材料而形成。沟道和隆起可通过在形成含硅层之前，在基底的表面的含硅区域中形成沟道或沟槽而形成。