公开(公告)号：CN101556975A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200910004396.6

申请日：2009-02-10

Applicant: 通用电气公司

Inventor： W·E·小伯迪克 ,  J·S·埃尔鲍姆 ,  K·R·纳加卡 ,  S·S·托纳皮

IPC: H01L31/05 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022458 ,  H01L31/0516 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明涉及晶片级互连和方法，具体而言，半导体组件包括联接到不同信号类型(40，42)的各个接触区域上的背面接触垫(15)，和通过信号类型隔离背面接触区域的绝缘体(18)。该半导体组件还包括涂覆金属(36)，该涂覆金属位于绝缘体的至少一部分之上并互相连接背面接触垫。

公开(公告)号：CN102183523B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201010623179.8

申请日：2010-12-23

Applicant: 通用电气公司

Inventor： F·R·阿迈德 ,  O·苏利马 ,  K·R·纳加卡 ,  赵日安 ,  J·W·布雷

IPC: G01N21/88

CPC classification number: G01R31/308 ,  G01N21/66 ,  G01N21/9505 ,  H02S50/10

Abstract: 一种方法包括：经由电流源(14)将电流提供给至少一个光伏装置(12)，并且经由辐射探测器(16)来探测来自至少一个光伏装置(12)的发射光子辐射。该方法还包括将对应于所探测的发射光子辐射的信号从辐射探测器(16)输出到处理器装置(18)，以及经由处理器装置(18)来处理与所探测的发射光子辐射对应的信号，以便生成一个或多个二维光子图像。该方法还包括分析一个或多个二维光子图像，以便确定至少一个光伏装置(12)中的至少一个缺陷。

公开(公告)号：CN102183523A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201010623179.8

申请日：2010-12-23

Applicant: 通用电气公司

Inventor： F·R·阿迈德 ,  O·苏利马 ,  K·R·纳加卡 ,  赵日安 ,  J·W·布雷

IPC: G01N21/88

CPC classification number: G01R31/308 ,  G01N21/66 ,  G01N21/9505 ,  H02S50/10

Abstract: 一种方法包括：经由电流源(14)将电流提供给至少一个光伏装置(12)，并且经由辐射探测器(16)来探测来自至少一个光伏装置(12)的发射光子辐射。该方法还包括将对应于所探测的发射光子辐射的信号从辐射探测器(16)输出到处理器装置(18)，以及经由处理器装置(18)来处理与所探测的发射光子辐射对应的信号，以便生成一个或多个二维光子图像。该方法还包括分析一个或多个二维光子图像，以便确定至少一个光伏装置(12)中的至少一个缺陷。