公开(公告)号：CN116535218B

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202310499409.1

申请日：2023-05-06

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 彭康 ,  左林杰 ,  王红洁 ,  苏磊 ,  庄磊 ,  牛敏 ,  卢德

IPC: C04B35/577 ,  C04B35/64 ,  C04B35/66

Abstract: 本发明公开了一种高纯致密碳化硅陶瓷材料及其固相烧结方法和应用，属于碳化硅陶瓷材料制备技术领域。其制备过程如下：1)以碳化硅粉、烧结助剂、液态有机树脂为原料，将原料混制、干燥并压制成型，制得生坯，将生坯保温、排胶处理；2)将排胶后的生坯进行烧结，烧结过程中利用烧结温度与气压协同耦合，生坯先后经过真空烧结、常压烧结与加压烧结三级烧结处理，制得高纯致密碳化硅陶瓷材料。本发明制备的碳化硅陶瓷，致密度高，气孔率低，具有良好的力学性能，并且整体制备工艺操作简单，为工业生产制备大尺寸、高温性能优异高纯致密碳化硅陶瓷材料提供了新方法。

公开(公告)号：CN116535218A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310499409.1

申请日：2023-05-06

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 彭康 ,  左林杰 ,  王红洁 ,  苏磊 ,  庄磊 ,  牛敏 ,  卢德

IPC: C04B35/577 ,  C04B35/64 ,  C04B35/66

Abstract: 本发明公开了一种高纯致密碳化硅陶瓷材料及其固相烧结方法和应用，属于碳化硅陶瓷材料制备技术领域。其制备过程如下：1)以碳化硅粉、烧结助剂、液态有机树脂为原料，将原料混制、干燥并压制成型，制得生坯，将生坯保温、排胶处理；2)将排胶后的生坯进行烧结，烧结过程中利用烧结温度与气压协同耦合，生坯先后经过真空烧结、常压烧结与加压烧结三级烧结处理，制得高纯致密碳化硅陶瓷材料。本发明制备的碳化硅陶瓷，致密度高，气孔率低，具有良好的力学性能，并且整体制备工艺操作简单，为工业生产制备大尺寸、高温性能优异高纯致密碳化硅陶瓷材料提供了新方法。