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公开(公告)号：CN119758433A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411821327.5
申请日：2024-12-11
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于CLYC闪烁体与SiPM探测器的前端电路，包括依次连接的第一级的由相连接的CLYC闪烁体与SiPM探测器组成的探测电路、第二级的极零相消电路、第三级的同相比例放大电路、第四级的同相比例放大电路和第五级的Sallen‑Key型低通滤波放大电路；信号通过第一级的探测电路形成倍增后的电信号，第二级的极零相消电路恢复脉冲信号的快速上升沿，第三级的同相比例放大电路和第四级的同相比例放大电路实现信号的比例放大，以保证信号能够远距离传输，第五级的Sallen‑Key型低通滤波放大电路对信号进行滤波以降低高频噪声的影响，输出电压信号。本发明电路有效处理了探测器标准输出波形，保证波形可以长距离传输。
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公开(公告)号：CN118484985A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410610432.8
申请日：2024-05-16
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于Geant4软件的散裂中子源准直与伽马屏蔽设计方法，步骤如下：1、利用Geant4软件进行模拟仿真，根据散裂中子源的中子伽马能谱模拟获得屏蔽伽马射线的屏蔽准直装置最佳材料为铅和聚乙烯；2、使用铅与聚乙烯材料对中子伽马束流进行屏蔽准直，并设计屏蔽准直装置的形状；3、根据散裂中子源的中子光斑大小与环境反射中子对屏蔽准直装置结构进行优化。本发明设计方法基于Geant4实现了对伽马射线的有效屏蔽，并对散裂中子进行准直，为后续开展散裂中子探测实验提供支撑。
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公开(公告)号：CN117544132A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311626159.X
申请日：2023-11-30
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于积分电流法的4H‑碳化硅PIN双探测器前端电路及放大方法，所述前端电路包括第一级积分型前置放大电路、第二级MFB型低通滤波放大电路以及第三级Sallen‑Key型低通滤波放大电路；4H‑碳化硅PIN双探测器将中子信号转换为电流信号，传输至积分型前置放大电路的Iin端子，积分电流型前端电路将电流积分信号转化成电压信号，再进行极性转变及电压放大，在Vout端子输出电压信号。该电压信号随入射到探测器的快中子注量率增大而增大，能够在中、高中子注量率情况下，减少测量系统由于信号堆积导致测量失效的情况，输出线性不失真的信号，满足在中子的中高注量率场景下的探测需求。
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公开(公告)号：CN116996032A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310985979.1
申请日：2023-08-07
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种对4H‑碳化硅探测器输出信号放大的电流脉冲型前端电路及放大方法，该电流脉冲型前端电路包括第一级跨阻抗放大电路、第二级低通滤波器、第三级同相比例放大电路以及第四级反相比例放大电路，4H‑碳化硅探测器将中子信号转换为电流脉冲信号，传输至电流脉冲型前端电路的Iin端子，电流脉冲型前端电路将高带宽电流脉冲信号做电流‑电压变换及电压放大，在Vout端子输出，实现信号的极性反转及比例放大，使信号能够远距离传输且避免脉冲信号脉宽过大造成的堆积，且在较大范围的输入电流脉冲信号情况下可以线性不失真的放大信号，满足在中子的中高注量率场景下的探测需求。
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公开(公告)号：CN115879309A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211616099.9
申请日：2022-12-15
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种空间均匀分布的各向同性辐射场实现方法，具体步骤如下：1.确定要实现均匀分布的各向同性辐射场的空间球半径；2.通过均匀分布随机变量对球面极坐标参数进行抽样，保证入射源的方向服从空间均匀分布；3.通过均匀分布随机变量对球最大截面圆极坐标参数进行抽样，保证抽样点在截面圆上均匀分布；4.通过入射源的方向和截面圆的方向构造坐标变换矩阵；5.通过坐标变换矩阵和截面圆的位置分布确定入射源位置分布。本发明方法基于蒙特卡罗法，通过构建入射源的方向分布和位置分布，从而实现空间球内均匀分布的各向同性辐射场。
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