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公开(公告)号：CN115084383A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210688323.9
申请日：2022-06-16
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种弱光探测结构及其制备方法。所述弱光探测结构包括绝缘层、形成在所述绝缘层上的浮栅层以及形成在所述浮栅层上的有源层；所述绝缘层的与所述浮栅层接触的表面形成有作为电子陷阱态的材料层，所述浮栅层由基体层以及分散在所述基体层内的硫化铅量子点组成，所述基体层的材料选择为绝缘的聚合物材料，且能够使得所述硫化铅量子点均匀分散在其内。本发明的方案无需有源层和电荷存储层的能级匹配，而且器件迁移率和稳定性不受影响，同时，有源层的材料可以在平整的浮栅层表面生长，形成高度有序的晶态薄膜，有利于提高器件迁移率，并且降低亚阈值摆幅，从而增加光电流，提升器件的弱光探测能力。
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