-
公开(公告)号：CN107121715B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201710235356.7
申请日：2017-04-12
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于耦合米氏共振的大面积宽入射角超表面完全吸收体及其制备方法，所述吸收体包括SiO2衬底，所述SiO2衬底的上表面具有多孔阵列结构，Si层，形成在所述多孔阵列结构上，Cr层，形成在所述Si层之上，所述吸收体包括三层系统，底层是由SiO2衬底包围的Si柱的阵列，中间层是由Si层包围的Cr柱的阵列，以及顶层是多孔阵列的Cr层。本发明所提出的耦合米氏共振的超表面完美吸收器具有良好的宽带宽角度吸收性能，器件结构简单、超薄且易于集成制作和大面积制作，在太阳能电池和薄膜工业中具有许多重大的潜在应用。
-
公开(公告)号：CN105223638B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201510743908.6
申请日：2015-11-05
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明公开了一种全介质纳米块阵列偏振元件，包括矩形基底和复数个等间距平行设置在矩形基底上的偏振单元列，每个偏振单元列均包括复数个等间距设置的偏振单元，偏振单元的长度Sx范围为607～647nm，宽度Sy范围为450～550nm，相邻所述偏振单元中心的间距Lx为640～680nm，相邻所述偏振单元列中心的间距Ly为950～1050nm，所述偏振单元的高度h范围为110～230nm，相邻偏振单元中心的间距Lx大于偏振单元的长度Sx。本发明相比于现有光学偏振元件具有厚度薄、体积小、重量轻的优点，同时加工难度低，符合未来光学元件的发展趋势。
-
公开(公告)号：CN105223638A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510743908.6
申请日：2015-11-05
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
CPC classification number: G02B5/3025
Abstract: 本发明公开了一种全介质纳米块阵列偏振元件，包括矩形基底和复数个等间距平行设置在矩形基底上的偏振单元列，每个偏振单元列均包括复数个等间距设置的偏振单元，偏振单元的长度Sx范围为607～647nm，宽度Sy范围为450～550nm，相邻所述偏振单元中心的间距Lx为640～680nm，相邻所述偏振单元列中心的间距Ly为950～1050nm，所述偏振单元的高度h范围为110～230nm，相邻偏振单元中心的间距Lx大于偏振单元的长度Sx。本发明相比于现有光学偏振元件具有厚度薄、体积小、重量轻的优点，同时加工难度低，符合未来光学元件的发展趋势。
-
公开(公告)号：CN110333566A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910627880.8
申请日：2019-07-12
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/20
Abstract: 本发明公开了一种全介质滤波器，所述全介质滤波器包括衬底、第一介质层和第二介质层，所述第一介质层具有线栅结构，所述第一介质层设置在所述衬底上；所述第二介质层设置在所述第一介质层上；所述第二介质层的折射率高于所述第一介质层的折射率。本发明实施例的滤波器利用高、低两种折射率不同的第一介质层和第二介质层，实现在TM光波入射下大大减小透过率，以保证只有正入射的光能透过角度滤波器。实验结果展示了高效的滤波性能。本发明实施例的滤波器在定向照明和图像整形方面有着重要的应用前景。
-
公开(公告)号：CN108037552A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201711282000.5
申请日：2017-12-07
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种超薄入射角无关偏振方向无关的超宽带完美吸收器，包括：至少一个完美吸收器单元，所述完美吸收器单元包括：衬底；环形的绝缘层，所述绝缘层设于所述衬底上；第一反射层，所述第一反射层设于所述绝缘层上，所述绝缘层、所述第一反射层与所述衬底围合成一上端开口的空腔；高折射率材料层，所述高折射率材料层为可见光波段高折射率材料，其设于所述衬底上且位于所述空腔内，所述高折射率材料层为中心对称结构；以及第二反射层，所述第二反射层设于所述高折射率材料层上。根据本发明实施例的超薄入射角无关偏振方向无关的超宽带完美吸收器，具有厚度薄以及在整个可见光范围内具有高吸收率等优点。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107976733A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201711200014.8
申请日：2017-11-24
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/20
Abstract: 本发明提出了具有由半导体兼容的硅/二氧化硅对组成的一维（1D）光子晶体（PC）的全介质偏振无关的角度滤波器。利用p和s偏振分量近似对称的能带分布和法布里-珀罗（F-P）共振，实现了用于正入射的高效的偏振无关角度滤波。在大面积（5cm×5cm）范围利用真空磁控溅射读博设计和实验制备了角度滤波器。实验测量表明，波长为1550 nm处的角度滤波样品的偏振无关透射光束的发散角仅为2.2°，正入射时的透射率高达0.8。所提出的角度滤波器提出了以简单的结构和易于制造的方式来设计和实现半导体兼容的全电介质和偏振无关角滤波器的有效方法，其在照明、光束操纵、光耦合和光通信方面有着广泛的潜在应用。
-
公开(公告)号：CN107121715A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710235356.7
申请日：2017-04-12
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于耦合米氏共振的大面积宽入射角超表面完全吸收体及其制备方法，所述吸收体包括SiO2衬底，所述SiO2衬底的上表面具有多孔阵列结构，Si层，形成在所述多孔阵列结构上，Cr层，形成在所述Si层之上，所述吸收体包括三层系统，底层是由SiO2衬底包围的Si柱的阵列，中间层是由Si层包围的Cr柱的阵列，以及顶层是多孔阵列的Cr层。本发明所提出的耦合米氏共振的超表面完美吸收器具有良好的宽带宽角度吸收性能，器件结构简单、超薄且易于集成制作和大面积制作，在太阳能电池和薄膜工业中具有许多重大的潜在应用。
-
公开(公告)号：CN107976733B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201711200014.8
申请日：2017-11-24
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/20
Abstract: 本发明提出了具有由半导体兼容的硅/二氧化硅对组成的一维（1D）光子晶体（PC）的全介质偏振无关的角度滤波器。利用p和s偏振分量近似对称的能带分布和法布里‑珀罗（F‑P）共振，实现了用于正入射的高效的偏振无关角度滤波。在大面积（5cm×5cm）范围利用真空磁控溅射读博设计和实验制备了角度滤波器。实验测量表明，波长为1550 nm处的角度滤波样品的偏振无关透射光束的发散角仅为2.2°，正入射时的透射率高达0.8。所提出的角度滤波器提出了以简单的结构和易于制造的方式来设计和实现半导体兼容的全电介质和偏振无关角滤波器的有效方法，其在照明、光束操纵、光耦合和光通信方面有着广泛的潜在应用。
-
公开(公告)号：CN108037552B
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201711282000.5
申请日：2017-12-07
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种超薄入射角无关偏振方向无关的超宽带完美吸收器，包括：至少一个完美吸收器单元，所述完美吸收器单元包括：衬底；环形的绝缘层，所述绝缘层设于所述衬底上；第一反射层，所述第一反射层设于所述绝缘层上，所述绝缘层、所述第一反射层与所述衬底围合成一上端开口的空腔；高折射率材料层，所述高折射率材料层为可见光波段高折射率材料，其设于所述衬底上且位于所述空腔内，所述高折射率材料层为中心对称结构；以及第二反射层，所述第二反射层设于所述高折射率材料层上。根据本发明实施例的超薄入射角无关偏振方向无关的超宽带完美吸收器，具有厚度薄以及在整个可见光范围内具有高吸收率等优点。
-
公开(公告)号：CN105242341A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510744326.X
申请日：2015-11-05
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
CPC classification number: G02B5/30 , G02B5/3083
Abstract: 本发明公开了一种基于表面等离子激元的超表面四分之一波片，所述波片包括矩形基底和设置在矩形基底上的银膜，所述银膜由若干周期性的孔径单元矩阵排列构成，每个所述孔径单元均设有两个上下中心对称的横向孔径和两个左右中心对称的纵向孔径，所述横向孔径的内边的延长线不与纵向孔径有交点，所述纵向孔径的内边的延长线不与横向孔径有交点。本发明基于表面等离子激元的超表面四分之一波片具有结构简单、易于集成、厚度薄、加工难度小等优点，在光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.015 seconds)
