-
公开(公告)号:CN101400773B
公开(公告)日:2013-04-24
申请号:CN200780008708.X
申请日:2007-03-26
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D3/3765 , C11D3/378 , C23G1/20 , C23G1/22 , G03F1/82
Abstract: 本发明涉及一种洗涤剂组合物,其用于洗涤至少表面由金属质或玻璃质基材构成的记录介质用基板、光掩模用基板或平板显示器用基板,所述洗涤剂组合物含有至少满足以下的(i)~(iii)的共聚化合物(I),(i)来自丙烯酸的结构单元A1为全部结构单元中的20mol%以上,(ii)来自丙烯酸的结构单元A1和来自2—丙烯酰胺—2—甲基丙磺酸的结构单元A2的总含量为全部结构单元中的90mol%以上,(iii)全部结构单元中的结构单元A1与结构单元A2的含量比[结构单元A1(mol%)/结构单元A2(mol%)]为91/9~95/5。
-
公开(公告)号:CN102753669B
公开(公告)日:2014-05-28
申请号:CN201080063910.4
申请日:2010-12-27
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: C11D1/83 , C03C23/0075 , C11D1/04 , C11D1/06 , C11D1/22 , C11D1/72 , C11D3/044 , C11D3/2079 , C11D3/33 , C11D3/361 , C11D11/0035 , G11B5/8404
Abstract: 本发明的硬质表面用碱性洗涤剂组合物含有碱剂(成分A)、非离子性表面活性剂(成分B)、螯合剂(成分C)、水(成分D)、选自通式(1)及通式(2)中的至少1种羧酸化合物(成分E)、选自以通式(3)表示的化合物及其盐中的至少1种阴离子性表面活性剂(成分F),含量比[成分E(重量%)/成分B(重量%)]为1/1.5~15/1,含量比[成分F(重量%)/成分B(重量%)]为10/1~1/5,25℃下的pH为12以上。
-
公开(公告)号:CN101802911B
公开(公告)日:2013-01-02
申请号:CN200880106838.1
申请日:2008-09-05
Applicant: 花王株式会社
Abstract: 本发明涉及一种用于具有含Ni-P层的垂直磁记录方式硬盘用基板的水系洗涤剂组合物,其含有选自(式1)~(式6)所示的表面活性剂中的1种以上的表面活性剂,且在25℃下的pH为5以下。其中,在所述(式1)中,R1是碳原子数为10~16的烷基,X是卤原子。(式1)。
-
公开(公告)号:CN115190920A
公开(公告)日:2022-10-14
申请号:CN202180017760.1
申请日:2021-06-11
Applicant: 花王株式会社
Abstract: 本发明为钢板用清洗剂、使用了该钢板用清洗剂的钢板的清洗方法及钢板的制造方法,上述钢板用清洗剂含有(A)选自膦酸类及磷酸类中的1种以上的酸或其盐、(B)非离子表面活性剂和(C)水,上述(B)非离子表面活性剂的基于戴维斯法的HLB值为5以上且15以下,上述钢板用清洗剂的pH为1以上且8以下。根据本发明,可以提供不仅对油污的清洗性良好、而且对铁粉等固体污垢的清洗性良好的钢板用清洗剂以及使用了该钢板用清洗剂的钢板的清洗方法及钢板的制造方法。
-
-
公开(公告)号:CN102753669A
公开(公告)日:2012-10-24
申请号:CN201080063910.4
申请日:2010-12-27
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: C11D1/83 , C03C23/0075 , C11D1/04 , C11D1/06 , C11D1/22 , C11D1/72 , C11D3/044 , C11D3/2079 , C11D3/33 , C11D3/361 , C11D11/0035 , G11B5/8404
Abstract: 本发明的硬质表面用碱性洗涤剂组合物含有碱剂(成分A)、非离子性表面活性剂(成分B)、螯合剂(成分C)、水(成分D)、选自通式(1)及通式(2)中的至少1种羧酸化合物(成分E)、选自以通式(3)表示的化合物及其盐中的至少1种阴离子性表面活性剂(成分F),含量比[成分E(重量%)/成分B(重量%)]为1/1.5~15/1,含量比[成分F(重量%)/成分B(重量%)]为10/1~1/5,25℃下的pH为12以上。
-
公开(公告)号:CN100549840C
公开(公告)日:2009-10-14
申请号:CN200510125383.6
申请日:2005-11-16
Applicant: 花王株式会社
Inventor: 田村敦司
Abstract: 本发明提供一种用于半导体基板或半导体元件的洗涤的剥离剂组合物,其中:(1)该剥离剂组合物含有65重量%或以上的水,(2)该剥离剂组合物含有:(I)选自糖类、氨基酸化合物、有机酸盐以及无机酸盐之中的至少1种,以及在剥离剂组合物中的含量为0.01~1重量%的氟硅酸铵;或者(II)有机膦酸以及含氟化合物。本发明的剥离剂组合物可以适用于高品质的LCD、存储器、CPU等电子部件的制造。
-
公开(公告)号:CN101400773A
公开(公告)日:2009-04-01
申请号:CN200780008708.X
申请日:2007-03-26
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D3/3765 , C11D3/378 , C23G1/20 , C23G1/22 , G03F1/82
Abstract: 本发明涉及一种洗涤剂组合物,其用于洗涤至少表面由金属质或玻璃质基材构成的记录介质用基板、光掩模用基板或平板显示器用基板,所述洗涤剂组合物含有至少满足以下的(i)~(iii)的共聚化合物(I),(i)来自丙烯酸的结构单元A1为全部结构单元中的20mol%以上,(ii)来自丙烯酸的结构单元A1和来自2-丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸的结构单元A2的总含量为全部结构单元中的90mol%以上,(iii)全部结构单元中的结构单元A1与结构单元A2的含量比[结构单元A1(mol%)/结构单元A2(mol%)]为91/9~95/5。
-
公开(公告)号:CN100463117C
公开(公告)日:2009-02-18
申请号:CN200410103689.7
申请日:2004-12-24
Applicant: 花王株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/027 , H01L21/321 , C11D7/34 , G03F7/26
CPC classification number: G03F7/423 , C11D3/042 , C11D3/2082 , C11D3/361 , C11D7/08 , C11D7/265 , C11D7/36 , C11D11/0047 , H01L21/02071
Abstract: 本发明提供一种用于清洗具有铝布线的半导体元件的含硫清洗剂组合物,其可以在保护膜形成试验中,在铝膜的表面上形成含有硫原子的保护膜。另外,本发明提供一种在铝布线的表面上具有含有硫原子的保护膜的半导体元件,其在自该保护膜的表面沿其厚度的方向至少5nm以内的区域中含有硫原子。而且,本发明还提供一种半导体元件的制造方法,其具有使半导体元件的铝布线同该含硫清洗剂组合物相接触,从而在该铝布线的表面上形成含硫保护膜的工序。本发明的半导体元件适用于在LCD、存储器、CPU等电子部件的制造中。其中,特别适合制造细微化发展的高集成半导体。
-
公开(公告)号:CN1786834A
公开(公告)日:2006-06-14
申请号:CN200510125383.6
申请日:2005-11-16
Applicant: 花王株式会社
Inventor: 田村敦司
Abstract: 本发明提供一种用于半导体基板或半导体元件的洗涤的剥离剂组合物,其中:(1)该剥离剂组合物含有65重量%或以上的水,(2)该剥离剂组合物含有:(Ⅰ)选自糖类、氨基酸化合物、有机酸盐以及无机酸盐之中的至少1种,以及在剥离剂组合物中的含量为0.01~1重量%的氟硅酸铵;或者(Ⅱ)有机膦酸以及含氟化合物。本发明的剥离剂组合物可以适用于高品质的LCD、存储器、CPU等电子部件的制造。
-
-
-
-
-
-
-
-
-