公开(公告)号：CN102983079A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201110261301.6

申请日：2011-09-06

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 廖晋毅 ,  许嘉麟 ,  李名言 ,  吴心蕙 ,  谢詠伦 ,  陈健豪 ,  李柏轩

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明公开了一种半导体工艺，包含有下述步骤。首先，提供一基底。接着，形成至少一鳍状结构于基底上。接续，形成一氧化层于鳍状结构以外的基底上。之后，形成一栅极覆盖部分氧化层及部分鳍状结构。而后，进行一蚀刻工艺，蚀刻栅极侧边的部分鳍状结构，而于鳍状结构中形成至少一凹槽。然后，进行一外延工艺，以于凹槽中形成一外延层，其中外延层具有一六角形的剖面结构。

公开(公告)号：CN102983079B

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201110261301.6

申请日：2011-09-06

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 廖晋毅 ,  许嘉麟 ,  李名言 ,  吴心蕙 ,  谢詠伦 ,  陈健豪 ,  李柏轩

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明公开了一种半导体工艺，包含有下述步骤。首先，提供一基底。接着，形成至少一鳍状结构于基底上。接续，形成一氧化层于鳍状结构以外的基底上。之后，形成一栅极覆盖部分氧化层及部分鳍状结构。而后，进行一蚀刻工艺，蚀刻栅极侧边的部分鳍状结构，而于鳍状结构中形成至少一凹槽。然后，进行一外延工艺，以于凹槽中形成一外延层，其中外延层具有一六角形的剖面结构。