公开(公告)号：CN101006592B

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200580027900.4

申请日：2005-06-24

Applicant: 索尼株式会社 ,  索尼德国有限责任公司

Inventor： 松居惠理子 ,  松泽伸行 ,  安田章夫 ,  奥利弗·哈奈克

IPC: H01L51/00 ,  H01L29/06

CPC classification number: G11C13/0014 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  G11C2213/14 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0583 ,  H01L51/0595

Abstract: 一种能够在电场作用下展示其功能的功能分子元件，包括由具有共轭体系和展示导电性的线性或者膜状基轴分子(2)和共价地键合其上的4-戊基-4’-氰基联苯的悬挂分子(3)构成的化合物，所述4-戊基-4’-氰基联苯的悬挂分子(3)具有正的介电常数各向异性或者在分子的长轴方向上具有偶极矩，从而当施加了电场时，所述悬挂分子(3)呈现取向改变，由此引起构造改变，导致导电基轴分子(2)的导电性的切换。

公开(公告)号：CN1938875B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200580009979.8

申请日：2005-02-10

Applicant: 索尼株式会社 ,  索尼德国有限责任公司

Inventor： 松居惠理子 ,  渡辺春夫 ,  奥利弗·哈纳克 ,  松泽伸行 ,  安田章夫 ,  水谷义 ,  山内贵惠 ,  北川进

IPC: H01L51/00 ,  B82B1/00 ,  G02F1/137 ,  H01L27/10 ,  H01L29/06 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L51/0595 ,  B82Y10/00 ,  G02F1/061 ,  G02F1/167 ,  G11C11/5664 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/14 ,  G11C2213/77 ,  H01L51/0076 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/0554 ,  H01L51/0591 ,  H01L51/428 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明涉及一种功能性分子元件，其中形成柱状排列结构且形状近似于圆盘的有机金属络合物分子(1)的构型通过施加电场而改变，由此来表达功能，更具体地说，该有机金属络合物分子的结构因为施加电场而改变，它诱导该分子介电常数各向异性的变化。因此，上述功能性分子元件能切换被测电极之间的导电率，具有三个或更多的稳定值，并因此能利用它的多值存储性能来形成实际应用元件。

公开(公告)号：CN100485532C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200610148672.2

申请日：2006-09-06

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 松泽伸行 ,  渡辺阳子 ,  布恩塔里卡·桑纳卡特 ,  小泽谦

IPC: G03F7/20 ,  G02B1/00 ,  H01L21/027

Abstract: 在抗蚀剂层和形成在硅衬底表面上的氧化硅层之间提供抗反射膜，用于在具有190nm到195nm波长和0.93到1.2数值孔径NA的曝光系统中曝光抗蚀剂层。假设组成抗反射膜的上层和下层的复折射率分别是N1(＝n1-k1i)和N2(＝n2-k2i)，并且两层的厚度为d1和d2，则当选择[n10、k10、d10、n20、k20、d20]的值的预定组合时，n1、k1、d1、n2、k2、和d2满足关系式{(n1-n10)/(n1m-n10)}2+{(k1-k10)/(k1m-k10)}2+{(d1-d10)/(d1m-d10)}2+{(n2-n20)/(n2m-n20)}2+{(k2-k20)/(k2m-k20)}2+{(d2-d20)/(d2m-d20)}2≤1。

公开(公告)号：CN1828419A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610073937.7

申请日：2006-02-28

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 松泽伸行 ,  渡辺阳子 ,  布恩塔里卡·桑纳卡特 ,  小泽谦 ,  山口优子

IPC: G03F7/09 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/091 ,  G03F7/70341

Abstract: 一种抗反射膜，其中，在浸液式平版印刷技术中，即使在曝光光线倾斜进入的地方，也能够在抗蚀剂层和硅衬底之间的界面处获得充分降低的反射率。两层抗反射膜用在通过波长为190－195nm并且数值孔径为1.0或更小的曝光系统的曝光中，并且形成于抗蚀剂层与硅衬底之间。抗反射膜的上层和下层的复折射率N1和N2以及膜厚度分别是由n1－k1i，n2－k2i和d1，d2表示的，并且选择值[n10，k10，d10，n20，k20，d20]的预定组合，n1，k1，d1，n2，k2和d2满足{(n1－n10)/(n1m－n10)}2+{(k1－k10)/(k1m－k10)}2+{(d1－d10)/(d1m－d10)}2+{(n2－n20)/(n2m－n20)}2+{(k2－k20)/(k2m－k20)}2+{(d2－d20)/(d2m－d20)}2≤1。

公开(公告)号：CN1938875A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200580009979.8

申请日：2005-02-10

Applicant: 索尼株式会社 ,  索尼德国有限责任公司

Inventor： 松居惠理子 ,  渡辺春夫 ,  奥利弗·哈纳克 ,  松泽伸行 ,  安田章夫 ,  水谷义 ,  山内贵惠 ,  北川进

IPC: H01L51/00 ,  B82B1/00 ,  G02F1/137 ,  H01L27/10 ,  H01L29/06 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L51/0595 ,  B82Y10/00 ,  G02F1/061 ,  G02F1/167 ,  G11C11/5664 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/14 ,  G11C2213/77 ,  H01L51/0076 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/0554 ,  H01L51/0591 ,  H01L51/428 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明涉及一种功能性分子元件，其中形成柱状排列结构且形状近似于圆盘的有机金属络合物分子(1)的构型通过施加电场而改变，由此来表达功能，更具体地说，该有机金属络合物分子的结构因为施加电场而改变，它诱导该分子介电常数各向异性的变化。因此，上述功能性分子元件能切换被测电极之间的导电率，具有三个或更多的稳定值，并因此能利用它的多值存储性能来形成实际应用元件。

公开(公告)号：CN1236942A

公开(公告)日：1999-12-01

申请号：CN99106209.4

申请日：1999-03-19

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 小林健 ,  岸井典之 ,  龟井隆广 ,  栗原研一 ,  岩本浩 ,  松泽伸行 ,  川名隆宏 ,  森敬郎 ,  山田有加利

IPC: G11B5/71

CPC classification number: G11B5/725

Abstract: 一种磁性记录介质,在各种使用条件下能保持优良的润滑性能,可长时间保持润滑效果并具有优良移动性能、耐磨性和耐用性。按照本发明的磁性记录介质包含:非磁性支撑元件;以及在非磁性支撑元件上形成的薄膜层,薄膜层含有至少磁性层,其中薄膜层包含由通式(1)表示的单酯一元羧酸润滑剂,其中R1是脂族烷基团或脂族链烯基团,R2是氟烷基基团、氟链烯基团、脂族烷基团或脂族链烯基团并且n是0或正整数。

公开(公告)号：CN1973385B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200580020981.5

申请日：2005-06-23

Applicant: 索尼株式会社 ,  索尼德国有限责任公司

Inventor： 松居惠理子 ,  松泽伸行 ,  安田章夫 ,  奥利弗·哈纳克

IPC: H01L51/00 ,  B82B1/00 ,  H01L29/06

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/283 ,  H01L51/005 ,  H01L51/0067 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/0583 ,  H01L51/0595 ,  Y10S977/731 ,  Y10S977/791 ,  Y10S977/94 ,  Y10S977/943

Abstract: 提供一种功能性分子元件，其在电场作用下能够发挥它的功能，包括：线或膜状基轴分子(2)，具有共轭体系并且显示出电导率；以及以悬垂的形式经由能够充当路易斯酸的金属离子(3)安装到其的路易斯碱分子(14)，具有正的介电常数各向异性或具有分子的长轴方向的偶极矩，因此在电场施加下结构改变发生以导致功能的体现。导电的基轴分子(2)以及路易斯碱分子(14)和金属离子(3)一起形成络合物(6)。在电场的施加下路易斯碱分子(14)进行摇摆或往复运动，从而影响基轴分子(2)的导电性开关。因此获得的分子根据电场施加或不施加而显示出相反电特性，因此从单一材料，能实现具有与那些CMOS相同功能的分子器件。

公开(公告)号：CN101006592A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200580027900.4

申请日：2005-06-24

Applicant: 索尼株式会社 ,  索尼德国有限责任公司

Inventor： 松居惠理子 ,  松泽伸行 ,  安田章夫 ,  奥利弗·哈奈克

IPC: H01L51/00 ,  H01L29/06

CPC classification number: G11C13/0014 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  G11C2213/14 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0583 ,  H01L51/0595

Abstract: 一种能够在电场作用下展示其功能的功能分子元件，包括由具有共轭体系和展示导电性的线性或者膜状基轴分子(2)和共价地键合其上的4－戊基－4’－氰基联苯的悬挂分子(3)构成的化合物，所述4－戊基－4’－氰基联苯的悬挂分子(3)具有正的介电常数各向异性或者在分子的长轴方向上具有偶极矩，从而当施加了电场时，所述悬挂分子(3)呈现取向改变，由此引起构造改变，导致导电基轴分子(2)的导电性的切换。

公开(公告)号：CN1973385A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200580020981.5

申请日：2005-06-23

Applicant: 索尼株式会社 ,  索尼德国有限责任公司

Inventor： 松居惠理子 ,  松泽伸行 ,  安田章夫 ,  奥利弗·哈纳克

IPC: H01L51/00 ,  B82B1/00 ,  H01L29/06

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/283 ,  H01L51/005 ,  H01L51/0067 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/0583 ,  H01L51/0595 ,  Y10S977/731 ,  Y10S977/791 ,  Y10S977/94 ,  Y10S977/943

Abstract: 提供一种功能性分子元件，其在电场作用下能够发挥它的功能，包括：线或膜状基轴分子(2)，具有共轭体系并且显示出电导率；以及以悬垂的形式经由能够充当路易斯酸的金属离子(3)安装到其的路易斯碱分子(14)，具有正的介电常数各向异性或具有分子的长轴方向的偶极矩，因此在电场施加下结构改变发生以导致功能的体现。导电的基轴分子(2)以及路易斯碱分子(14)和金属离子(3)一起形成络合物(6)。在电场的施加下路易斯碱分子(14)进行摇摆或往复运动，从而影响基轴分子(2)的导电性开关。因此获得的分子根据电场施加或不施加而显示出相反电特性，因此从单一材料，能实现具有与那些CMOS相同功能的分子器件。

公开(公告)号：CN1952788A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200610148672.2

申请日：2006-09-06

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 松泽伸行 ,  渡辺阳子 ,  布恩塔里卡·桑纳卡特 ,  小泽谦

IPC: G03F7/20 ,  G02B1/00 ,  H01L21/027

Abstract: 在抗蚀剂层和形成在硅衬底表面上的氧化硅层之间提供抗反射膜，用于在具有190nm到195nm波长和0.93到1.2数值孔径NA的曝光系统中曝光抗蚀剂层。假设组成抗反射膜的上层和下层的复折射率分别是N1(＝n1－k1i)和N2(＝n2－k2i)，并且两层的厚度为d1和d2，则当选择[n10、k10、d10、n20、k20、d20]的值的预定组合时，n1、k1、d1、n2、k2、和d2满足关系式{(n1－n10)/(n1m－n10)}2+{(k1－k10)/(k1m－k10)}2+{(d1－d10)/(d1m－d10)}2+{(n2－n20)/(n2m－n20)}2+{(k2－k20)/ (k2m－k20)}2+{(d2－d20)/(d2m－d20)}2≤1。