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公开(公告)号：CN101207191B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200710302329.3
申请日：2007-12-18
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01M4/134 , H01M2/0285 , H01M4/0421 , H01M4/1395 , H01M4/70 , H01M10/05 , H01M10/0525 , H01M10/0568 , H01M10/0569
Abstract: 本发明提供了一种具有含负极活性物质的负极活性物质层的负极以及包括该负极的电池。该电池包括正极、负极、以及电解液。负极包括负极活性物质层，该负极活性物质层包含具有硅(Si)作为元素的负极活性物质，以及涂布层，该涂布层涂布负极活性物质层，并包含3d过渡金属元素(选自由铁(Fe)、钴(Co)、以及镍(Ni)组成的组中的至少一种)的氧化物。
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公开(公告)号：CN101557008B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200910134403.4
申请日：2009-04-08
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01M10/052 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/364 , H01M10/0568 , H01M10/0569 , H01M10/0587 , H01M2004/021 , Y02E60/122
Abstract: 本发明提供了一种能够改善循环特性和膨胀特性的负极以及二次电池。该二次电池包括正极、负极以及电解液。该负极在负极集电体上包括具有多个细孔的负极活性物质层。该负极活性物质层包含负极活性物质和负极粘结剂，并且通过水银渗透技术测量的进入多个细孔中的水银浸入量的变化率分布成在30nm～10000nm的孔径范围内显示出峰。
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公开(公告)号：CN101567462A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200910133677.1
申请日：2009-04-22
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01M4/624 , H01M4/134 , H01M4/621 , H01M4/626 , H01M10/0525 , H01M10/0569 , H01M10/0587 , H01M2300/0037
Abstract: 本发明提供了一种能够改善循环特性的负极以及二次电池。该二次电池包括正极、负极以及电解液。该电解液浸渍到设置在正极与负极之间的隔膜中。该负极在负极集电体上具有负极结构。该负极结构具有这样的结构，其中具有硅的多个负极活性物质颗粒由形成三维网络结构的多条金属纤维来保持。由于多条金属纤维，在多个负极活性物质颗粒之间可以获得充足的导电通路。因此，与其中活性物质层设置在由金属箔等制成的集电体上的一般负极相比，可以改善集电性。
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公开(公告)号：CN101453034A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810184340.9
申请日：2005-11-25
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 提供一种能够改善循环特性的电池。负极活性材料层通过气相法形成，且包括Si作为元素。在负极活性材料层中，包括通过在厚度方向上生长形成的多个初级粒子，且多个初级粒子聚集形成多个二次粒子。每个二次粒子通过由充电和放电形成的槽分开，且一些初级粒子为由槽分裂的分裂粒子。在5个或更多相邻二次粒子中的每个二次粒子的分裂粒子的平均数为10或更多。此外，初级粒子和二次粒子向同一侧倾斜。
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公开(公告)号：CN101246954A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810008295.1
申请日：2008-02-15
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 本发明提供了负极、其制造方法以及一种具有高充放电效率的电池。所述电池具有负极，所述负极在负极集电体上具有负极活性材料层，其中所述负极活性材料层包含硅作为负极活性材料，并且在所述负极活性材料层的表面的至少一部分上包括具有Si－O键和Si－N键的化合物膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101331630B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200780000734.8
申请日：2007-05-22
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01M4/38
CPC classification number: H01M4/366 , H01M4/13 , H01M4/131 , H01M4/134 , H01M4/139 , H01M4/38 , H01M4/386 , H01M4/387 , H01M4/483 , H01M4/485 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M10/0567 , H01M10/0569 , H01M10/058 , H01M10/0587 , H01M2004/027 , H01M2300/0028 , H01M2300/0034 , Y02E60/122 , Y02P70/54
Abstract: 本发明提供了一种能够提高充放电效率的负极及其制造方法，以及使用该负极的电池及其制造方法。负极(22)具有一结构，其中负极活性物质层(22B)设置在负极集电体(22A)上。负极活性物质层(22B)包含由含有硅和锡中的至少一种作为元素的负极活性物质构成的负极活性物质颗粒。在每一负极活性物质颗粒的表面与电解液接触的区域中，通过诸如液相沉积法等的液相法，形成包含选自由硅、锗以及锡组成的组中的至少一种的氧化物的含氧化物膜。用含氧化物膜覆盖每一负极活性物质颗粒的表面中与电解液接触的区域，从而可以提高负极(22)的化学稳定性，并且可以提高充放电效率。含氧化物膜的厚度优选在0.1 nm以上～500nm以下的范围内。
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公开(公告)号：CN101587947A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200910143040.0
申请日：2009-05-25
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/386 , H01M4/5825 , H01M4/587 , H01M10/052 , H01M10/0568 , H01M10/0569
Abstract: 本发明提供了具有高循环特性的负极以及包括该负极的二次电池。该二次电池包括正极、负极以及电解质。在该负极中，包含硅、碳以及氧作为负极活性物质的负极活性物质层设置在负极集电体上。在该负极活性物质中，碳的含量为0.2原子％～10原子％，并且氧的含量为0.5原子％～40原子％。包含在该负极活性物质中的0.1％～17.29％比率的硅以Si-C键存在。
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公开(公告)号：CN101557008A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910134403.4
申请日：2009-04-08
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01M10/052 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/364 , H01M10/0568 , H01M10/0569 , H01M10/0587 , H01M2004/021 , Y02E60/122
Abstract: 本发明提供了一种能够改善循环特性和膨胀特性的负极以及二次电池。该二次电池包括正极、负极以及电解液。该负极在负极集电体上包括具有多个细孔的负极活性物质层。该负极活性物质层包含负极活性物质和负极粘结剂，并且通过水银渗透技术测量的进入多个细孔中的水银浸入量的变化率分布成在30nm～10000nm的孔径范围内显示出峰。
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公开(公告)号：CN101355147A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810135637.6
申请日：2008-07-07
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01M10/0525 , H01M4/0404 , H01M4/134 , H01M4/621 , H01M4/624
Abstract: 提供了一种能够改进循环特性的负极以及电池。负极包括：在负极集流体上包括负极活性材料的负极活性材料层，负极活性材料包括硅(Si)并具有多孔，其中在电极反应之后，每单位重量硅的具有从3nm到200nm且包含两端点的直径范围的孔组的测定体积容量为0.3cm3/g或更少，侵入到多孔中的水银量的变化速率分布为在从200nm到15000nm且包含两端点的直径范围内具有峰值，通过水银空隙测定法测量侵入水银量的变化速率。
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公开(公告)号：CN101331630A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200780000734.8
申请日：2007-05-22
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01M4/38
CPC classification number: H01M4/366 , H01M4/13 , H01M4/131 , H01M4/134 , H01M4/139 , H01M4/38 , H01M4/386 , H01M4/387 , H01M4/483 , H01M4/485 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M10/0567 , H01M10/0569 , H01M10/058 , H01M10/0587 , H01M2004/027 , H01M2300/0028 , H01M2300/0034 , Y02E60/122 , Y02P70/54
Abstract: 本发明提供了一种能够提高充放电效率的负极及其制造方法，以及使用该负极的电池及其制造方法。负极(22)具有一结构，其中负极活性物质层(22B)设置在负极集电体(22A)上。负极活性物质层(22B)包含由含有硅和锡中的至少一种作为元素的负极活性物质构成的负极活性物质颗粒。在每一负极活性物质颗粒的表面与电解液接触的区域中，通过诸如液相沉积法等的液相法，形成包含选自由硅、锗以及锡组成的组中的至少一种的氧化物的含氧化物膜。用含氧化物膜覆盖每一负极活性物质颗粒的表面中与电解液接触的区域，从而可以提高负极(22)的化学稳定性，并且可以提高充放电效率。含氧化物膜的厚度优选在0.1nm以上～500nm以下的范围内。
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