公开(公告)号：CN1380726A

公开(公告)日：2002-11-20

申请号：CN02105969.1

申请日：2002-04-12

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 东條剛 ,  内田史朗 ,  喜嶋悟

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/22 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/2218 ,  H01S5/2219 ,  H01S5/32341

Abstract: 在此公开具有大约410纳米的振荡波长的一种凸脊波导型氮基III－V族组合物半导体激光器件,其具有较低的驱动电压、较高的FFP的半宽值θ”、以及较高的弯曲能级(即,在高输出范围上具有良好的光输出注入电流特性)。除了电流限制层之外,该激光器件在结构上类似于现有的半导体激光器件。其具有由SiO2膜(600埃厚度)和通过汽相淀积在SiO2膜上形成的无定型Si膜(300埃厚度)所构成的叠层膜。该叠层膜覆盖凸脊的侧面以及从凸脊的底部向两侧延伸的p－AlGaN包层。该SiO2膜和Si膜具有各自的厚度,确定该厚度使得基本水平横向模式的吸收系数大于初级水平横向模式的吸收系数。这种结构导致较高的弯曲能级,并且抑制高阶水平横向模式,较大的有效折射率差值Δn,以及较大的θ”数值,而不需减小凸脊的宽度。

公开(公告)号：CN1185770C

公开(公告)日：2005-01-19

申请号：CN02105969.1

申请日：2002-04-12

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 东條剛 ,  内田史朗 ,  喜嶋悟

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/22 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/2218 ,  H01S5/2219 ,  H01S5/32341

Abstract: 在此公开具有大约410纳米的振荡波长的一种凸脊波导型氮基III-V族组合物半导体激光器件，其具有较低的驱动电压、较高的FFP的半宽值θ”、以及较高的弯曲能级(即，在高输出范围上具有良好的光输出注入电流特性)。除了电流限制层之外，该激光器件在结构上类似于现有的半导体激光器件。其具有由SiO2膜(600埃厚度)和通过汽相淀积在SiO2膜上形成的无定型Si膜(300埃厚度)所构成的叠层膜。该叠层膜覆盖凸脊的侧面以及从凸脊的底部向两侧延伸的p-AlGaN包层。该SiO2膜和Si膜具有各自的厚度，确定该厚度使得基本水平横向模式的吸收系数大于初级水平横向模式的吸收系数。这种结构导致较高的弯曲能级，并且抑制高阶水平横向模式，较大的有效折射率差值Δn，以及较大的θ”数值，而不需减小凸脊的宽度。