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公开(公告)号：CN100355026C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN00816776.1
申请日：2000-10-06
Abstract: 一种多晶态硅膜的制造方法，包括下列步骤：在玻璃衬底(31)上形成具有第一区(33a)和与该第一区(33a)相接的第二区(33b)的非晶态硅膜(33)的步骤；在上述非晶态硅膜(33)的第一区(33a)上照射波长为390nm以上、640nm以下的激光(35)，形成第一多晶态部分(34a)的步骤；以及在非晶态硅膜(33)的第二区(33b)和与该第二区(33b)相接的上述第一多晶态部分(34a)的一部分区域上照射设置为390nm以上、640nm以下的激光(35)，与第一多晶态部分(34a)相接地形成第二多晶态部分(34b)的步骤。
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公开(公告)号：CN1304548A
公开(公告)日：2001-07-18
申请号：CN00800825.6
申请日：2000-03-08
IPC: H01L21/268 , H01L21/20
Abstract: 把由波长350nm以上至800nm以下的脉冲激光光源(101)发生的聚光激光光束(102)成形为具有宽度(WO)和长度(LO)的线状光束(300),对形成于基板(203)的膜材料(201)照射线状光束(300),对非晶质或者多结晶的硅膜材料进行激光热处理。
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公开(公告)号：CN1179401C
公开(公告)日：2004-12-08
申请号：CN00800825.6
申请日：2000-03-08
IPC: H01L21/268 , H01L21/20
Abstract: 把由波长350nm以上至800nm以下的脉冲激光光源(101)发生的聚光激光光束(102)成形为具有宽度(WO)和长度(L0)的线状光束(300)，对形成于基板(203)的膜材料(201)照射线状光束(300)，对非晶质或者多结晶的硅膜材料进行激光热处理。
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公开(公告)号：CN1156894C
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN00800777.2
申请日：2000-01-14
IPC: H01L21/20 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02683 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/66757
Abstract: 一种以在基板上被形成的硅作为主体的结晶性半导体膜作为有源层来使用的半导体装置的制造方法，包括：在基板上形成成为基底保护膜的氧化硅膜的基底保护膜形成工序；在该基底保护膜上形成以硅作为主体的半导体膜的第一工序；以及对半导体膜照射脉冲激光的第二工序，脉冲激光的波长定为370nm以上至710nm以下。由此，采用低温工艺可容易地且稳定地制造高性能的薄膜半导体装置。
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公开(公告)号：CN1304547A
公开(公告)日：2001-07-18
申请号：CN00800777.2
申请日：2000-01-14
IPC: H01L21/20 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02683 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/66757
Abstract: 一种以在基板上被形成的硅作为主体的结晶性半导体膜作为有源层来使用的半导体装置的制造方法,包括:在基板上形成成为基底保护膜的氧化硅膜的基底保护膜形成工序;在该基底保护膜上形成以硅作为主体的半导体膜的第一工序;以及对半导体膜照射脉冲激光的第二工序,脉冲激光的波长定为370nm以上至710nm以下。由此,采用低温工艺可容易地且稳定地制造高性能的薄膜半导体装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1253841C
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN02800727.1
申请日：2002-03-15
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G2300/0417 , G09G2300/0426 , G09G2300/0819 , G09G2300/0852 , G09G2300/0861 , G09G2300/088 , G09G2320/0233 , G09G2320/029 , G09G2320/043 , G09G2320/045 , G09G2360/148 , H01L27/3269
Abstract: 提供一种自发光型显示装置，可以在有源矩阵方式的自发光型显示装置的象素驱动电路中，抑制控制发光元件的电流的晶体管的阈值电压的波动、和发光元件发出的光阈值电压的波动，由此可以抑制发光元件的亮度波动。其中，检测发光元件发出的光的光检测元件与电阻串联连接，通过其连接点的电位检测晶体管的阈值电压。并设置由光检测元件的信号控制的晶体管，以检测发光元件发出的光阈值电压。
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公开(公告)号：CN1706028A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200480001234.2
申请日：2004-08-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/2026 , H01L29/78675
Abstract: 一种薄膜半导体的制造方法，包括：将可见光脉冲激光(22)在被照射物的表面上聚光成细线形状，并且移动位置以使得在上述细线形状的照射区域(35)的宽度方向上与下一个定时的照射区域(35)重合，同时进行反复照射，在上述被照射物的表面上形成多晶硅膜的多晶化工序；上述多晶化工序在上述可见光脉冲激光(22)对第1照射区域(35)照射的期间或照射之前，对与上述第1照射区域(35)部分重合的第2照射区域(36)照射紫外光脉冲激光(23)。
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公开(公告)号：CN1662945A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN03814148.5
申请日：2003-06-17
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G09G3/3283 , G09G3/3241 , G09G2300/0417 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2310/027 , G09G2310/0297 , G09G2320/0242
Abstract: 配置对具有发光元件的各像素电路(32～34)供给信号电流IL_R(m)、IL_G(m)、IL_B(m)用的信号线(28～30)。信号线驱动电路通过利用根据对应的比特被导通、截止的开关电路(18～20，21～23，24～26)切换从与图像数据(R[2..0]，G[2..0]，B[2..0])的每一个比特对应地设置的比特加权电流源电路(9～11，12～14，15～17)输出的比特加权电流，在信号线上产生与图像数据对应的信号电流。由于各电流源电路具有根据从基准电流线(5～7)供给的比特加权电流的基准电流校正从自身输出的比特加权电流的电平的功能，故即使是构成各电流源电路的TFT的特性离散大的情况，也能抑制每条信号线的信号电流的离散，可抑制发光亮度的不匀。
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公开(公告)号：CN1151404C
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN00137004.9
申请日：2000-12-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02F1/133
CPC classification number: G09G3/2011 , G09G3/3659 , G09G2300/0828 , G09G2300/0852
Abstract: 在彩色液晶显示装置中，采用在象素信号线(4)和液晶单元(2)的电极(2a)之间，并联连接2个电容器(18、19)这两方，或仅仅连接两者中的任何一方，或全部不连接的办法，就可以把液晶单元(2)的电极(2a)的电位(V2)切换成4个等级。因此，可以进行4个等级的灰度等级显示而无须使用数-模转换电路，因而可以实现装置的低价格化。
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公开(公告)号：CN1315669A
公开(公告)日：2001-10-03
申请号：CN00137004.9
申请日：2000-12-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02F1/133
CPC classification number: G09G3/2011 , G09G3/3659 , G09G2300/0828 , G09G2300/0852
Abstract: 在彩色液晶显示装置中,采用在象素信号线(4)和液晶单元(2)的电极(2a)之间,并联连接2个电容器(18、19)这两方,或仅仅连接两者中的任何一方,或全部不连接的办法,就可以把液晶单元(2)的电极(2a)的电位(V2)切换成4个等级。因此,可以进行4个等级的灰度等级显示而无须使用数－模转换电路,因而可以实现装置的低价格化。
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