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公开(公告)号：CN118922582A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202380026980.X
申请日：2023-03-17
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/04 , C23C16/455 , C23C16/40 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种薄膜遮蔽剂、包含其的薄膜形成用组合物、利用其的薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件，其中，通过应用薄膜遮蔽剂以改善反应速度并适当降低薄膜生长率，从而即便在高温条件下在具有复杂结构的基板上形成薄膜，也能大幅提高阶梯覆盖性和薄膜的厚度均匀性，以形成无缝薄膜，并降低杂质，从而改善膜质。
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公开(公告)号：CN118871612A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202380026982.9
申请日：2023-03-17
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/04 , C23C16/455 , C23C16/40
Abstract: 本发明涉及一种薄膜改性组合物、利用其的薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件，其中，将阶梯覆盖率改善剂和扩散改善剂并用，以改善反应速度，并且适当地降低薄膜生长率，从而即便在高温条件下在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够大幅提高阶梯覆盖性(step coverage)和薄膜的厚度均匀性，并且减少杂质，从而具有改善膜质的效果。
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公开(公告)号：CN117452766A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202310811505.5
申请日：2023-07-03
IPC: G03F1/62
Abstract: 本发明涉及用于光刻的保护膜片、包括其的表膜和其形成方法。本文中提供用于光刻的保护膜片，其包括：包括碳的芯层、在所述芯层上的界面层、和在所述界面层上的保护层。所述界面层包括键合至所述芯层的碳原子的反应性基团，并且所述反应性基团包括氧或氮。所述保护层包括元素“M”，并且元素“M”键合至所述反应性基团的氧或氮。
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公开(公告)号：CN116897222A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202380009417.1
申请日：2023-01-05
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/04
Abstract: 本发明涉及一种氧化膜反应表面控制剂、利用其的氧化膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体元件，提供预定结构的化合物作为氧化膜反应表面控制剂，基于该氧化膜反应表面控制剂的吸附分布度的差异，在基板上形成厚度均匀的沉积层作为遮蔽区域，以减小薄膜的沉积速度，并且适当地降低薄膜生长率，从而即便在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够大幅提高台阶覆盖性(step coverage)和薄膜的厚度均匀性，并且具有减少杂质的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119948203A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202380068082.0
申请日：2023-10-06
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/06 , H01L21/285 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种硫属化物类薄膜改性剂、使用其制造的半导体基板以及半导体器件。本发明的含准金属的薄膜的制造方法利用包含卤素的前体化合物、能够填充从上述前体化合物脱离的卤素的位置的特定的硫属化物类薄膜改性剂，从而在对高纯度的薄膜改善可靠性的同时通过简单的工序容易地进行制造。
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公开(公告)号：CN118871616A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202380026981.4
申请日：2023-03-17
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/455 , C23C16/04 , C23C16/34 , H01L21/02 , H01L21/285
Abstract: 本发明关于薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件，通过同时使用反应表面预处理剂和配体取代剂，有效地取代吸附前体的配体，以改善反应速度并适当降低薄膜生长率，从而即便在具有复杂结构的基板上形成薄膜，也能大幅提高阶梯覆盖性以及薄膜的厚度均匀性，并减少杂质以改善膜质。
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公开(公告)号：CN118843710A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202380026655.3
申请日：2023-03-17
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/04 , C23C16/455 , C23C16/40 , H01L21/02 , H01L21/285
Abstract: 本发明涉及一种阶梯覆盖率改善剂、利用其的薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件，其中，提供规定结构的化合物作为阶梯覆盖率改善剂，基于该化合物的吸附分布度的差异，在基板上形成厚度均匀的沉积层作为遮蔽区域，以减小薄膜的沉积速度，并且适当地降低薄膜生长率，从而即便在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够大幅提高阶梯覆盖性和薄膜的厚度均匀性，并且具有减少杂质的效果。
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公开(公告)号：CN119137308A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202380026985.2
申请日：2023-03-17
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/04 , C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/40 , H01L21/02 , H01L21/285
Abstract: 本发明涉及一种薄膜改性组合物、利用其的薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件，其中，上述薄膜改性组合物将遮蔽物质和扩散改善物质并用，以改善反应速度，并且适当地降低薄膜生长率，从而即便在高温条件下在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够大幅提高阶梯覆盖性(step coverage)和薄膜的厚度均匀性，并且减少杂质，从而具有改善膜质的效果。
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公开(公告)号：CN118871613A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202380026983.3
申请日：2023-03-17
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/04 , C23C16/455 , C23C16/40 , H01L21/02 , H01L21/285
Abstract: 本发明涉及一种薄膜改性组合物、使用其形成薄膜的方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件，通过将阶梯覆盖率改善剂和胺类化合物并用，以改善反应速度，并且适当地降低薄膜生长率，从而即便在高温条件下在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够大幅提高阶梯覆盖性(step coverage)和薄膜的厚度均匀性，并且减少杂质，从而具有改善膜质的效果。
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