公开(公告)号：CN1606783A

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN02825699.9

申请日：2002-12-16

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： M·F·吉尔里斯 ,  K-M·H·伦斯森

IPC: G11C11/16 ,  G11C11/15

CPC classification number: G11C11/15 ,  G11C11/16

Abstract: 介绍了可以用在亚微米单元尺寸中的磁性装置单元，例如MRAM单元。本发明介绍了通过在当不进行读出时自旋阀的两个磁化方向为反平行的位置上建立存储状态，以便稳定磁性装置的方法。这避免了以这么小的尺寸在自旋阀或自旋隧道结中磁化方向的平行状态变得不稳定的问题。高矫顽力存储层与低矫顽力保持层结合。读出过程还被简化为：位线上的仅仅一个脉冲和字线中的电阻测量就足以确定在按照本发明的磁性装置单元中存储的数据。

公开(公告)号：CN1723519A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200380105634.3

申请日：2003-11-12

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： T·J·温克 ,  M·A·维斯楚伦 ,  M·F·吉尔里斯

IPC: H01J9/02 ,  G03F7/00 ,  H01J1/304

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J9/025

Abstract: 提供一种具有阴极(120)和栅极(140)的场致发射器件(100)。在这些电极之间提供构图的介电层(130)。根据本发明，该介电层(130)通过液体模压步骤，也就是使液体材料(131)与构图的压模(150)相接合，由构图的液体前体材料(131)制成。在除去压模(150)之后，固化液体材料以形成构图的介电层(130)。优选，在后续的制造步骤中，在构图的介电层(130)上以自对准的方式形成阴极(120)或栅极(140)。