公开(公告)号：CN108352285B

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201680066016.X

申请日：2016-09-23

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 杰弗里·A·柏吉斯

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/08

Abstract: 一种低轮廓获取电极组件及离子植入机，所述低轮廓获取电极组件包括：绝缘体，具有主体；多个间隔开的安装支脚，从所述主体的第一面延伸；多个间隔开的安装支脚，从所述主体的与所述第一面相对的第二面延伸，从所述第二面延伸的所述多个间隔开的安装支脚在与所述主体的轴线正交的方向相对于从所述第一面延伸的所述多个间隔开的安装支脚偏置，所述低轮廓获取电极组件还包括：接地电极，紧固至从所述第一面延伸的所述安装支脚；以及抑制电极，紧固至从所述第二面延伸的所述安装支脚，其中所述接地电极与所述抑制电极之间的放电路径距离大于所述接地电极与所述抑制电极之间的焦距。

公开(公告)号：CN108352285A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680066016.X

申请日：2016-09-23

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 杰弗里·A·柏吉斯

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/08

Abstract: 一种低轮廓获取电极组件包括：绝缘体，具有主体；多个间隔开的安装支脚，从所述主体的第一面延伸；多个间隔开的安装支脚，从所述主体的与所述第一面相对的第二面延伸，从所述第二面延伸的所述多个间隔开的安装支脚在与所述主体的轴线正交的方向相对于从所述第一面延伸的所述多个间隔开的安装支脚偏置，所述低轮廓获取电极组件还包括：接地电极，紧固至从所述第一面延伸的所述安装支脚；以及抑制电极，紧固至从所述第二面延伸的所述安装支脚，其中所述接地电极与所述抑制电极之间的放电路径距离大于所述接地电极与所述抑制电极之间的焦距。

公开(公告)号：CN101743620B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200880024369.9

申请日：2008-08-22

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 葛列格里·D·斯罗森 ,  杰弗里·A·柏吉斯

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/00 ,  H01J37/18

CPC classification number: H01J37/16 ,  H01J37/18 ,  H01J2237/166 ,  H01J2237/31701 ,  Y10S277/913

Abstract: 一种密封系统，包括第一真空腔室和第二真空腔室。密封系统包括具有远端和近端的第一密封单元，第一密封单元的近端配置于第一真空腔室上。密封系统还包括具有远端和近端的第二密封单元，第二密封单元的远端配置于第一密封单元的远端上，并且第二密封单元的近端配置于第二真空腔室上。密封单元中的一个为凹形的，另一个为凸形的。密封系统还包括第一O形圈、第二O形圈和第三O形圈。

公开(公告)号：CN101743620A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200880024369.9

申请日：2008-08-22

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 葛列格里·D·斯罗森 ,  杰弗里·A·柏吉斯

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/00 ,  H01J37/18

CPC classification number: H01J37/16 ,  H01J37/18 ,  H01J2237/166 ,  H01J2237/31701 ,  Y10S277/913

Abstract: 一种密封系统，包括第一真空腔室和第二真空腔室。密封系统包括具有远端和近端的第一密封单元，第一密封单元的近端配置于第一真空腔室上。密封系统还包括具有远端和近端的第二密封单元，第二密封单元的远端配置于第一密封单元的远端上，并且第二密封单元的近端配置于第二真空腔室上。密封单元中的一个为凹形的，另一个为凸形的。密封系统还包括第一O型圈、第二O型圈和第三O型圈。