公开(公告)号：CN101802992A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880107434.4

申请日：2008-09-18

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 由里·艾洛克海 ,  保罗·沙利文 ,  史帝文·R·沃特 ,  彼得·纽南

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/76251 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/201 ,  H01J2237/202 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2924/30105

Abstract: 所揭示的是将两个藉由离子植入而活化的基底晶圆键合在一起的方法。原位离子键合室允许在制造流程所使用的现有制程设备中进行离子活化与键合。基底的至少其中之一是在低植入能量下进行离子活化，以确保薄表面层下面的晶圆材料免受离子活化的影响。

公开(公告)号：CN101842911A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200880111831.9

申请日：2008-09-08

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 保罗·沙利文 ,  彼得·纽南 ,  史帝文·R·沃特

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547

Abstract: 所揭示的是制造太阳能电池的装置及其方法。在具体实施例中，太阳能电池可按照以下步骤来制造：将太阳能电池配置在具有粒子源的处理室中；将图案化组件配置在粒子源与太阳能电池之间，其中此图案化组件包括孔径与组件段；以及选择性地将穿过孔径的第一类型掺质植入太阳能电池的第一区域，其间引进第一区域之外的区域的第一类型掺质被最小化。

公开(公告)号：CN101842911B

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200880111831.9

申请日：2008-09-08

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 保罗·沙利文 ,  彼得·纽南 ,  史帝文·R·沃特

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547

Abstract: 所揭示的是制造太阳能电池的装置及其方法。在具体实施例中，太阳能电池可按照以下步骤来制造：将太阳能电池配置在具有粒子源的处理室中；将图案化组件配置在粒子源与太阳能电池之间，其中此图案化组件包括孔径与组件段；以及选择性地将穿过孔径的第一类型掺质植入太阳能电池的第一区域，其间引进第一区域之外的区域的第一类型掺质被最小化。