公开(公告)号：CN101043037B

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200710006940.1

申请日：2007-01-31

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 町田悟 ,  石井泰之 ,  工藤敏生 ,  高桥雅人 ,  铃木征洋

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/11568 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/42344

Abstract: 一种存储单元，具有：控制栅电极，通过栅绝缘膜布置在半导体衬底的主表面上；ONO膜，沿控制栅电极的侧表面和半导体衬底的主表面布置；存储栅电极，通过ONO膜布置在控制栅电极的侧表面上和半导体衬底的主表面上。使控制栅电极和存储栅电极在其上部上方分别形成有硅化物膜和通过使硅化物膜的表面氧化而形成的绝缘膜。